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公开(公告)号：CN112542544B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202010265592.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N97/00
Abstract: 本申请的各个实施例针对一种形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法，MIM电容器包括增强的界面层以减少击穿故障。在一些实施例中，在衬底上方沉积底部电极层。在底部电极层的顶面上形成原生氧化物层，原生氧化物层与顶面具有第一粘附强度。执行等离子体处理工艺以用界面层代替原生氧化物层。界面层是导电的并且与底部电极层的顶面具有第二粘附强度，并且第二粘附强度大于第一粘附强度。在界面层上沉积绝缘体层。在绝缘体层上沉积顶部电极层。图案化顶部电极层、底部电极层、绝缘体层和界面层以形成MIM电容器。本发明的实施例还涉及金属‑绝缘体‑金属电容器。
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公开(公告)号：CN114709213A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210183999.2
申请日：2022-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11507 , H01L49/02
Abstract: 本公开总体涉及铁电存储器器件及其制造方法。本文公开了可提高铁电存储器器件的保持性能的铁电堆叠。一种示例性铁电堆叠具有设置在第一电极和第二电极之间的铁电开关层(FSL)堆叠。铁电堆叠包括设置在第一FSL和第二FSL之间的阻挡层，其中阻挡层的第一晶体条件不同于第一FSL和/或第二FSL的第二晶体条件。在一些实施例中，第一晶体条件为非晶相，并且第二晶体条件为正交相。在一些实施例中，第一FSL和/或第二FSL包括第一金属氧化物，并且阻挡层包括第二金属氧化物。铁电堆叠可以是铁电电容器、晶体管的一部分和/或连接到铁电存储器器件中的晶体管，来以非易失性方式提供数据存储。
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公开(公告)号：CN108123034A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710840815.4
申请日：2017-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本发明实施例提供一种具有复合式顶部电极的存储器胞。底部电极安置于衬底上方。具有可变电阻的切换介电层安置于所述底部电极上方。覆盖层安置于所述切换介电层上方。复合式顶部电极安置于所述覆盖层上方且邻接所述覆盖层。所述复合式顶部电极包含氮化钽TaN层及直接安置于所述氮化钽层上的氮化钛TiN膜。由于具有所述所揭示的复合式顶部电极，所以当暴露所述复合式顶部电极来形成顶部电极通路时，无需或不形成界面氧化层，借此改进所述顶部电极与所述顶部电极通路之间的RC性质。本发明实施例还提供一种用于制造所述存储器胞的方法。
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公开(公告)号：CN105280812B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510114823.1
申请日：2015-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16
Abstract: 一些实施例涉及电阻式随机存取存储器(RRAM)。该RRAM包括RRAM底部金属电极、布置在RRAM底部金属电极上方的可变电阻介电层以及布置在可变电阻介电层上方的RRAM顶部金属电极。覆盖层布置在RRAM顶部金属电极上方。覆盖层的下表面和RRAM顶部金属电极的上表面在界面处接触。保护侧壁邻近RRAM顶部金属电极的外侧壁。保护侧壁具有与RRAM顶部金属电极的上表面接触覆盖层的下表面的界面至少基本对准的上表面。本发明还涉及用于RRAM的保护侧壁技术。
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公开(公告)号：CN106158899A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510148819.7
申请日：2015-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路或半导体结构。RRAM单元包括底电极和布置在底电极上方的具有可变电阻的数据存储区。此外，RRAM单元还包括布置在数据存储区上方的扩散阻挡层、布置在扩散阻挡层上方的离子库区以及布置在离子库区上方的顶电极。本发明也提供了用于制造RRAM单元的集成电路或半导体结构的方法。本发明还涉及改进电阻式随机存取存储器(RRAM)的保持性能的高k方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105990521A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510731926.2
申请日：2015-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675 , H01L45/12 , G11C11/56 , G11C11/5692 , H01L45/00
Abstract: 提供了具有复合覆盖层的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。氧化钽基层布置在底部电极层上方。复合覆盖层布置在氧化钽基层上方并且邻接氧化钽基层。复合覆盖层包括第一金属层和位于第一金属层上面的第二金属层。相比于第二金属层，第一金属层与氧化钽基层具有更高的反应性。顶部电极层布置在复合覆盖层上方。本发明也提供了用于制造RRAM单元的方法。本发明实施例涉及具有复合覆盖层的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。
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公开(公告)号：CN105826466A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201510755878.0
申请日：2015-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , H01L27/2463
Abstract: 提供了具有基于V族氧化物和氧化铪的高κ层的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。RRAM单元包括底部电极层；V族氧化物层，布置在底部电极层上方；和氧化铪基层，布置在V族氧化物层上方并且邻接V族氧化物层。RRAM单元还包括覆盖层，布置在氧化铪基层上方并且邻接氧化铪基层；以及顶部电极层，布置在覆盖层上方。还提供了一种用于制备RRAM单元的方法。本发明实施例涉及改进的电阻式随机存取存储器(RRAM)结构。
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公开(公告)号：CN103378116B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310119820.8
申请日：2013-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14609 , H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L31/02168
Abstract: 一种形成图像传感器件的方法包括在硅衬底的前面处形成光感测区和在光感测区上方形成图案化的金属层。此后，该方法包括在衬底的第一表面上沉积金属氧化物抗反射叠层。该金属氧化物抗反射叠层包括在光电二极管上方堆叠的一个或多个薄金属氧化物的复合层。每个复合层都包括两个或更多个的金属氧化层：一个金属氧化物是高能带隙金属氧化物而另一个金属氧化物是高折射率金属氧化物。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层。
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公开(公告)号：CN101330003A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810085960.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/75
Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。
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