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公开(公告)号：CN111370831B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202010206505.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种脊波导与玻珠的连接结构及微波器件，属于微波封装技术领域，包括脊波导本体和玻珠，脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体，所述脊体上设有开槽；玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体相连的探针，所述探针伸入所述开槽内，所述玻珠借助所述探针与所述脊波导连接。本发明提供的脊波导与玻珠的连接结构，由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接，避免了焊接过程中的应力形变和造成的应力损伤，由于探针直接插入开槽中，利用开槽的收缩应力可以将探针夹紧，实现一定的弹性接触，在应用的器件工作时，可以具有一定的调节性，避免产生应力损伤，使得连接可靠，保证器件的平稳运行。
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公开(公告)号：CN117747545A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311735431.8
申请日：2023-12-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/768 , H01L25/065 , H01L25/00
Abstract: 本申请适用于限幅器技术领域，提供了限幅器MMIC芯片及其制备方法。该限幅器MMIC芯片的制备方法包括：在硅基晶圆的上表面制备PIN二极管；在已制备PIN二极管的硅基晶圆的上表面制备绝缘介质层；将绝缘介质层与PIN二极管的P极区域和接地焊盘区域对应的部分刻蚀掉，并对硅基晶圆与接地焊盘区域对应的部分继续刻蚀至硅基晶圆的N+层；通过电镀金属在PIN二极管的P极区域和接地焊盘区域制备PIN二极管的上电极与接地焊盘；在硅基晶圆的上表面制备外围电路；在硅基晶圆的下表面制备PIN二极管的下电极；在外围电路上的植球焊盘上制备金球凸点；将GaN肖特基二级管芯片倒装焊接在植球焊盘上。本申请制备的芯片集成度高、体积小。
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公开(公告)号：CN111370831A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010206505.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种脊波导与玻珠的连接结构及微波器件，属于微波封装技术领域，包括脊波导本体和玻珠，脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体，所述脊体上设有开槽；玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体相连的探针，所述探针伸入所述开槽内，所述玻珠借助所述探针与所述脊波导连接。本发明提供的脊波导与玻珠的连接结构，由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接，避免了焊接过程中的应力形变和造成的应力损伤，由于探针直接插入开槽中，利用开槽的收缩应力可以将探针夹紧，实现一定的弹性接触，在应用的器件工作时，可以具有一定的调节性，避免产生应力损伤，使得连接可靠，保证器件的平稳运行。
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公开(公告)号：CN118316406A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410325465.8
申请日：2024-03-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 高长征 , 孙一航 , 邓世雄 , 罗建 , 陈书宾 , 刘飞飞 , 孙计永 , 王生明 , 王磊 , 宋学峰 , 周彪 , 王乔楠 , 马维龙 , 陈帅 , 李丰 , 郭丰强 , 肖宁 , 吴波
Abstract: 本发明提供一种碳化硅基半有源耦合检波限幅器及其组件，该限幅器包括上层芯片和下层芯片。上层芯片包括硅基PIN二极管。下层芯片包括碳化硅衬底、碳化硅肖特基二极管和辅助电路。碳化硅肖特基二极管和辅助电路通过芯片制造工艺制备在碳化硅衬底上，其中，辅助电路包括耦合器、匹配电路和键合焊盘。硅基PIN二极管通过键合焊盘键合在碳化硅衬底上。本发明实施例将功率容量大的硅基PIN二极管与热导率高的碳化硅基肖特基二极管相结合，在确保限幅器高耐受功率的同时，大幅度缩小电路尺寸，提升了集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116155225A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310146525.5
申请日：2023-02-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于无线电系统电路技术领域，提供了一种滤波限幅器及雷达接收系统。该滤波限幅器包括：输入谐振单元、中间谐振单元和输出谐振单元；输入谐振单元包括第一电感；输出谐振单元包括第二电感；中间谐振单元包括第三电感和第四电感；第一电感、第二电感、第三电感和第四电感中至少一个为铁氧体电感；输入谐振单元的第一端与信号输入端相连接，第二端与中间谐振单元的第一端相连接；中间谐振单元的第二端与输出谐振单元的第一端相连接；输出谐振单元的第二端与信号输出端相连接。本申请能够能够兼顾小信号滤波器特性及大信号限幅特性，系统结构简单、尺寸小、成本低，能够提高系统抗干扰能力，同时具有大功率信号的防护能力。
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公开(公告)号：CN115642086A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211248092.6
申请日：2022-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/417
Abstract: 本申请提供一种基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法及PIN限幅器，该方法包括：在硅晶圆衬底制备多级PN结，得到N+层、多个P+层和多个I层区域；在每个P+层的上表面制备上电极；在N+层的下表面制备下电极；在N+层的上表面制备第一钝化层；在第一钝化层的上表面刻蚀多个凹槽至N+层，基于多个凹槽制备多个接地焊盘；在第一钝化层的上表面制备绝缘介质层；在绝缘介质层的上表面进行开窗，形成多个开孔；在绝缘介质层的上表面制备预设外围电路，在多个开孔内进行镀金处理，以使多个上电极和多个接地焊盘电连接预设外围电路。本申请采用单片化制备方法，使制备得到的基于硅基PIN二极管的PIN限幅器尺寸小且集成度高。
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公开(公告)号：CN115602539A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211248587.9
申请日：2022-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所(CN)
IPC: H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/417
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种硅基PIN二极管平面化制备方法及硅基PIN二极管，该方法包括：在硅晶圆衬底的上表面进行P+掺杂，形成第一预设直径的P+层；在硅晶圆衬底的下表面进行N+掺杂，形成N+层；对I层进行刻蚀，I层位于P+层与N+层之间，保留I层在P+层下的第二预设直径的I层区域；第一预设直径大于第二预设直径；将N+层的下表面减薄至预设厚度；在N+层上表面除I层区域与P+层的区域制备钝化层；在P+层上表面制备阳极焊盘；在钝化层上表面刻蚀多个凹槽至N+层，基于多个凹槽制备多个阴极焊盘。本申请平面化的硅基PIN二极管可以应用于高密度集成领域，缩小电子器件的尺寸，提高集成度。
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公开(公告)号：CN114244299A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111582737.5
申请日：2021-12-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G11/02
Abstract: 本发明适用于射频通信技术领域，提供了一种单向微波限幅器及发射装置，上述限幅器包括：双向耦合器、正向检波模块、泄放模块、扼流电感、PIN二极管、天线端及功率发射端；双向耦合器，第一主支路端与天线端连接，第二主支路端分别与扼流电感的第一端、PIN二极管的正极及功率发射端连接，第一耦合端与正向检波模块的输入端连接，第二耦合端与泄放模块的第一端连接；正向检波模块的输出端与扼流电感的第二端连接；PIN二极管的负极及泄放模块的第二端均接地。本发明根据双向耦合器的特性，当天线端注入大功率信号时，通过正向检波模块驱动PIN二极管导通，实现单向限幅。
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公开(公告)号：CN211655013U
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202020372736.2
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种脊波导与玻珠的连接结构及微波器件，属于微波封装技术领域，包括：脊波导本体和玻珠，脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体，所述脊体上设有开槽；玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体相连的探针，所述探针伸入所述开槽内，所述玻珠借助所述探针与所述脊波导连接。本实用新型提供的脊波导与玻珠的连接结构，由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接，避免了焊接过程中的应力形变和造成的应力损伤，由于探针直接插入开槽中，利用开槽的收缩应力可以将探针夹紧，实现一定的弹性接触，在应用的器件工作时，可以具有一定的调节性，避免产生应力损伤，使得连接可靠，保证器件的平稳运行。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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