公开(公告)号：CN117954816A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410219940.3

申请日：2024-02-28

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 王洋 ,  张韶华 ,  于江涛 ,  张仕强 ,  吴浩宇 ,  王胜福 ,  杨亮 ,  傅琦 ,  肖宁 ,  梁毅 ,  高坤坤 ,  吴雪松 ,  陈祎航 ,  曹力元

IPC: H01P1/39

Abstract: 本申请适用于无线通信领域中的射频和微波技术领域，提供了E面双匹配的Y形结波导环行器，该波导环行器包括：腔体、匹配块、铁氧体和磁钢；腔体的中央设有空腔，空腔的上下两面均设有一个Y形匹配块；两个匹配块相对的一端中央分别具有凸起，各凸起上分别设有一块铁氧体；腔体的外部的上下两面的中央均设有一块磁钢；腔体的外部具有相对的上表面和下表面，上表面具有衔接设置的第一台面和第二台面，第一台面相对于第二台面邻近上表面的中心，第一台面高于第二台面设置；腔体的外部具有垂直连接于上表面和下表面的侧表面；在靠近上表面的中心方向上，第一台面的宽度具有增大趋势。本申请提供的波导环形器可拓宽带宽、提高功率容量以及散热性能。

公开(公告)号：CN115621688A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211248575.6

申请日：2022-10-12

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 高坤坤 ,  周少波 ,  王胜福 ,  张韶华 ,  周名齐 ,  朱毅凡 ,  汪晓龙 ,  曹力元 ,  张仕强 ,  厉建国 ,  尚跃港 ,  梁毅 ,  孙涛 ,  于亮

IPC: H01P1/20 ,  H01P1/212

Abstract: 本发明提供一种硅基MEMS滤波器，包括：在第一硅基板上表面的第一区域内设有一N阶滤波器、第一U型耦合线、第二U型耦合线、输入馈线和输出馈线；N阶滤波器的一端与第一U型耦合线的一侧连接，第一U型耦合线的另一侧与输入馈线连接；N阶滤波器的另一端与第二U型耦合线的一侧连接，第二U型耦合线的另一侧与输出馈线连接；在第二硅基板的上表面的第二区域内设有第一抑制谐振杆和第二抑制谐振杆，且第一抑制谐振杆垂直位于第一U型耦合线的正上方，第二抑制谐振杆垂直位于第二U型耦合线的正上方，第一U型耦合线和第二U型耦合线的开口方向分别为第一抑制谐振杆和第二抑制谐振杆的长度方向。本发明提供的硅基MEMS滤波器具有较高的矩形系数。

公开(公告)号：CN113472313A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110743247.2

申请日：2021-06-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 王胜福 ,  李丽 ,  李宏军 ,  张仕强 ,  王磊 ,  于江涛 ,  张韶华 ,  李亮 ,  梁东升 ,  王飞 ,  韩易 ,  张璇 ,  卞丽哲 ,  贾文霞

IPC: H03H9/54

Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域，提供了一种阶梯型结构窄带FBAR滤波器，上述滤波器包括：输入端、输出端、接地端、多个串臂谐振器和多个并臂谐振器；多个串臂谐振器包括：依次串联连接在输入端和输出端之间的第一谐振器至第六谐振器；多个并臂谐振器包括：第七谐振器至第十二谐振器；第七谐振器，第一端与第一谐振器和第二谐振器的连接点连接，第二端通过第十谐振器与接地端连接；第八谐振器，第一端与第三谐振器和第四谐振器的连接点连接，第二端通过第十一谐振器与接地端连接；第九谐振器，第一端与第五谐振器和第六谐振器的连接点连接，第二端通过第十二谐振器与接地端连接。本发明提供的滤波器可允许特定频率的信号通过。

公开(公告)号：CN111147038A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN202010043935.3

申请日：2020-01-15

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 杨亮 ,  张韶华 ,  厉建国 ,  林立涵 ,  王磊 ,  梁毅 ,  王乔楠

IPC: H03H7/09 ,  H03H7/075

Abstract: 本发明提供了一种可调集成立体电感及LC滤波器，该可调集成立体电感应用于电子元件技术领域，包括：所述可调集成立体电感集成于电路板，包括：集成设置在所述电路板上的基础电感、微调电感和可调线段；所述微调电感通过所述可调线段与所述基础电感以预设连接结构连接。本发明提供的可调集成立体电感能够实现立体电感的微调，从而消除立体电感的电感值误差对实际电路应用的影响。

公开(公告)号：CN110635203A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910791174.7

申请日：2019-08-26

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 张韶华 ,  王胜福 ,  李宏军 ,  汪晓龙 ,  王小维 ,  刘帅 ,  周伟 ,  张梓福

IPC: H01P1/207 ,  H01P1/208

Abstract: 本发明公开了一种波导滤波器，包括：第一屏蔽层，上设有第一通孔；中间支撑层，为框架结构，设置于所述第一屏蔽层上；第二屏蔽层，上设有第二通孔，设置于所述中间支撑层上，与第一屏蔽层和中间支撑层共同构成波导腔，第二屏蔽层的左端设有信号输入端口，第二屏蔽层的右端设有信号输出端口；第一信号传输结构，第一信号传输结构的第一端设置在信号输入端口中，第一信号传输结构的第二端穿过中间支撑层延伸至第一屏蔽层，并与第一屏蔽层相连；第二信号传输结构，第二信号传输结构的第一端设置在信号输出端口中，第二信号传输结构的第二端穿过中间支撑层延伸至第一屏蔽层，并与第一屏蔽层相连。本发明能适用于太赫兹频段使用需求。

公开(公告)号：CN114094979B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202111306761.6

申请日：2021-11-05

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 张韶华 ,  王胜福 ,  李宏军 ,  周少波 ,  周明齐 ,  孙涛 ,  朱毅凡 ,  于亮 ,  汪晓龙 ,  王小维 ,  汤晓东 ,  张俊杰 ,  温鹏浩 ,  齐明岩 ,  岳晓平

IPC: H03H9/46

Abstract: 本发明提供了一种凋零模式结构微机械滤波器，属于半导体封装技术领域，包括上介质层以及下介质层，上介质层设有上层接地金属化通孔、信号馈入部分和信号馈出部分；下介质层键合于上介质层的下面，下介质层设有下层接地金属化通孔和下层电磁屏蔽金属化通孔，下层电磁屏蔽金属化通孔作为凋零模式谐振柱；信号馈入部分和信号馈出部分与凋零模式谐振柱之间不通过物理连通；上介质层和下介质层通过上层接地金属化通孔和下层接地金属化通孔实现共地。本发明将凋零模式结构与微机械滤波器相结合，将MEMS工艺应用到凋零模式结构中，并将谐振耦合结构进行变形和重构，具备窄带宽和超宽带全面覆盖、体积小、相位一致性高、谐波抑制远、Q值高的特点。

公开(公告)号：CN118199544A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410219619.5

申请日：2024-02-28

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 张崇典 ,  张韶华 ,  方园 ,  厉建国 ,  林立涵 ,  王雪孟 ,  张俊杰 ,  袁柯 ,  王胜福 ,  杨亮 ,  傅琦 ,  梁毅 ,  梁家铖 ,  于江涛

IPC: H03H7/01

Abstract: 本申请提供一种LC高通滤波器以及LC高通滤波器的制备方法。该滤波器包括：印刷电路板、至少一个平面螺旋电感、第一电容和第二电容、一个第三电容；印刷电路板印刷至少一个平面螺旋电感；至少一个第一电容和第二电容、一个第三电容均固定于印刷电路板；至少一个第一电容串联连接于LC高通滤波器的输入端与第三电容的第一端之间，第三电容的第二端与LC高通滤波器的输出端连接；相邻两个第一电容之间的连接端与一个第二电容的第一端连接，每个第二电容的第二端与一个平面螺旋电感的第一端连接，每个平面螺旋电感的第二端均接地；第三电容的第一端与一个第二电容的第一端连接。本申请能够保证LC高通滤波器的截止频率10倍频内的传输特性。

公开(公告)号：CN117849411A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410032153.8

申请日：2024-01-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 齐明岩 ,  梁毅 ,  孙涛 ,  于亮 ,  王胜福 ,  赵利安 ,  张洪刚 ,  聂轶 ,  张学凯 ,  颜闽冀 ,  王伟 ,  郭梦依 ,  杨志磊 ,  张韶华 ,  杨亮

IPC: G01R1/04 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明提供了一种滤波器调试用辅助装置，包括底座、导向组件、固定组件、锁定组件和升降组件；导向组件设于所述底座；固定组件设于所述底座上，所述固定组件包括两组固定机构，至少其中一组所述固定机构沿第一路径滑动连接于所述导向组件，两组所述固定机构间隔设置形成容纳滤波器的调试空间，两组所述固定机构分别设有接头连接件；所述锁定组件用于固定两组所述锁定组件；升降组件设于所述底座。本发明提供的滤波器调试用辅助装置，旨在解决现有技术中对滤波器进行调试时需要施加外力固定SMA接头和测试设备连接，施力大小不易控制，容易造成SMA接头损坏，且对于不同型号的滤波器无法统一调试工装，导致调试成本较高的问题。

公开(公告)号：CN117277983A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311130435.3

申请日：2023-09-04

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 杨亮 ,  张俊杰 ,  赵东岐 ,  王胜福 ,  张韶华 ,  林立涵 ,  袁柯 ,  张崇典 ,  世娟 ,  傅琦 ,  梁毅 ,  汪晓龙 ,  李丰 ,  厉建国 ,  王小维

IPC: H03H7/01

Abstract: 本申请适用于滤波器技术领域，提供了带通滤波器及电子设备。该带通滤波器包括：输入端、输出端和级联在所述输入端和所述输出端之间的多个谐振器，所述多个谐振器中的至少一个谐振器为管状谐振器；所述管状谐振器包括第一电感和并联的第一电容和第二电容，所述第一电容的第一端和所述第二电容的第一端接地，所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端通过所述第一电感连接，且所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端分别与其他谐振器连接，所述管状谐振器还包括与所述第一电感并联的第三电容。本申请在不增大带通滤波器体积的前提下能够大幅度改善带通滤波器的矩形系数。

公开(公告)号：CN115412056A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210960733.4

申请日：2022-08-11

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 王胜福 ,  张仕强 ,  张韶华 ,  于江涛 ,  王洋 ,  张宁 ,  李丽 ,  周少波 ,  张俊杰 ,  孙从科 ,  张堃 ,  刘婀芳 ,  赵枕枕

IPC: H03H9/56 ,  H03H9/58

Abstract: 本发明提供一种滤波器件和滤波电路。该滤波器件包括：芯片滤波器、第一FBAR谐振器、第二FBAR谐振器、第一匹配电感、第二匹配电感和第三匹配电感；芯片滤波器、第一匹配电感、第一FBAR谐振器、第二FBAR谐振器和第二匹配电感依次串联连接；第三匹配电感一端连接于第一FBAR谐振器与第二FBAR谐振器之间，另一端接地；芯片滤波器的第一端为输入端，第二端与第一匹配电感连接；第二匹配电感悬空的一端为输出端；第一FBAR谐振器和第二FBAR谐振器的并联谐振频率在芯片滤波器的阻带近端的频率范围内。本发明能够通过设置Q值高的FBAR谐振器，在芯片滤波器的阻带近端产生传输零点、形成陷波，FBAR谐振器的并联谐振频率决定传输零点频率，提高了芯片滤波器的阻带近端抑制度。