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公开(公告)号：CN117856810A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410036026.5
申请日：2024-01-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 肖宁 , 宋学峰 , 王磊 , 周彪 , 戈江娜 , 徐达 , 郭丰强 , 赵晨安 , 李贺斌 , 胡欣媛 , 郭君 , 刘爱平 , 方利 , 王坤 , 刘文豹 , 郭立涛 , 陈南庭 , 崔亮 , 刘晓莉 , 李亚丽 , 刘方罡 , 杨琦
Abstract: 本发明提供一种有源相控阵T/R组件、组装方法及无线收发系统。该组件包括射频模块、电源模块和集合口模块；射频模块分别与电源模块和集合口模块连接；射频模块设置有射频天线接口，集合口模块设置有射频集合接口，电源模块设置有电源控制接口；射频天线接口、射频集合接口和电源控制接口均为可插拔式接口；射频天线接口、射频集合接口和电源控制接口均指向同一方向。本申请中的射频天线接口、射频集合接口和电源控制接口均为可插拔式接口，方便装配和拆卸，同时这三个接口均指向同一方向，可以将该T/R组件直接与有源相控阵整机结构进行可插拔式装配和拆卸，可以简化有源相控阵T/R组件和有源相控阵整机结构的装配与拆卸过程。
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公开(公告)号：CN114285490B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111613900.X
申请日：2021-12-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B10/70 , H04B10/69 , H04B10/548 , H04B10/516 , H04B10/2537
Abstract: 本发明提供一种相位噪声优化装置及优化方法，该装置包括：电光调制器用于将微波源发射的目标信号调制到由可调谐激光器产生的光载波信号上，形成目标射频信号，目标射频信号经过光纤传入高非线性光纤；光环行器用于将泵浦激光器发射的泵浦光信号反向传入高非线性光纤内；高非线性光纤用于在满足布里渊散射条件时，泵浦光信号在高非线性光纤内激发产生斯托克斯波，且斯托克斯波在传输中产生受激布里渊散射损耗谱；其中，目标射频信号在目标频偏处的相位噪声由微波源产生的相位噪声和受激布里渊散射损耗谱共同决定。本发明能够利用受激布里渊散射损耗谱降低目标射频信号的目标频偏处的相位噪声，达到相噪优化的目的。
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公开(公告)号：CN111370831A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010206505.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种脊波导与玻珠的连接结构及微波器件，属于微波封装技术领域，包括脊波导本体和玻珠，脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体，所述脊体上设有开槽；玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体相连的探针，所述探针伸入所述开槽内，所述玻珠借助所述探针与所述脊波导连接。本发明提供的脊波导与玻珠的连接结构，由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接，避免了焊接过程中的应力形变和造成的应力损伤，由于探针直接插入开槽中，利用开槽的收缩应力可以将探针夹紧，实现一定的弹性接触，在应用的器件工作时，可以具有一定的调节性，避免产生应力损伤，使得连接可靠，保证器件的平稳运行。
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公开(公告)号：CN111370831B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202010206505.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种脊波导与玻珠的连接结构及微波器件，属于微波封装技术领域，包括脊波导本体和玻珠，脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体，所述脊体上设有开槽；玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体相连的探针，所述探针伸入所述开槽内，所述玻珠借助所述探针与所述脊波导连接。本发明提供的脊波导与玻珠的连接结构，由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接，避免了焊接过程中的应力形变和造成的应力损伤，由于探针直接插入开槽中，利用开槽的收缩应力可以将探针夹紧，实现一定的弹性接触，在应用的器件工作时，可以具有一定的调节性，避免产生应力损伤，使得连接可靠，保证器件的平稳运行。
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公开(公告)号：CN117373727A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311309089.5
申请日：2023-10-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李仕俊 , 孔令甲 , 杨阳阳 , 袁彪 , 王建 , 唐晓赫 , 徐达 , 常青松 , 史光华 , 王真 , 王胜奎 , 戈江娜 , 王二超 , 许向前 , 王旭东 , 张磊 , 马成龙 , 吴浩宇
Abstract: 本发明提供一种超宽带高频互联结构及制备方法，包括从下到上依次层叠设置的底层导电层、形变金属层和键合互联金属层，且底层导电层的两端分别和键合互联金属层的两端连接；形变金属层包括层叠设置的至少一个第一子金属层和至少一个第二子金属层，且第一子金属层和第二子金属层的热应力不同；键合互联金属层的两端、形变金属层的两端以及底层导电层的两端均向靠近键合互联金属层上表面的中间位置弯曲，且该弯曲是基于第一子金属层和第二子金属层的热应力不同形成的自然变形。本发明提供的互联结构强度高一致性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107484350A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710826089.0
申请日：2017-09-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H05K3/303 , H05K1/113 , H05K3/32 , H05K2201/10212
Abstract: 本发明公开了一种微波器件及其装配方法，涉及电子元器件技术领域。所述器件包括盒体，所述盒体内固定有PCB板，所述PCB板与所述盒体相连接的一面设有绝缘介质层，所述绝缘介质层的上表面设有PCB图形，所述绝缘介质层上设有若干个贯穿其上下面的通孔，所述通孔的侧壁具有金属化层，每个通孔内金属化层围合的空间使用树脂进行填充，金属化层与树脂构成焊盘结构，芯片固定在所述焊盘的上表面，芯片的背面通过所述金属化层与所述盒体连接，所述芯片的接线端通过键合金丝与所述PCB图形连接。所述器件具有带线间距小，成本低，无需应力过渡，装配简单、效率高的优点。
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公开(公告)号：CN117374002A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311297414.0
申请日：2023-10-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , C25D5/02 , C25D5/12
Abstract: 本发明实施例提供一种金铝互联传输线及其制备方法，涉及半导体封装技术领域。本发明通过在临时基板上电镀制备长度大于等于金铝焊盘间距的金传输带，在金传输带上制备镍阻挡层、铝焊盘，去除临时基板后得到带状金铝互联传输线。带状金铝互联传输线用于柔性连接独立芯片的铝焊盘与电路板的金焊盘，一端的铝焊盘连接独立芯片的铝焊盘，另一端的金传输带连接电路板的金焊盘。如此可实现单个独立芯片的铝焊盘与电路板的金焊盘之间互联。进一步的，通过在金层和铝层之间设置镍阻挡层，隔绝金铝界面，减少了金铝扩散，在实现独立芯片与电路板的异种金属互联的同时，减小了金铝界面失效风险，增加了金铝互联可靠性。
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公开(公告)号：CN114285490A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111613900.X
申请日：2021-12-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B10/70 , H04B10/69 , H04B10/548 , H04B10/516 , H04B10/2537
Abstract: 本发明提供一种相位噪声优化装置及优化方法，该装置包括：电光调制器用于将微波源发射的目标信号调制到由可调谐激光器产生的光载波信号上，形成目标射频信号，目标射频信号经过光纤传入高非线性光纤；光环行器用于将泵浦激光器发射的泵浦光信号反向传入高非线性光纤内；高非线性光纤用于在满足布里渊散射条件时，泵浦光信号在高非线性光纤内激发产生斯托克斯波，且斯托克斯波在传输中产生受激布里渊散射损耗谱；其中，目标射频信号在目标频偏处的相位噪声由微波源产生的相位噪声和受激布里渊散射损耗谱共同决定。本发明能够利用受激布里渊散射损耗谱降低目标射频信号的目标频偏处的相位噪声，达到相噪优化的目的。
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公开(公告)号：CN110021831A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910307908.X
申请日：2019-04-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于射频或微波技术领域，提供了一种微波垂直过渡连接结构和微波器件，该微波垂直过渡连接结构包括：上腔体电路基板和下腔体电路基板分别固定在金属盒体隔墙上下两侧表面的对应位置上；连接模块用于连接上腔体电路基板和下腔体电路基板，可解决不同空间微波信号垂直互联技术，可集成微波信号、低频信号和电源信号互联，使用频率可覆盖DC-40GHz，而且互联集成度高。
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公开(公告)号：CN118719695A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411024146.X
申请日：2024-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 张泽丰 , 徐达 , 袁彪 , 魏少伟 , 刘凡 , 乔家辉 , 许景通 , 戈江娜 , 徐楷轩 , 马紫成 , 李素娜 , 王凯 , 石亚娜 , 张学仁 , 王二超 , 霍现荣 , 左国森
Abstract: 本发明提供了一种汽相清洗装置及汽相清洗方法，属于微电子技术领域，包括清洗槽以及鼓泡装置，鼓泡装置设置于清洗槽内；鼓泡装置包括鼓泡管、连接于鼓泡管的输入管以及支撑于鼓泡管的支脚；鼓泡管上设置有向下开口的气孔；输入管伸出清洗槽，鼓泡管通过支脚支撑在清洗槽的槽底上。所述汽相清洗方法包括：将需要清洗的三维叠层结构放入烷烃溶剂中浸泡，进行预处理，有利于鼓泡清洗将助焊剂去除；将经浸泡的三维叠层结构取出，放入提篮传送到清洗槽，经输入管输入氮气开启鼓泡，进行鼓泡清洗。本发明能够将三维叠层结构中的助焊剂清洗干净。
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