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公开(公告)号：CN118199544A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410219619.5
申请日：2024-02-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03H7/01
摘要： 本申请提供一种LC高通滤波器以及LC高通滤波器的制备方法。该滤波器包括：印刷电路板、至少一个平面螺旋电感、第一电容和第二电容、一个第三电容；印刷电路板印刷至少一个平面螺旋电感；至少一个第一电容和第二电容、一个第三电容均固定于印刷电路板；至少一个第一电容串联连接于LC高通滤波器的输入端与第三电容的第一端之间，第三电容的第二端与LC高通滤波器的输出端连接；相邻两个第一电容之间的连接端与一个第二电容的第一端连接，每个第二电容的第二端与一个平面螺旋电感的第一端连接，每个平面螺旋电感的第二端均接地；第三电容的第一端与一个第二电容的第一端连接。本申请能够保证LC高通滤波器的截止频率10倍频内的传输特性。
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公开(公告)号：CN115412056A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210960733.4
申请日：2022-08-11
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种滤波器件和滤波电路。该滤波器件包括：芯片滤波器、第一FBAR谐振器、第二FBAR谐振器、第一匹配电感、第二匹配电感和第三匹配电感；芯片滤波器、第一匹配电感、第一FBAR谐振器、第二FBAR谐振器和第二匹配电感依次串联连接；第三匹配电感一端连接于第一FBAR谐振器与第二FBAR谐振器之间，另一端接地；芯片滤波器的第一端为输入端，第二端与第一匹配电感连接；第二匹配电感悬空的一端为输出端；第一FBAR谐振器和第二FBAR谐振器的并联谐振频率在芯片滤波器的阻带近端的频率范围内。本发明能够通过设置Q值高的FBAR谐振器，在芯片滤波器的阻带近端产生传输零点、形成陷波，FBAR谐振器的并联谐振频率决定传输零点频率，提高了芯片滤波器的阻带近端抑制度。
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公开(公告)号：CN113644892A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110740544.1
申请日：2021-06-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明涉及滤波技术领域，提供了一种带通滤波器。该带通滤波器包括输入端、输出端、接地端、多个串臂谐振器和多个并臂谐振器；多个串臂谐振器包括依次串联连接在输入端和输出端之间的第一谐振器至第七谐振器；多个并臂谐振器包括第八谐振器、第九谐振器、第十谐振器和第十一谐振器，第八谐振器的一端连接在第一谐振器和第二谐振器之间，第九谐振器的一端连接在第三谐振器和第四谐振器之间，第十谐振器的一端连接在第五谐振器和第六谐振器之间，第十一谐振器的一端连接在第七谐振器和输出端之间，第八谐振器、第九谐振器、第十谐振器和第十一谐振器的另一端均连接接地端。上述带通滤波器提供FBAR带通滤波器的一种新型结构。
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公开(公告)号：CN111609915A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010447889.3
申请日：2020-05-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于水听器技术领域，提供了一种基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片，包括：键合连接的第一基片和第二基片；第一基片的键合面上设置一凹槽，与第二基片的键合面形成一真空腔；第二基片的第二面上与凹槽对应位置设置感应结构，第二基片的第二面为键合面对应的一面；第二基片的键合面上感应结构对应区域周围设置多个弹性梁结构，多个弹性梁结构位于真空腔的顶部，且多个弹性梁结构的边缘位置与真空腔的边缘位置对应。通过设置多个弹性梁结构，可以提高MEMS声压传感芯片的性能，且简化加工工艺、减小芯片体积。
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公开(公告)号：CN113612463B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110743234.5
申请日：2021-06-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明涉及滤波器技术领域，提供一种阶梯型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件，包括多个串联连接在输入端子和输出端子间的薄膜体声波谐振器包括第一薄膜体声波谐振器至第四薄膜体声波谐振器；多个并联的薄膜体声波谐振器一端分别连接在多个串联的薄膜体声波谐振器中相邻两个薄膜体声波谐振器之间的节点上，另一端连接接地端子。第一薄膜体声波谐振器与第五薄膜体声波谐振器的中心连线位于第二直线上，第二薄膜体声波谐振器和第六薄膜体声波谐振器的中心连线位于第三直线上，第四薄膜体声波谐振器和第八薄膜体声波谐振器的中心连线位于第四直线上。上述滤波器可允许特定频率的信号通过。
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公开(公告)号：CN115412055A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210960582.2
申请日：2022-08-11
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种滤波器件和滤波电路。该滤波器件包括：芯片滤波器、第一FBAR谐振器、第二FBAR谐振器、第一匹配电感、第二匹配电感和第三匹配电感；第一匹配电感、第二匹配电感、第三匹配电感和芯片滤波器依次串联连接；第一FBAR谐振器一端连接于第一匹配电感与第二匹配电感之间；第二FBAR谐振器一端连接于第二匹配电感与第三匹配电感之间；第一匹配电感悬空一端为输入端；芯片滤波器第一端与第三匹配电感连接第一FBAR谐振器和第二FBAR谐振器的串联谐振频率在芯片滤波器的阻带近端的频率范围内。本发明能够通过设置Q值高的FBAR谐振器，在芯片滤波器阻带近端产生传输零点、形成陷波，FBAR谐振器的串联谐振频率决定传输零点频率，提高了芯片滤波器的阻带近端抑制度。
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公开(公告)号：CN113644893A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110740553.0
申请日：2021-06-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明涉及滤波器技术领域，提供一种体声波滤波器及滤波器组件，包括串联连接在输入端子和输出端子之间的第一薄膜体声波谐振器、第二薄膜体声波谐振器、第三薄膜体声波谐振器、第四薄膜体声波谐振器、第五薄膜体声波谐振器、第六薄膜体声波谐振器和第七薄膜体声波谐振器；多个并联的薄膜体声波谐振器的一端并联连接在第一薄膜体声波谐振器和第二薄膜体声波谐振器、第三薄膜体声波谐振器至第五薄膜体声波谐振器、第六薄膜体声波谐振器和第七薄膜体声波谐振器之间的节点上，多个并联的薄膜体声波谐振器的另一端分别连接接地端子。上述滤波器可允许特定频率的信号通过。
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公开(公告)号：CN113612463A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110743234.5
申请日：2021-06-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明涉及滤波器技术领域，提供一种阶梯型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件，包括多个串联连接在输入端子和输出端子间的薄膜体声波谐振器包括第一薄膜体声波谐振器至第四薄膜体声波谐振器；多个并联的薄膜体声波谐振器一端分别连接在多个串联的薄膜体声波谐振器中相邻两个薄膜体声波谐振器之间的节点上，另一端连接接地端子。第一薄膜体声波谐振器与第五薄膜体声波谐振器的中心连线位于第二直线上，第二薄膜体声波谐振器和第六薄膜体声波谐振器的中心连线位于第三直线上，第四薄膜体声波谐振器和第八薄膜体声波谐振器的中心连线位于第四直线上。上述滤波器可允许特定频率的信号通过。
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公开(公告)号：CN113644894B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110743224.1
申请日：2021-06-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明涉及滤波器技术领域，提供一种空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件，该滤波器包括输入端子、输出端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器；多个串联的薄膜体声波谐振器包括第一至第六薄膜体声波谐振器，串联连接在输入端子和输出端子之间；多个并联的薄膜体声波谐振器包括第七至第十薄膜体声波谐振器，第七、第八和第十薄膜体声波谐振器的一端分别连接在第一薄膜体声波谐振器和第二薄膜体声波谐振器之间、第三薄膜体声波谐振器和第四薄膜体声波谐振器之间、第五薄膜体声波谐振器和第六薄膜体声波谐振器之间的节点上，第九薄膜体声波谐振器和第八薄膜体声波谐振器串联，可允许特定频率的信号通过。
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公开(公告)号：CN117954816A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410219940.3
申请日：2024-02-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P1/39
摘要： 本申请适用于无线通信领域中的射频和微波技术领域，提供了E面双匹配的Y形结波导环行器，该波导环行器包括：腔体、匹配块、铁氧体和磁钢；腔体的中央设有空腔，空腔的上下两面均设有一个Y形匹配块；两个匹配块相对的一端中央分别具有凸起，各凸起上分别设有一块铁氧体；腔体的外部的上下两面的中央均设有一块磁钢；腔体的外部具有相对的上表面和下表面，上表面具有衔接设置的第一台面和第二台面，第一台面相对于第二台面邻近上表面的中心，第一台面高于第二台面设置；腔体的外部具有垂直连接于上表面和下表面的侧表面；在靠近上表面的中心方向上，第一台面的宽度具有增大趋势。本申请提供的波导环形器可拓宽带宽、提高功率容量以及散热性能。
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