公开(公告)号：CN111029267B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201911155649.X

申请日：2019-11-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 杨彦锋 ,  徐达 ,  常青松 ,  张延青 ,  任若松 ,  刘晓红 ,  崔玉发 ,  任健 ,  吉红霞 ,  苏辰飞 ,  王云飞 ,  郭丰强 ,  马伟宾

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/607 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明适用于倒装芯片技术领域，提供了一种倒装互连结构的制备方法，用于实现第一芯片与第二芯片的倒装互连，其中，所述制备方法包括：在第一芯片的焊盘上制备焊料凸点；在第二芯片的焊盘上制备钉头凸点；将所述第一芯片倒装在所述第二芯片上，使所述焊料凸点与所述钉头凸点融合焊接，形成所述第一芯片与所述第二芯片的倒装互连结构。本发明提供的制备方法无需精准控制电镀焊料凸点或铜柱的厚度，降低了工艺难度；并且，增加了芯片之间的连接高度，可以使上、下层芯片之间难以产生信号串扰和难以形成小腔体谐振，实现了金属凸点在高频高速芯片3D堆叠集成方面的应用。

公开(公告)号：CN111029267A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911155649.X

申请日：2019-11-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 杨彦锋 ,  徐达 ,  常青松 ,  张延青 ,  任若松 ,  刘晓红 ,  崔玉发 ,  任健 ,  吉红霞 ,  苏辰飞 ,  王云飞 ,  郭丰强 ,  马伟宾

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/607 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明适用于倒装芯片技术领域，提供了一种倒装互连结构的制备方法，用于实现第一芯片与第二芯片的倒装互连，其中，所述制备方法包括：在第一芯片的焊盘上制备焊料凸点；在第二芯片的焊盘上制备钉头凸点；将所述第一芯片倒装在所述第二芯片上，使所述焊料凸点与所述钉头凸点融合焊接，形成所述第一芯片与所述第二芯片的倒装互连结构。本发明提供的制备方法无需精准控制电镀焊料凸点或铜柱的厚度，降低了工艺难度；并且，增加了芯片之间的连接高度，可以使上、下层芯片之间难以产生信号串扰和难以形成小腔体谐振，实现了金属凸点在高频高速芯片3D堆叠集成方面的应用。