-
公开(公告)号：CN111009520A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911154973.X
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/18 , H01L23/488 , H01L21/98
Abstract: 本发明适用于半导体芯片技术领域，提供了一种3D集成芯片及其制备方法。其中，所述3D集成芯片包括上下堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片的焊盘上制备有焊料凸点；所述第二芯片的芯片表面设置有再布线有机介质层，所述再布线有机介质层上沉积有重布线金属层，所述重布线金属层上设置有外介质层，所述外介质层具有开孔，所述开孔处沉积电镀有新焊盘，所述第二焊盘通过所述重布线金属层与所述第二芯片的原焊盘连接；所述新焊盘与所述焊料凸点之间通过钉头凸点焊接固定。本发明能够有效缓解3D集成芯片堆叠结构的热应力，提升了3D集成芯片的可靠性。
-
公开(公告)号：CN118584160A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410600224.X
申请日：2024-05-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李军凯 , 李晓光 , 吴立丰 , 孙磊磊 , 袁彪 , 刘丙凯 , 常青松 , 郝晓博 , 李占鹏 , 何普 , 杨东旭 , 靳英策 , 安加林 , 樊泽培 , 王凯 , 杨彦锋 , 胡欣媛
Abstract: 本发明提供一种探针测试设备的点动功能控制装置。该装置包括：键盘与控制器；键盘与控制器连接，控制器与目标探针测试设备连接；键盘设有速度设置键和方向键；控制器，用于识别用户通过键盘输入的速度设置键和方向键的组合按键操作，并基于速度设置键和方向键的组合按键操作，控制目标探针测试设备按照预设速度向目标方向移动；预设速度由速度设置键指示，目标方向由方向键指示。本发明相比于硬件摇杆控制方式，键盘进行控制能实现目标探针测试设备全方位灵活运动，当需要控制目标探针测试设备移动时，只需要在按压相应的键盘按键。相比于软件按键控制方式，键盘控制比鼠标控制更加精确，能够减少误触的概率。
-
公开(公告)号：CN109877411A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910285225.9
申请日：2019-04-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种无助焊剂的微电路焊接组装方法，包括以下步骤：使用助焊剂对焊片进行去氧化；清洗去氧化后的焊片；使用清洗干燥后的焊片，在氮气氛围下将基板焊接在载体上。本发明提供的无助焊剂的微电路焊接组装方法，焊接过程仅在氮气氛围下进行，焊接过程不引入助焊剂或酸性气体，焊接后不需要再进行清洗，可降低焊接空洞，也能在一定程度上提升产品的成品率以及可靠性。
-
公开(公告)号：CN111029267B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201911155649.X
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/607 , H01L23/488
Abstract: 本发明适用于倒装芯片技术领域，提供了一种倒装互连结构的制备方法，用于实现第一芯片与第二芯片的倒装互连，其中，所述制备方法包括：在第一芯片的焊盘上制备焊料凸点；在第二芯片的焊盘上制备钉头凸点；将所述第一芯片倒装在所述第二芯片上，使所述焊料凸点与所述钉头凸点融合焊接，形成所述第一芯片与所述第二芯片的倒装互连结构。本发明提供的制备方法无需精准控制电镀焊料凸点或铜柱的厚度，降低了工艺难度；并且，增加了芯片之间的连接高度，可以使上、下层芯片之间难以产生信号串扰和难以形成小腔体谐振，实现了金属凸点在高频高速芯片3D堆叠集成方面的应用。
-
公开(公告)号：CN111029266B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201911154978.2
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明适用于倒装芯片技术领域，提供了一种制备钉头凸点的方法及钉头凸点。其中，所述方法包括：在金属丝的尾端熔出第一金属球；将所述第一金属球焊接在载体上的预设位置，形成第一凸点；在所述金属丝与所述第一凸点的连接处熔出第二金属球，并将所述第二金属球焊接在所述第一凸点上，形成第二凸点；断开所述金属丝与所述第二凸点的连接，在所述载体上的预设位置处形成包含所述第一凸点和所述第二凸点的钉头凸点。通过本发明所提供的方法制备的钉头凸点具备一定的高度，使得钉头凸点在高频芯片3D堆叠集成方面也可以得到较好的应用，从而扩展了钉头凸点的应用范围。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687616A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011551749.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明适用于微波组件技术领域，提供了一种射频管壳的制备方法及射频管壳，包括：在基板上溅射多层金属得到第一种子层，在第一种子层上第一区域和第二区域上电镀金分别制备金导体层；去除金导体层区域外的第一种子层，在第一区域与第二区域之间制备薄膜电阻，得到第一样品；对第一样品采用第一预设温度烘烤并空气退火，得到第二样品；在第二样品的表面溅射多层金属得到第二种子层，在第二种子层上电镀铜制备铜导体层；在第三区域中的第四区域上再次电镀铜，加高铜导体层；去除铜导体层区域外的第二种子层。本发明完成高精度金导体层制备，从而实现高密度布线，通过制备铜导体层叠加金导体层的叠加结构，防止电迁移，保证器件长期稳定性。
-
公开(公告)号：CN111128769A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911202959.2
申请日：2019-11-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种球栅阵列封装的植球结构及植球方法，属于芯片封装技术领域，球栅阵列封装的植球结构包括基板、焊盘层、中心铜核球阵列以及常规焊球组；其中，基板的正面用于粘接大功率芯片，基板上穿设有用于导通基板的正面和背面的导柱；焊盘层设于基板的背面，焊盘层与基板的正面导通并与大功率芯片通过引线连接；中心铜核球阵列植于焊盘层上，中心铜核球阵列的位置用于与大功率芯片的背面对齐；常规焊球组植于焊盘层上并成环型围绕于中心铜核球阵列的周围。本发明提供的一种球栅阵列封装的植球结构及值球方法，中心铜核球阵列能够快速散热、常规焊球组能够辅助缓解热应力，在未增加散热结构体积的情况下提高了球栅阵列封装的散热能力。
-
公开(公告)号：CN111029267A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911155649.X
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/607 , H01L23/488
Abstract: 本发明适用于倒装芯片技术领域，提供了一种倒装互连结构的制备方法，用于实现第一芯片与第二芯片的倒装互连，其中，所述制备方法包括：在第一芯片的焊盘上制备焊料凸点；在第二芯片的焊盘上制备钉头凸点；将所述第一芯片倒装在所述第二芯片上，使所述焊料凸点与所述钉头凸点融合焊接，形成所述第一芯片与所述第二芯片的倒装互连结构。本发明提供的制备方法无需精准控制电镀焊料凸点或铜柱的厚度，降低了工艺难度；并且，增加了芯片之间的连接高度，可以使上、下层芯片之间难以产生信号串扰和难以形成小腔体谐振，实现了金属凸点在高频高速芯片3D堆叠集成方面的应用。
-
公开(公告)号：CN111029266A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911154978.2
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明适用于倒装芯片技术领域，提供了一种制备钉头凸点的方法及钉头凸点。其中，所述方法包括：在金属丝的尾端熔出第一金属球；将所述第一金属球焊接在载体上的预设位置，形成第一凸点；在所述金属丝与所述第一凸点的连接处熔出第二金属球，并将所述第二金属球焊接在所述第一凸点上，形成第二凸点；断开所述金属丝与所述第二凸点的连接，在所述载体上的预设位置处形成包含所述第一凸点和所述第二凸点的钉头凸点。通过本发明所提供的方法制备的钉头凸点具备一定的高度，使得钉头凸点在高频芯片3D堆叠集成方面也可以得到较好的应用，从而扩展了钉头凸点的应用范围。
-
公开(公告)号：CN118073302A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410107344.6
申请日：2024-01-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/552 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种金属化结构及其制备方法、Fanout封装器件，包括绝缘布线层、多个芯片、金属化层，以及RDL层；多个芯片分别正面贴装于绝缘布线层且相互间隔分布；金属化层连续设置于各个芯片的背面和周壁，金属化层位于任意相邻两个芯片之间的部位均形成凹槽，每个凹槽内均设有填充料；RDL层设于绝缘布线层，且具有与各个凹槽分别对齐的多个电路图形区域，至少一个电路图形区域与相应凹槽的槽底连接并导通金属化层；其中，各个芯片的背面基于金属化层和填充料形成重构平面。本发明提供的金属化结构，不仅能够实现多芯片的互联共地和均匀散热，而且还能够避免芯片间的信号串扰问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.028 seconds)
