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公开(公告)号：CN110943053A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911155711.5
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/15 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷气密封装器件及封装方法，陶瓷气密封装器件包括：陶瓷基板，设有贯穿所述陶瓷基板的上表面和下表面的通孔，陶瓷基板的通孔内部填充金属，通孔内的金属记为金属柱；芯片，设置在所述陶瓷基板上，芯片的焊盘通过键合线与所述陶瓷基板上的金属柱连接；管帽，设置在陶瓷基板上，管帽与陶瓷基板形成容纳芯片的气密结构；耦合结构，设置在管帽的背面，且位于需要耦合的芯片的上方；散热结构，设置在所述管帽的正面。本发明通过在管帽的正面设置散热结构，提高了散热性，提高了陶瓷封装器件性能；同时在管帽的背面，芯片的上方设置耦合结构，提高了芯片的耦合性，进一步的提高了陶瓷封装器件的性能。
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公开(公告)号：CN111029312B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN201911155125.0
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/48 , H10D80/20
Abstract: 本发明公开了一种气密封装器件及气密封装方法，气密封装器件包括：下封装结构包括第一陶瓷基板，第一陶瓷基板设有第一通孔，第一通孔内的金属记为第一金属柱；第一芯片，设置在第一陶瓷基板上，第一芯片的焊盘与第一金属柱相连；中间封装结构，设置在下封装结构上，包括第二陶瓷基板，第二陶瓷基板设有第二通孔，第二通孔内的金属记为第二金属柱；第二芯片，设置在第二陶瓷基板上，第二芯片的焊盘与第二金属柱相连，连接第二芯片的第二金属柱通过导电结构与第一芯片或所述第一金属柱相连；上封装结构，设置在中间封装结构上。本发明形成垂直的两个封装腔，敏感元件单独存放，避免了二次封装，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN117374002A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311297414.0
申请日：2023-10-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , C25D5/02 , C25D5/12
Abstract: 本发明实施例提供一种金铝互联传输线及其制备方法，涉及半导体封装技术领域。本发明通过在临时基板上电镀制备长度大于等于金铝焊盘间距的金传输带，在金传输带上制备镍阻挡层、铝焊盘，去除临时基板后得到带状金铝互联传输线。带状金铝互联传输线用于柔性连接独立芯片的铝焊盘与电路板的金焊盘，一端的铝焊盘连接独立芯片的铝焊盘，另一端的金传输带连接电路板的金焊盘。如此可实现单个独立芯片的铝焊盘与电路板的金焊盘之间互联。进一步的，通过在金层和铝层之间设置镍阻挡层，隔绝金铝界面，减少了金铝扩散，在实现独立芯片与电路板的异种金属互联的同时，减小了金铝界面失效风险，增加了金铝互联可靠性。
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公开(公告)号：CN115719875A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211357665.9
申请日：2022-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于半导体封装技术领域，提供了一种射频天线封装结构及封装结构的制备方法，该射频天线封装结构包括：IC载板、中间放置层、天线盖板和天线结构；IC载板的下表面覆盖有金属层，IC载板的上表面固定有射频集成电路，IC载板开设有上下贯穿IC载板的金属通孔；中间放置层位于IC载板的上表面，中间放置层的上表面覆盖有金属层，中间放置层开设有上下贯穿中间放置层的金属通孔；天线盖板位于中间放置层的上表面，天线盖板的上表面和天线盖板的下表面均覆盖有金属层，天线盖板开设有上下贯穿天线盖板的金属通孔；天线结构位于天线盖板的上表面。上述射频天线封装结构具有最短的天线馈电结构，较低的天线介质损耗，实现了一种天线射频性能强，辐射效率高的AiP射频天线封装结构。
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公开(公告)号：CN114864411A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210278131.0
申请日：2022-03-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L21/52 , H01L23/06 , H01L23/66 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种射频管壳的制备方法、功放模块封装方法及功放模块，射频管壳的制备方法包括：通过在介质基板上制备贯穿介质基板上下表面的过孔；对过孔以及介质基板的上下表面溅射金属种子层后，在介质基板上下表面分别制备正面金属图形和背面金属图形；分别对正面金属图形和背面金属图形进行局部加厚，制备得到正面金属围框和底面热沉；从金属围框内选取一区域作为芯片贴装区域，去除介质基板在芯片贴装区域的部分，制备得到射频管壳。本发明的方法制备的射频管壳采用电镀纯铜作为管壳的底板，一面贴装芯片，另一面直接作为管壳的外部贴装面，在保证散热、接地效果的同时，能够就近引出，以保证良好的高频特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687617B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011551776.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种绝缘子针的制备方法及绝缘子针，该方法包括：分别在上基板和下基板上制备阵列方式排列的多个过孔，并在上基板和下基板的表面以及过孔内溅射种子层；通过逐层电镀的方式，在溅射种子层的上基板和下基板的过孔内、上下表面电镀预设高度的金属；刻蚀掉电镀后的上基板和下基板上未电镀区域的种子层；在刻蚀后的上基板和下基板的金属表面制备保护层；将制备保护层的上基板的第一围墙和制备保护层的下基板的第三围墙对应键合，形成空气同轴绝缘子针。本发明绝缘子针的针间距一体化设计，可以提高金属管壳高密度互联的需求，且在绝缘子针表面形成安装面，使射频端就近接地隔离，损耗小且高频特性好。
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公开(公告)号：CN112687616B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011551749.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明适用于微波组件技术领域，提供了一种射频管壳的制备方法及射频管壳，包括：在基板上溅射多层金属得到第一种子层，在第一种子层上第一区域和第二区域上电镀金分别制备金导体层；去除金导体层区域外的第一种子层，在第一区域与第二区域之间制备薄膜电阻，得到第一样品；对第一样品采用第一预设温度烘烤并空气退火，得到第二样品；在第二样品的表面溅射多层金属得到第二种子层，在第二种子层上电镀铜制备铜导体层；在第三区域中的第四区域上再次电镀铜，加高铜导体层；去除铜导体层区域外的第二种子层。本发明完成高精度金导体层制备，从而实现高密度布线，通过制备铜导体层叠加金导体层的叠加结构，防止电迁移，保证器件长期稳定性。
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公开(公告)号：CN114614235A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210105950.5
申请日：2022-01-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于半导体封装技术领域，提供了一种AOP射频天线封装结构及封装结构的制备方法，该AOP射频天线封装结构包括：基板，开设有贯穿基板两侧的通孔；互联导体层，形成于基板两侧，且基板两侧的互联导体层通过通孔互联；组装导体层，形成于互联导体层上，包括安装端和天线端，安装端用于与母板连接；天线柱，形成于天线端上。本申请通过半导体工艺，在玻璃基板上制备互联导体层、组装导体层和天线柱，最终立式安装，基板做Z向支撑，机械强度高，中间互联导体层电路耦合匹配、设计灵活，顶部天线金属馈线柱悬置于空气中，带宽、损耗特性好。本申请将微型偶极子天线集成到射频封装上，实现了一种全新的AOP射频天线集成方式。
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公开(公告)号：CN114583424A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210096161.X
申请日：2022-01-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李仕俊 , 汪晓龙 , 徐达 , 常青松 , 袁彪 , 郭嘉 , 张威龙 , 马文涛 , 林立涵 , 周名齐 , 张俊杰 , 张梓福 , 张润博 , 韩宏远 , 李胜奎 , 杨抗抗
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明提供一种悬置带线滤波器及其制备方法。该悬置带线滤波器包括：介质基板；在介质基板上设置的多个上下表面贯通的接地孔；在介质基板的上下表面分别设置的上表面电路和下表面电路；在上表面电路和下表面电路的第一预设位置上分别设置的第二导体柱；在部分第二导体柱上设置的第三导体柱，介质基板的上表面倒扣设置在待安装母板上；介质基板下表面的第三导体柱下设置的金属屏蔽盖板。本发明能够了有效减小悬置带线滤波器体积，满足表面贴装需求。
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公开(公告)号：CN118073302A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410107344.6
申请日：2024-01-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/552 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种金属化结构及其制备方法、Fanout封装器件，包括绝缘布线层、多个芯片、金属化层，以及RDL层；多个芯片分别正面贴装于绝缘布线层且相互间隔分布；金属化层连续设置于各个芯片的背面和周壁，金属化层位于任意相邻两个芯片之间的部位均形成凹槽，每个凹槽内均设有填充料；RDL层设于绝缘布线层，且具有与各个凹槽分别对齐的多个电路图形区域，至少一个电路图形区域与相应凹槽的槽底连接并导通金属化层；其中，各个芯片的背面基于金属化层和填充料形成重构平面。本发明提供的金属化结构，不仅能够实现多芯片的互联共地和均匀散热，而且还能够避免芯片间的信号串扰问题。
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