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公开(公告)号：CN112687616A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011551749.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明适用于微波组件技术领域，提供了一种射频管壳的制备方法及射频管壳，包括：在基板上溅射多层金属得到第一种子层，在第一种子层上第一区域和第二区域上电镀金分别制备金导体层；去除金导体层区域外的第一种子层，在第一区域与第二区域之间制备薄膜电阻，得到第一样品；对第一样品采用第一预设温度烘烤并空气退火，得到第二样品；在第二样品的表面溅射多层金属得到第二种子层，在第二种子层上电镀铜制备铜导体层；在第三区域中的第四区域上再次电镀铜，加高铜导体层；去除铜导体层区域外的第二种子层。本发明完成高精度金导体层制备，从而实现高密度布线，通过制备铜导体层叠加金导体层的叠加结构，防止电迁移，保证器件长期稳定性。
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公开(公告)号：CN112687616B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011551749.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明适用于微波组件技术领域，提供了一种射频管壳的制备方法及射频管壳，包括：在基板上溅射多层金属得到第一种子层，在第一种子层上第一区域和第二区域上电镀金分别制备金导体层；去除金导体层区域外的第一种子层，在第一区域与第二区域之间制备薄膜电阻，得到第一样品；对第一样品采用第一预设温度烘烤并空气退火，得到第二样品；在第二样品的表面溅射多层金属得到第二种子层，在第二种子层上电镀铜制备铜导体层；在第三区域中的第四区域上再次电镀铜，加高铜导体层；去除铜导体层区域外的第二种子层。本发明完成高精度金导体层制备，从而实现高密度布线，通过制备铜导体层叠加金导体层的叠加结构，防止电迁移，保证器件长期稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112259532B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202011059954.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/16 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/552
Abstract: 本发明提供了一种微波毫米波封装器件，属于芯片封装技术领域，包括金属管壳、基板以及多个屏蔽罩；其中，金属管壳的侧壁设有输入连接器和输出连接器；基板设于金属管壳内部，基板内部设有电路网络，电路网络与输入连接器和输出连接器分别电连接；基板上贴装有多个分别与电路网络电连接的片式元件，还设有多个分别与电路网络电连接的高频芯片；多个屏蔽罩分别罩设于各个高频芯片上，并与基板焊接固定。本发明提供的微波毫米波封装器件，采用屏蔽罩集成装配于基板上的方式，集成度高，有利于实现微波毫米波封装器件的小型化设计，且能够简化金属管壳的结构，降低加工成本。本发明还提供了一种制作上述微波毫米波封装器件的方法。
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公开(公告)号：CN113913876A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111050628.9
申请日：2021-09-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种金属内部高精度加工成型方法，所述金属内部高精度加工成型方法首先加工出与需要成型的零件的内孔结构相同的芯体，然后对芯体进行电镀，使得芯体外包裹一定厚度的电镀层，再然后通过加工电镀层，加工出需要成型的零件的外部结构，最后通过腐蚀液将芯体腐蚀，但是电镀层不与腐蚀液反应，加工出需要成型的零件的内孔。本发明提供的金属内部高精度加工成型方法只需要电镀设备及加工机床等常规加工设备便能实现不规则内孔类零件的加工成型，无需购买昂贵的3D打印设备。
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公开(公告)号：CN113913876B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111050628.9
申请日：2021-09-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种金属内部高精度加工成型方法，所述金属内部高精度加工成型方法首先加工出与需要成型的零件的内孔结构相同的芯体，然后对芯体进行电镀，使得芯体外包裹一定厚度的电镀层，再然后通过加工电镀层，加工出需要成型的零件的外部结构，最后通过腐蚀液将芯体腐蚀，但是电镀层不与腐蚀液反应，加工出需要成型的零件的内孔。本发明提供的金属内部高精度加工成型方法只需要电镀设备及加工机床等常规加工设备便能实现不规则内孔类零件的加工成型，无需购买昂贵的3D打印设备。
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公开(公告)号：CN112259532A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011059954.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/16 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/552
Abstract: 本发明提供了一种微波毫米波封装器件，属于芯片封装技术领域，包括金属管壳、基板以及多个屏蔽罩；其中，金属管壳的侧壁设有输入连接器和输出连接器；基板设于金属管壳内部，基板内部设有电路网络，电路网络与输入连接器和输出连接器分别电连接；基板上贴装有多个分别与电路网络电连接的片式元件，还设有多个分别与电路网络电连接的高频芯片；多个屏蔽罩分别罩设于各个高频芯片上，并与基板焊接固定。本发明提供的微波毫米波封装器件，采用屏蔽罩集成装配于基板上的方式，集成度高，有利于实现微波毫米波封装器件的小型化设计，且能够简化金属管壳的结构，降低加工成本。本发明还提供了一种制作上述微波毫米波封装器件的方法。
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公开(公告)号：CN112614808A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011496720.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/498
Abstract: 本发明适用于陶瓷电路板薄膜金属层刻蚀技术领域，提供了一种薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构，该方法包括：通过在陶瓷基板的上下表面沉积金属种子层；在所述金属种子层上表面的预留线路图形的位置制备金属图形，且任意相邻的第一金属图形与第二金属图形之间的间隔的深度与宽度比大于预设阈值；采用激光束刻蚀所述间隔中的底面的金属种子层。本发明中通过采用激光束刻蚀高深宽比图像之间的金属种子层，刻蚀精度高，且不存在湿法刻蚀中的钻蚀现象。
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