公开(公告)号：CN112614808A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011496720.3

申请日：2020-12-17

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 唐晓赫 ,  李仕俊 ,  常青松 ,  姜永娜 ,  袁彪 ,  刘晓红 ,  杨阳阳 ,  屈建洋 ,  韩宏远 ,  刘文涛 ,  董占红 ,  席红英 ,  侯小鹏 ,  梁楚楚 ,  安丽丽

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明适用于陶瓷电路板薄膜金属层刻蚀技术领域，提供了一种薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构，该方法包括：通过在陶瓷基板的上下表面沉积金属种子层；在所述金属种子层上表面的预留线路图形的位置制备金属图形，且任意相邻的第一金属图形与第二金属图形之间的间隔的深度与宽度比大于预设阈值；采用激光束刻蚀所述间隔中的底面的金属种子层。本发明中通过采用激光束刻蚀高深宽比图像之间的金属种子层，刻蚀精度高，且不存在湿法刻蚀中的钻蚀现象。