Patent search ap:("瑞萨电子株式会社") AND inv:"宇野友彰" Page 2

11.

发明公开
电源装置有权

公开(公告)号：CN102447388A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110305102.0

申请日：2011-09-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 工藤良太郎 , 宇野友彰 , 立野孝治 , 石井秀雄 , 梅津和之 , 七种耕治

IPC: H02M3/157 , H02M3/158

CPC classification number: H02M3/158 , G06F1/26 , H02M3/1584 , H02M2003/1586

Abstract: 本发明涉及电源装置。可以实现多相型电源装置的微型化。电源控制单元、多个装有PWM的驱动单元、以及多个电感器配置多相电源，在电源控制单元中，例如，微控制器单元、存储器单元和模拟控制器单元形成在单个芯片上。微控制器单元将每一个都具有基于存储器单元上的程序定义的频率和相位的时钟信号和相位输出到各个装有PWM的驱动电路。模拟控制器单元检测负载的电压值与经由串行接口获得的目标电压值之间的差值，并从串行接口输出误差放大信号。通过使用时钟信号和误差放大信号的峰值电流控制体系，装有PWM驱动单元的每一个驱动每一个电感器。

12.

发明授权
半导体器件有权

公开(公告)号：CN104969356B

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201480001579.1

申请日：2014-01-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 沼部英雄 , 白井伸幸 , 加藤浩一 , 宇野友彰 , 梅津和之

IPC: H01L29/78

Abstract: 在形成于半导体衬底(SUB)中的槽(TR1)内的下部形成有控制电极(GE1)，在槽(TR1)内的上部形成有栅极电极(GE2)。在槽(TR1)的侧壁及底面与控制电极(GE1)之间形成有绝缘膜(G1)，在槽(TR1)的侧壁与栅极电极(GE2)之间形成有绝缘膜(G2)，在控制电极(GE1)与栅极电极(GE2)之间形成有绝缘膜(G3)。在与槽(TR1)邻接的区域中有源极用的n+型半导体区域(NR)、沟道形成用的p型半导体区域(PR)和漏极用的半导体区域。连接于控制电极(GE1)的布线不与连接于栅极电极(GE2)的布线相连，且不会与连接于源极用的n+型半导体区域(NR)的布线相连。

13.

发明授权
半导体器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN103268877B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310047444.6

申请日：2013-02-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宇野友彰 , 川岛徹也

IPC: H01L27/088 , H01L23/492 , H01L21/8234 , H01L21/48 , H02M3/155

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。用于诸如DC/DC转换器的电源电路的传统半导体器件具有热耗散和尺寸缩小的问题，特别是在尺寸缩小的情况下具有热耗散及其它问题。本公开提供一种半导体器件，其具有通过如下处理形成的结构：用具有梳齿形的多个金属板导线覆盖半导体芯片的主表面，该半导体芯片具有该主表面和形成于该主表面上的多个MIS型FET；在该主表面上在平面图中交替分布梳齿部分；以及进一步将多个金属板导线电耦接到多个端子。

14.

发明公开
半导体器件有权

公开(公告)号：CN104282646A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410306691.8

申请日：2014-06-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 船津胜彦 , 佐藤幸弘 , 谷藤雄一 , 宇野友彰

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/564 , H01L21/4825 , H01L21/4828 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括第一芯片安装部分、布置在第一芯片安装部分之上的第一半导体芯片、形成在第一半导体芯片的表面中的第一焊盘、用作外部耦合端子的第一引线、将第一焊盘和第一引线电耦合的第一传导构件以及密封体，该密封体密封第一芯片安装部分的一部分、第一半导体芯片、第一引线的一部分和第一传导构件。第一传导构件包括第一板状部分和与第一板状部分一体地形成的第一支撑部分。第一支撑部分的末端从密封体暴露，并且第一支撑部分形成有第一弯曲部分。

15.

发明公开
半导体器件的制造方法失效

公开(公告)号：CN103681389A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310439966.0

申请日：2013-09-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 舩津胜彦 , 宇野友彰 , 植栗徹 , 佐藤幸弘

IPC: H01L21/60 , H01L21/58 , H01L21/683

CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4835 , H01L21/4839 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49503 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/18 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/29139 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H01L2224/84801 , H01L2224/92247 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的目的是提高将带施加于基板的后表面时的可靠性，同时确保施加于基板的后表面的带的耐热性。在设置于支撑部件内的沟道的底表面与驱动器IC芯片的上表面之间存在间隙。另一方面，引线框的上表面侧由支撑部件支撑，使得沟道的底表面接触安装于低MOS芯片之上的低MOS夹片的上表面。因而，即使在驱动器IC芯片和低MOS芯片被安装于引线框的上表面侧之上的状态下，带也能够被可靠地施加于引线框的后表面，特别地，施加于产品区的后表面。

16.

发明公开
半导体器件有权

公开(公告)号：CN102856309A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210229641.5

申请日：2012-06-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宇野友彰 , 女屋佳隆 , 加藤浩一 , 工藤良太郎 , 七种耕治 , 船津胜彦

IPC: H01L25/07 , H01L23/522 , H02M3/155

CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/4824 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种提高半导体器件可靠性的方法。在一个半导体芯片(CPH)内形成有开关用功率MOSFET、以及用于侦测流经所述功率MOSFET的电流且面积比所述功率MOSFET小的感应MOSFET，而且，所述半导体芯片(CPH)经由导电性接合材料搭载于芯片搭载部上，且被树脂封装。其中，在半导体芯片(CPH)的主表面上，形成有感应MOSFET的感应MOSFET区域(RG2)位于感应MOSFET的源极用焊盘(PDHS4)的内侧。而且，在半导体芯片(CPH)的主表面上，感应MOSFET区域(RG2)由形成有功率MOSFET的区域所包围。

17.

发明公开
半导体器件以及半导体器件的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116666451A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310020548.1

申请日：2023-01-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚俊昭 , 中西翔 , 宇野友彰 , 柳井幸志郎 , 村山昌也

IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/40 , H01L29/417

Abstract: 本公开的各实施例涉及一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。在构成半导体器件的半导体衬底的主表面上形成绝缘膜，以覆盖场板部分，在该绝缘膜上形成比所述场板部分厚的金属图案，在该绝缘膜上形成保护膜，以覆盖所述金属图案。该场板部分由一个或多个氮化硅膜和一个或多个的氧化硅膜的堆叠膜组成。

18.

发明授权
半导体器件有权

公开(公告)号：CN102956619B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210308191.9

申请日：2012-08-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宇野友彰 , 女屋佳隆 , 加藤浩一 , 工藤良太郎 , 七种耕治

IPC: H01L23/544 , H01L25/07 , H02M1/08

CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823487 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L25/074 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H02M1/32 , H02M3/156 , H02M2001/0009 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件。在可靠性上改进一种半导体器件。在一个半导体芯片中形成用于切换的功率MOSFET以及面积比功率MOSFET更小的、用于感测功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET。在芯片装配部分之上装配并且在树脂中密封半导体芯片。金属板键合到用于输出功率MOSFET中流动的电流的第一源极焊盘和第二源极焊盘。用于感测功率MOSFET的源极电压的第三源极焊盘在未与金属板重叠的位置。在形成第三焊盘的源极接线与形成第一焊盘和第二焊盘的另一源极接线之间的耦合部分在与金属板重叠的位置。