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公开(公告)号:CN114094979B
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202111306761.6
申请日:2021-11-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H9/46
Abstract: 本发明提供了一种凋零模式结构微机械滤波器,属于半导体封装技术领域,包括上介质层以及下介质层,上介质层设有上层接地金属化通孔、信号馈入部分和信号馈出部分;下介质层键合于上介质层的下面,下介质层设有下层接地金属化通孔和下层电磁屏蔽金属化通孔,下层电磁屏蔽金属化通孔作为凋零模式谐振柱;信号馈入部分和信号馈出部分与凋零模式谐振柱之间不通过物理连通;上介质层和下介质层通过上层接地金属化通孔和下层接地金属化通孔实现共地。本发明将凋零模式结构与微机械滤波器相结合,将MEMS工艺应用到凋零模式结构中,并将谐振耦合结构进行变形和重构,具备窄带宽和超宽带全面覆盖、体积小、相位一致性高、谐波抑制远、Q值高的特点。
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公开(公告)号:CN114094979A
公开(公告)日:2022-02-25
申请号:CN202111306761.6
申请日:2021-11-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H9/46
Abstract: 本发明提供了一种凋零模式结构微机械滤波器,属于半导体封装技术领域,包括上介质层以及下介质层,上介质层设有上层接地金属化通孔、信号馈入部分和信号馈出部分;下介质层键合于上介质层的下面,下介质层设有下层接地金属化通孔和下层电磁屏蔽金属化通孔,下层电磁屏蔽金属化通孔作为凋零模式谐振柱;信号馈入部分和信号馈出部分与凋零模式谐振柱之间不通过物理连通;上介质层和下介质层通过上层接地金属化通孔和下层接地金属化通孔实现共地。本发明将凋零模式结构与微机械滤波器相结合,将MEMS工艺应用到凋零模式结构中,并将谐振耦合结构进行变形和重构,具备窄带宽和超宽带全面覆盖、体积小、相位一致性高、谐波抑制远、Q值高的特点。
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公开(公告)号:CN111599914A
公开(公告)日:2020-08-28
申请号:CN202010447892.5
申请日:2020-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/113 , H01L41/29 , B81B7/02
Abstract: 本发明适用于水听器技术领域,提供了一种基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片的制备方法,该方法包括:在第一硅圆片的第一面上通过刻蚀制备多个弹性梁结构,获得第一样品;在第二硅圆片的第一面上通过刻蚀制备腔室,并在腔室内制备止挡结构,获得第二样品;将第一样品的第一面与第二样品的第一面对位后将腔室抽为真空腔室进行键合;在键合后的第三样品的上表面制备感应结构,获得基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片,从而提高MEMS压电声压传感芯片的灵敏度和一致性,改善MEMS压电声压传感芯片的加速度灵敏度,同时减小MEMS压电声压传感芯片的体积,降低成本。
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公开(公告)号:CN115621688A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202211248575.6
申请日:2022-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种硅基MEMS滤波器,包括:在第一硅基板上表面的第一区域内设有一N阶滤波器、第一U型耦合线、第二U型耦合线、输入馈线和输出馈线;N阶滤波器的一端与第一U型耦合线的一侧连接,第一U型耦合线的另一侧与输入馈线连接;N阶滤波器的另一端与第二U型耦合线的一侧连接,第二U型耦合线的另一侧与输出馈线连接;在第二硅基板的上表面的第二区域内设有第一抑制谐振杆和第二抑制谐振杆,且第一抑制谐振杆垂直位于第一U型耦合线的正上方,第二抑制谐振杆垂直位于第二U型耦合线的正上方,第一U型耦合线和第二U型耦合线的开口方向分别为第一抑制谐振杆和第二抑制谐振杆的长度方向。本发明提供的硅基MEMS滤波器具有较高的矩形系数。
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公开(公告)号:CN111599914B
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN202010447892.5
申请日:2020-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于水听器技术领域,提供了一种基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片的制备方法,该方法包括:在第一硅圆片的第一面上通过刻蚀制备多个弹性梁结构,获得第一样品;在第二硅圆片的第一面上通过刻蚀制备腔室,并在腔室内制备止挡结构,获得第二样品;将第一样品的第一面与第二样品的第一面对位后将腔室抽为真空腔室进行键合;在键合后的第三样品的上表面制备感应结构,获得基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片,从而提高MEMS压电声压传感芯片的灵敏度和一致性,改善MEMS压电声压传感芯片的加速度灵敏度,同时减小MEMS压电声(56)对比文件JP 2006284373 A,2006.10.19CN 110392331 A,2019.10.29CN 109786422 A,2019.05.21
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