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公开(公告)号：CN114583424B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210096161.X
申请日：2022-01-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P1/203
摘要： 本发明提供一种悬置带线滤波器及其制备方法。该悬置带线滤波器包括：介质基板；在介质基板上设置的多个上下表面贯通的接地孔；在介质基板的上下表面分别设置的上表面电路和下表面电路；在上表面电路和下表面电路的第一预设位置上分别设置的第二导体柱；在部分第二导体柱上设置的第三导体柱，介质基板的上表面倒扣设置在待安装母板上；介质基板下表面的第三导体柱下设置的金属屏蔽盖板。本发明能够了有效减小悬置带线滤波器体积，满足表面贴装需求。
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公开(公告)号：CN111900522B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010519994.3
申请日：2020-06-09
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线，该硅基空气填充微同轴结构包括上层硅片、中层硅片和下层硅片；上层硅片设置第一凹槽；中层硅片的芯子硅片与第一凹槽位置对应；中层硅片的多个左支撑梁硅片设置在其第一硅片与芯子硅片之间；中层硅片的多个右支撑梁硅片设置在其芯子硅片与第二硅片之间；第一硅片和第二硅片分别设置贯穿上下表面的第一通孔阵列；下层硅片设置与第一凹槽对应的第二凹槽及与第一通孔阵列对应的第二通孔阵列。通过第一凹槽与第二凹槽形成填充空气的空腔结构，芯子硅片位于空腔结构内，形成传输性能好，易于与半导体工艺集成，适于批量生产的硅基空气填充微同轴结构。
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公开(公告)号：CN111609915A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010447889.3
申请日：2020-05-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于水听器技术领域，提供了一种基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片，包括：键合连接的第一基片和第二基片；第一基片的键合面上设置一凹槽，与第二基片的键合面形成一真空腔；第二基片的第二面上与凹槽对应位置设置感应结构，第二基片的第二面为键合面对应的一面；第二基片的键合面上感应结构对应区域周围设置多个弹性梁结构，多个弹性梁结构位于真空腔的顶部，且多个弹性梁结构的边缘位置与真空腔的边缘位置对应。通过设置多个弹性梁结构，可以提高MEMS声压传感芯片的性能，且简化加工工艺、减小芯片体积。
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公开(公告)号：CN111609915B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010447889.3
申请日：2020-05-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于水听器技术领域，提供了一种基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片，包括：键合连接的第一基片和第二基片；第一基片的键合面上设置一凹槽，与第二基片的键合面形成一真空腔；第二基片的第二面上与凹槽对应位置设置感应结构，第二基片的第二面为键合面对应的一面；第二基片的键合面上感应结构对应区域周围设置多个弹性梁结构，多个弹性梁结构位于真空腔的顶部，且多个弹性梁结构的边缘位置与真空腔的边缘位置对应。通过设置多个弹性梁结构，可以提高MEMS声压传感芯片的性能，且简化加工工艺、减小芯片体积。
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公开(公告)号：CN111883898B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010519992.4
申请日：2020-06-09
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P11/00
摘要： 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，该方法包括：在第一基片、第二基片和第三基片制备多个第一通孔，第二基片和第三基片制备多个第二通孔；第一基片和第三基片制备位置对应的第一凹槽和第二凹槽；在第二凹槽的两端槽内各制备一个转接支撑结构，每个转接支撑结构内设置第三通孔，在槽底制备第四通孔，第三通孔与第四通孔连通，在第三基片的下表面制备焊盘；在第二基片上制备同轴芯体；将第一基片、第二基片以及第三基片依次键合，获得微同轴结构的微延时线芯片，通过将微延时线芯片中的同轴芯体(传输线)进行转折、绕线或者堆叠等结构形式变换，可以控制传输线的长度同时调节芯片的延时量。
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公开(公告)号：CN115621688A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211248575.6
申请日：2022-10-12
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种硅基MEMS滤波器，包括：在第一硅基板上表面的第一区域内设有一N阶滤波器、第一U型耦合线、第二U型耦合线、输入馈线和输出馈线；N阶滤波器的一端与第一U型耦合线的一侧连接，第一U型耦合线的另一侧与输入馈线连接；N阶滤波器的另一端与第二U型耦合线的一侧连接，第二U型耦合线的另一侧与输出馈线连接；在第二硅基板的上表面的第二区域内设有第一抑制谐振杆和第二抑制谐振杆，且第一抑制谐振杆垂直位于第一U型耦合线的正上方，第二抑制谐振杆垂直位于第二U型耦合线的正上方，第一U型耦合线和第二U型耦合线的开口方向分别为第一抑制谐振杆和第二抑制谐振杆的长度方向。本发明提供的硅基MEMS滤波器具有较高的矩形系数。
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公开(公告)号：CN111900521B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010519141.X
申请日：2020-06-09
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基微同轴结构，包括：上层硅片、中层硅片和下层硅片；所述上层硅片上设置有第一凹槽，在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止；所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔；所述中层硅片包括U型硅片、芯子硅片、多个左支撑梁硅片和多个右支撑梁硅片，并设置有贯穿上下表面的多个第二通孔；所述下层硅片设置有转接凹槽、第三凹槽、焊盘、转接支撑结构、第三通孔、第四通孔和多个第五通孔；上层硅片、中层硅片和下层硅片通过预设区域的金属层键合，使第一凹槽、U型硅片和第三凹槽形成包围芯子硅片且填充空气的空腔，与芯子硅片构成同轴结构，传输性能好且易于集成。
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公开(公告)号：CN111900521A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010519141.X
申请日：2020-06-09
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基微同轴结构，包括：上层硅片、中层硅片和下层硅片；所述上层硅片上设置有第一凹槽，在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止；所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔；所述中层硅片包括U型硅片、芯子硅片、多个左支撑梁硅片和多个右支撑梁硅片，并设置有贯穿上下表面的多个第二通孔；所述下层硅片设置有转接凹槽、第三凹槽、焊盘、转接支撑结构、第三通孔、第四通孔和多个第五通孔；上层硅片、中层硅片和下层硅片通过预设区域的金属层键合，使第一凹槽、U型硅片和第三凹槽形成包围芯子硅片且填充空气的空腔，与芯子硅片构成同轴结构，传输性能好且易于集成。
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公开(公告)号：CN111883898A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010519992.4
申请日：2020-06-09
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P11/00
摘要： 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，该方法包括：在第一基片、第二基片和第三基片制备多个第一通孔，第二基片和第三基片制备多个第二通孔；第一基片和第三基片制备位置对应的第一凹槽和第二凹槽；在第二凹槽的两端槽内各制备一个转接支撑结构，每个转接支撑结构内设置第三通孔，在槽底制备第四通孔，第三通孔与第四通孔连通，在第三基片的下表面制备焊盘；在第二基片上制备同轴芯体；将第一基片、第二基片以及第三基片依次键合，获得微同轴结构的微延时线芯片，通过将微延时线芯片中的同轴芯体(传输线)进行转折、绕线或者堆叠等结构形式变换，可以控制传输线的长度同时调节芯片的延时量。
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公开(公告)号：CN114583424A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210096161.X
申请日：2022-01-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P1/203
摘要： 本发明提供一种悬置带线滤波器及其制备方法。该悬置带线滤波器包括：介质基板；在介质基板上设置的多个上下表面贯通的接地孔；在介质基板的上下表面分别设置的上表面电路和下表面电路；在上表面电路和下表面电路的第一预设位置上分别设置的第二导体柱；在部分第二导体柱上设置的第三导体柱，介质基板的上表面倒扣设置在待安装母板上；介质基板下表面的第三导体柱下设置的金属屏蔽盖板。本发明能够了有效减小悬置带线滤波器体积，满足表面贴装需求。
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