发明公开
- 专利标题: 硅基微同轴结构
-
申请号: CN202010519141.X申请日: 2020-06-09
-
公开(公告)号: CN111900521A公开(公告)日: 2020-11-06
- 发明人: 王胜福 , 李宏军 , 钱丽勋 , 申晓芳 , 杨志 , 董春辉 , 宋学峰 , 李丰 , 周名齐 , 周少波 , 付兴中 , 张俊杰 , 陈敬平 , 张堃 , 孙涛
- 申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 代理机构: 石家庄国为知识产权事务所
- 代理商 许小荣
- 主分类号: H01P3/00
- IPC分类号: H01P3/00 ; H01L27/02
摘要:
本发明适用于射频微波技术领域,提供了一种硅基微同轴结构,包括:上层硅片、中层硅片和下层硅片;所述上层硅片上设置有第一凹槽,在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止;所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔;所述中层硅片包括U型硅片、芯子硅片、多个左支撑梁硅片和多个右支撑梁硅片,并设置有贯穿上下表面的多个第二通孔;所述下层硅片设置有转接凹槽、第三凹槽、焊盘、转接支撑结构、第三通孔、第四通孔和多个第五通孔;上层硅片、中层硅片和下层硅片通过预设区域的金属层键合,使第一凹槽、U型硅片和第三凹槽形成包围芯子硅片且填充空气的空腔,与芯子硅片构成同轴结构,传输性能好且易于集成。
公开/授权文献
- CN111900521B 硅基微同轴结构 公开/授权日:2021-06-15