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公开(公告)号：CN116364830A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310352619.8
申请日：2023-04-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：衬底、外延结构、P电极、N电极以及钝化层，其中，P电极包括第一P电极和第二P电极，N电极包括第一N电极和第二N电极，钝化层与P电极对应的部分同P电极形成了金属‑钝化层‑金属的层叠结构，与N电极对应的部分同N电极形成了金属‑钝化层‑金属的层叠结构，即钝化层与电极结构相对应的部分被电极结构中的顶层金属电极所包覆，使得环境中的水汽不会直接接触到钝化层与第一P电极以及第一N电极的接触面所存在的孔隙，有效避免LED芯片水汽渗透的发生，从而避免LED芯片在逆压环境中发生微短路，提高了LED芯片在实际应用中的可靠性。
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公开(公告)号：CN116110518A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211557528.X
申请日：2022-12-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06T7/00 , G06F113/26
Abstract: 本申请公开了一种获取材料双向散射分布函数的建模方法及设备，基于AFM测试待测样品表面的形貌，并基于测试结果构建三维立体模型，并在该三维立体模型的基础上设置光源，建立光学仿真环境，在仿真的过程中不断改变光源的位置以及入射角度，收集汇总不同角度下待测样品的散射信息，最终基于散射信息构建该待测样品的BSDF函数。从而实现低成本、多角度、有能力、简单的获取由材料内光源发射光线出射至与空气界面的BSDF函数，实现对全空间光学属性的测量的目的。
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公开(公告)号：CN115411162A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211175513.7
申请日：2022-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：基板及设置于所述基板上方的第一金属层、绝缘层、第二金属层、外延叠层、第一电极以及第二电极。从而，实现了LED芯片的两个电极位于芯片同侧，但在发光区中，电流分布与垂直结构芯片类似，其电流和热量分布相较于普通的同侧电极结构更加均匀。而本方案与传统的垂直结构芯片相比，其所采用的基板不受是否导电的限制，可以采用高导热的金刚石、氮化硼、碳化硅等基板，以实现芯片更低的热阻，因此本方案可以很好地运用于高功率LED芯片。
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公开(公告)号：CN115332413A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211069531.7
申请日：2022-09-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将衬底设置具有多个凸起且相邻凸起之间形成平面，从而在所述凸起的表面设置第一透明导电层；通过将衬底的图形界面设置为与衬底不同的透明材料，可形成更佳的反射镜结构；进一步地，所述第一电极与所述第一透明导电层形成电连接，使所述衬底具有导电的图形界面，且所述第一电极与第一透明导电层形成电连接，进而所述发光结构的底部可形成很好的电流扩展。在此基础上，可以减薄所述第一型半导体层，在节省成本的同时又有效提高发光效率。
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公开(公告)号：CN114512592A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210144087.4
申请日：2022-02-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法、LED封装体及显示装置，包括绝缘衬底和通过键合工艺倒装固定于所述绝缘衬底表面的发光结构，其中，所述绝缘衬底设有若干个贯穿所述绝缘衬底且相互独立的金属填充孔，第一电极和第二电极通过键合工艺分别与所述绝缘衬底的金属填充物键合形成一体；也即通过金属填充孔型绝缘衬底的使用，可以实现第一电极和第二电极在键合过程中无需对准，减少了外延层的损失，藉以提升芯片亮度；同时，在封装过程中无需对电极进行打线，可以实现高可靠性无金线封装的LED显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242867A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111533881.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：芯片衬底、外延结构、P型电极、N型电极以及绝缘层，外延结构包括第一P型层、第一有源层、第一N型层，第一N型层包括第一子N型层和第二子N型层，有源层、第一子N型层裸露P型层部分表面，第二子N型层位于第一N子型层表面，N型电极位于第二子N型层背离芯片衬底表面的一侧，并覆盖第二子N型层，绝缘层覆盖LED芯片表面除去P型电极表面和N型电极表面的部分。由上述可知，N型电极覆盖第二子N型层，能够避免所述第二子N型层裸露，并且绝缘层包裹第一子N型层以及第二子N型层没有被覆盖的部分，能够抑制N型层与环境中的水汽发生电化学反应。
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公开(公告)号：CN114068782A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111360490.2
申请日：2021-11-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，通过将所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面，且在所述凹槽的侧壁附有隔离层，所述隔离层包括透明绝缘材料；再者，通过金属反射层覆盖所述台面并延伸至所述隔离层的表面，使金属反射层通过所述隔离层与所述第一型半导体层和有源区相互隔离。通过隔离层的透明、绝缘效果，可以将反射层制作到外延叠层的凹槽侧壁，实现反射层面积的增大，从而提高LED芯片的发光亮度。
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公开(公告)号：CN114005920A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111422016.8
申请日：2021-11-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，通过在基板表面依次设置键合层、金属反射镜、介质层以及外延叠层，其中，所述介质层具有介质孔，且所述金属反射镜通过填充于所述介质孔内的欧姆接触结构与所述外延叠层形成连接；一方面，使欧姆接触结构通过所述介质孔与第二型半导体层电性连接，保证电流的注入和导通；同时，解决了外延叠层与介质层、金属反射镜之间结合力弱的问题，从而提高芯片的可靠性。另一方面，使金属反射镜与介质层形成ODR反射结构，将外延叠层朝向基板一侧辐射的光线返回至外延叠层，并从出光侧辐射出去，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN118033979A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410357080.X
申请日：2024-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G03F7/09
Abstract: 本发明提供一种复合膜层、光刻方法及系统、LED芯片及其制造方法，本发明的复合膜层通过在光刻胶层内部或者至少一侧表面设置图形化的波长转换部，用第一光源照射波长转换部后，波长转换部激发形成比第一光源波长更短的第二光源对光刻胶层进行图案化曝光，不仅在曝光光刻胶层时可以免去掩模版的使用，而且波长转换部吸收第一光源激发出波长更短的第二光源曝光光刻胶层，能够提高光刻精度。光刻方法及系统采用上述的复合膜层实现光刻胶层的图案化。LED芯片及其制造方法采用上述光刻系统实现光刻胶层的图案化。
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公开(公告)号：CN117153985A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310469186.4
申请日：2023-04-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率；同时，通过嵌入所述集成金属层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，并通过蚀刻的方式裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。
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