公开(公告)号：CN112687617A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011551776.4

申请日：2020-12-24

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李仕俊 ,  张延青 ,  徐达 ,  常青松 ,  王乔楠 ,  李增路 ,  魏少伟 ,  许景通 ,  李秀琴 ,  胡占奎 ,  梁红春 ,  李壮壮 ,  于瑞红 ,  康彦红 ,  杨亚帅

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种绝缘子针的制备方法及绝缘子针，该方法包括：分别在上基板和下基板上制备阵列方式排列的多个过孔，并在上基板和下基板的表面以及过孔内溅射种子层；通过逐层电镀的方式，在溅射种子层的上基板和下基板的过孔内、上下表面电镀预设高度的金属；刻蚀掉电镀后的上基板和下基板上未电镀区域的种子层；在刻蚀后的上基板和下基板的金属表面制备保护层；将制备保护层的上基板的第一围墙和制备保护层的下基板的第三围墙对应键合，形成空气同轴绝缘子针。本发明绝缘子针的针间距一体化设计，可以提高金属管壳高密度互联的需求，且在绝缘子针表面形成安装面，使射频端就近接地隔离，损耗小且高频特性好。

公开(公告)号：CN112687617B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202011551776.4

申请日：2020-12-24

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李仕俊 ,  张延青 ,  徐达 ,  常青松 ,  王乔楠 ,  李增路 ,  魏少伟 ,  许景通 ,  李秀琴 ,  胡占奎 ,  梁红春 ,  李壮壮 ,  于瑞红 ,  康彦红 ,  杨亚帅

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种绝缘子针的制备方法及绝缘子针，该方法包括：分别在上基板和下基板上制备阵列方式排列的多个过孔，并在上基板和下基板的表面以及过孔内溅射种子层；通过逐层电镀的方式，在溅射种子层的上基板和下基板的过孔内、上下表面电镀预设高度的金属；刻蚀掉电镀后的上基板和下基板上未电镀区域的种子层；在刻蚀后的上基板和下基板的金属表面制备保护层；将制备保护层的上基板的第一围墙和制备保护层的下基板的第三围墙对应键合，形成空气同轴绝缘子针。本发明绝缘子针的针间距一体化设计，可以提高金属管壳高密度互联的需求，且在绝缘子针表面形成安装面，使射频端就近接地隔离，损耗小且高频特性好。