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公开(公告)号：CN110768638A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911063248.1
申请日：2019-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明属于低中频接收系统技术领域，涉及一种单电压控制电调衰减电路和稳幅装置。所述电路包括：控制模块、第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块；控制模块将外部电源的电压转换为预设电压输出给第一衰减模块和第三衰减模块，且根据外部电源的电压向第二衰减模块输出导通电压；第一衰减模块和第三衰减模块在接收到预设电压后控制端电压均升高，第二衰减模块在接收到导通电压后控制端电压降低，射频信号经过第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块得到衰减信号。本发明具有结构简单、单电压控制、高输出P-1和适用频率范围大等优点，方便在低中频系统中的使用。
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公开(公告)号：CN109450399A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811257812.9
申请日：2018-10-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明公开了一种电调衰减电路，包括射频衰减模块和控制模块，射频衰减模块的输入端接入射频信号，射频衰减模块的输出端输出衰减信号，射频衰减模块的第一受控端和第二受控端分别与控制模块的第一输出端和第二输出端一一对应连接，控制模块的输入端接入控制信号。通过输入控制模块的控制信号的电压变化，使控制模块控制射频衰减模块对射频信号的衰减比例随之变化，实现了电调衰减的功能，结构简单，调节线性程度高，可靠性高。
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公开(公告)号：CN110768638B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201911063248.1
申请日：2019-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明属于低中频接收系统技术领域，涉及一种单电压控制电调衰减电路和稳幅装置。所述电路包括：控制模块、第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块；控制模块将外部电源的电压转换为预设电压输出给第一衰减模块和第三衰减模块，且根据外部电源的电压向第二衰减模块输出导通电压；第一衰减模块和第三衰减模块在接收到预设电压后控制端电压均升高，第二衰减模块在接收到导通电压后控制端电压降低，射频信号经过第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块得到衰减信号。本发明具有结构简单、单电压控制、高输出P‑1和适用频率范围大等优点，方便在低中频系统中的使用。
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公开(公告)号：CN118688154A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410878751.7
申请日：2024-07-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于光学元件无损检测技术领域，提供了一种同时检测光学元件折射率与镀膜反射率的测试系统及方法，该系统包括光学谐振腔、光纤、光谱仪和处理装置；光学谐振腔，用于在插入待测光学元件后形成复合腔，发出目标宽谱光源；光纤，用于将目标宽谱光源传入光谱仪；光谱仪，用于生成目标宽谱光源的目标光谱数据，并将目标光谱数据发送至处理装置；处理装置，用于基于目标光谱数据，确定目标宽谱光源的谱线宽度和谱线频率间隔；基于谱线频率间隔、预设角度和待测光学元件的厚度，确定待测光学元件的折射率；基于谱线宽度、折射率和厚度，确定待测光学元件的镀膜反射率。本发明通过一套光学体系同时测出反射率和折射率，能够提高测试效率和精度。
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公开(公告)号：CN115642086A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211248092.6
申请日：2022-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/417
Abstract: 本申请提供一种基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法及PIN限幅器，该方法包括：在硅晶圆衬底制备多级PN结，得到N+层、多个P+层和多个I层区域；在每个P+层的上表面制备上电极；在N+层的下表面制备下电极；在N+层的上表面制备第一钝化层；在第一钝化层的上表面刻蚀多个凹槽至N+层，基于多个凹槽制备多个接地焊盘；在第一钝化层的上表面制备绝缘介质层；在绝缘介质层的上表面进行开窗，形成多个开孔；在绝缘介质层的上表面制备预设外围电路，在多个开孔内进行镀金处理，以使多个上电极和多个接地焊盘电连接预设外围电路。本申请采用单片化制备方法，使制备得到的基于硅基PIN二极管的PIN限幅器尺寸小且集成度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115602539A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211248587.9
申请日：2022-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所(CN)
IPC: H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/417
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种硅基PIN二极管平面化制备方法及硅基PIN二极管，该方法包括：在硅晶圆衬底的上表面进行P+掺杂，形成第一预设直径的P+层；在硅晶圆衬底的下表面进行N+掺杂，形成N+层；对I层进行刻蚀，I层位于P+层与N+层之间，保留I层在P+层下的第二预设直径的I层区域；第一预设直径大于第二预设直径；将N+层的下表面减薄至预设厚度；在N+层上表面除I层区域与P+层的区域制备钝化层；在P+层上表面制备阳极焊盘；在钝化层上表面刻蚀多个凹槽至N+层，基于多个凹槽制备多个阴极焊盘。本申请平面化的硅基PIN二极管可以应用于高密度集成领域，缩小电子器件的尺寸，提高集成度。
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公开(公告)号：CN114244299A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111582737.5
申请日：2021-12-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G11/02
Abstract: 本发明适用于射频通信技术领域，提供了一种单向微波限幅器及发射装置，上述限幅器包括：双向耦合器、正向检波模块、泄放模块、扼流电感、PIN二极管、天线端及功率发射端；双向耦合器，第一主支路端与天线端连接，第二主支路端分别与扼流电感的第一端、PIN二极管的正极及功率发射端连接，第一耦合端与正向检波模块的输入端连接，第二耦合端与泄放模块的第一端连接；正向检波模块的输出端与扼流电感的第二端连接；PIN二极管的负极及泄放模块的第二端均接地。本发明根据双向耦合器的特性，当天线端注入大功率信号时，通过正向检波模块驱动PIN二极管导通，实现单向限幅。
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公开(公告)号：CN118067155A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410122147.1
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及惯性测量技术领域，提供一种陀螺仪的温度补偿方法及装置。该方法包括：对陀螺仪进行温度循环测试，得到测试参数；根据测试参数，确定陀螺仪的状态方程；根据状态方程，确定最优预估方程；获取陀螺仪的当前测试参数，并采用最优预估方程对当前测试参数进行补偿，得到陀螺仪补偿后的输出值。本发明能够过最优预估方程对陀螺仪的当前测试参数进行补偿，从而优化陀螺仪的零偏稳定性，提高陀螺仪的输出准确度。较现有技术中通过改变陀螺仪的材料、工艺、结构以及工作环境提高精度相比，本发明实施例提供的陀螺仪的温度补偿方法更加简单。
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公开(公告)号：CN109887904A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910304654.6
申请日：2019-04-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子组装技术领域，提供了一种毫米波芯片的封装结构及印刷电路板，所述毫米波芯片的封装结构，包括：用于承载所述毫米波芯片的芯片载板，以及，覆盖于所述芯片载板上与所述芯片载板之间形成至少一个金属腔体的芯片盖板，其中，所述金属腔体用于容纳所述毫米波芯片，所述芯片盖板上设置有延伸至所述金属腔体的金属脊。本发明提供的毫米波芯片的封装结构具备较好的空间隔离度，有利于提高所封装的毫米波芯片的射频性能。
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公开(公告)号：CN118091857A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410149581.9
申请日：2024-02-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于光纤阵列耦合技术领域，提供了一种光纤阵列耦合方法，包括：在对光纤阵列进行耦合前，将预设材料包覆在光纤阵列的光纤端面上，其中，预设材料为在第一温度下呈固相或液相、在第二温度下呈气相、且无液相或液相态绝缘的材料，且预设材料具有透光性；将包覆预设材料的光纤阵列置于耦合设备中进行耦合。本发明实施例在耦合过程中光纤阵列碰撞到周围器件时，可以利用预设材料保护光纤阵列的光纤端面，而且预设材料在第一温度下呈固相或液相，在第二温度下呈气相，也便于耦合完成后去除预设材料，对特种市场PIND要求严格的情况适应性更好。
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