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公开(公告)号：CN116666451A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310020548.1
申请日：2023-01-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 本公开的各实施例涉及一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。在构成半导体器件的半导体衬底的主表面上形成绝缘膜，以覆盖场板部分，在该绝缘膜上形成比所述场板部分厚的金属图案，在该绝缘膜上形成保护膜，以覆盖所述金属图案。该场板部分由一个或多个氮化硅膜和一个或多个的氧化硅膜的堆叠膜组成。
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