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公开(公告)号：CN110868171B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910328541.X
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 田秀伟 , 李亮 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 李宏军 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器、晶片及谐振器制造方法。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和声镜对；所述上电极层和下电极层中的至少一者包括：电极层和温度补偿层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体、声镜对及温度补偿层，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN117279490A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311129459.7
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 杨志 , 董春晖 , 崔玉兴 , 王敬轩 , 韩孟序 , 王川宝 , 王帅 , 王敏 , 康建波 , 解涛 , 杨双龙 , 王利芹 , 商庆杰 , 李亮 , 张丹青 , 丁现朋 , 李庆伟 , 张发智 , 刘青林 , 刘冠廷 , 冯立东 , 于峰涛 , 宋红伟 , 任永晓 , 王国清 , 杜少博
IPC: H10N97/00
Abstract: 本发明提供一种硅基三维电容及其制作方法，其中制作方法包括在一硅衬底的表面制备一层介质掩膜层，并在介质掩膜层上刻蚀多个间隔排列的刻蚀微孔直至露出硅衬底；采用深硅刻蚀工艺，对多个间隔排列的刻蚀微孔进行刻蚀，以形成多个间隔排列的第一深孔；去除剩余的介质掩膜层，在形成有多个间隔排列的第一深孔的硅衬底上制备第一多晶硅层；采用深硅刻蚀工艺，对第一深孔内的第一多晶硅层进行刻蚀，以在第一深孔内的第一多晶硅层内形成第二深孔，且第二深孔的底面和侧面均设有第一多晶硅层；在第一硅衬底表面的第一多晶硅层上以及所有间隔排列的第二深孔内依次生长绝缘介质层、第二多晶硅层和电极层。本发明制备的硅基三维电容可以提高电容的密度。
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公开(公告)号：CN113612464B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202110752137.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域，提供一种阶梯型结构压电滤波器。该阶梯型结构压电滤波器包括输入端子、输出端子、接地端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器；第七薄膜体声波谐振器和第八薄膜体声波谐振器的一端依次连接在第一薄膜体声波谐振器至第三薄膜体声波谐振器之间的节点上；第九薄膜体声波谐振器和第十薄膜体声波谐振器的一端依次连接在第四薄膜体声波谐振器至第六薄膜体声波谐振器之间的节点上；且第八薄膜体声波谐振器的另一端与第九薄膜体声波谐振器的另一端连接后与接地端子连接。本发明提供的滤波器可允许特定频率的信号通过。
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公开(公告)号：CN113644894A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110743224.1
申请日：2021-06-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域，提供一种空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件，该滤波器包括输入端子、输出端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器；多个串联的薄膜体声波谐振器包括第一至第六薄膜体声波谐振器，串联连接在输入端子和输出端子之间；多个并联的薄膜体声波谐振器包括第七至第十薄膜体声波谐振器，第七、第八和第十薄膜体声波谐振器的一端分别连接在第一薄膜体声波谐振器和第二薄膜体声波谐振器之间、第三薄膜体声波谐振器和第四薄膜体声波谐振器之间、第五薄膜体声波谐振器和第六薄膜体声波谐振器之间的节点上，第九薄膜体声波谐振器和第八薄膜体声波谐振器串联，可允许特定频率的信号通过。
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公开(公告)号：CN113472313A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110743247.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H9/54
Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域，提供了一种阶梯型结构窄带FBAR滤波器，上述滤波器包括：输入端、输出端、接地端、多个串臂谐振器和多个并臂谐振器；多个串臂谐振器包括：依次串联连接在输入端和输出端之间的第一谐振器至第六谐振器；多个并臂谐振器包括：第七谐振器至第十二谐振器；第七谐振器，第一端与第一谐振器和第二谐振器的连接点连接，第二端通过第十谐振器与接地端连接；第八谐振器，第一端与第三谐振器和第四谐振器的连接点连接，第二端通过第十一谐振器与接地端连接；第九谐振器，第一端与第五谐振器和第六谐振器的连接点连接，第二端通过第十二谐振器与接地端连接。本发明提供的滤波器可允许特定频率的信号通过。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110868191A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910328576.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，所述压电层包括掺杂多种稀土元素的压电材料，用以改进压电层的压电特性，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868189A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910080487.1
申请日：2019-01-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器制作方法。该谐振器制作方法包括：对衬底进行预处理，形成预设厚度的介质层；对介质层的预设区域进行离子注入处理；对经过离子注入处理后的介质层进行刻蚀或腐蚀，形成牺牲材料部分；所述牺牲材料部分的形状为顶面为平面且竖截面呈桥状结构；在已形成牺牲材料部分的衬底上形成多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；去除所述牺牲材料部分。上述谐振器制作方法相对于传统的谐振器制作方法对谐振器工作区域的表面粗糙度更为容易控制。
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公开(公告)号：CN110868185A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910329117.7
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、掺杂压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述掺杂压电层包括掺杂有至少一种稀土元素的压电材料。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，以及在压电层掺杂至少一种稀土元素，形成了一种新型的体声波谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868183A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910328530.1
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器和滤波器。多层结构形成于衬底上，包括压电层、第一电极和第二电极；其中，第一电极和第二电极分别设置在压电层的两侧，所述第一电极包括第一导电层和第二导电层，所述第二电极包括第三导电层和第四导电层，第一电极和第二电极的声阻抗随距离压电层的距离增大而增大；同时，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，形成一种新型的谐振器结构，使谐振器具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868176A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910329126.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有内埋式温度补偿层的谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层，上、下电极层中分别设有温度补偿层；在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。该谐振器具有较好的性能，且温度补偿层补偿了压电层的负温度系数，增大了谐振器的耦合系数，压电层不会被温度补偿层中的材料污染，从而使谐振器的操作更稳定。
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