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公开(公告)号：CN113644894B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110743224.1
申请日：2021-06-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域，提供一种空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件，该滤波器包括输入端子、输出端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器；多个串联的薄膜体声波谐振器包括第一至第六薄膜体声波谐振器，串联连接在输入端子和输出端子之间；多个并联的薄膜体声波谐振器包括第七至第十薄膜体声波谐振器，第七、第八和第十薄膜体声波谐振器的一端分别连接在第一薄膜体声波谐振器和第二薄膜体声波谐振器之间、第三薄膜体声波谐振器和第四薄膜体声波谐振器之间、第五薄膜体声波谐振器和第六薄膜体声波谐振器之间的节点上，第九薄膜体声波谐振器和第八薄膜体声波谐振器串联，可允许特定频率的信号通过。
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公开(公告)号：CN110868173B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910328545.8
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 李宏军 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 钱丽勋 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器及滤波器。该谐振器包括衬底、下电极层、上电极层和环；其中，环设置在所述下电极层或所述上电极层的表面上。所述衬底和所述下电极层之间形成有具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上；通过设置环及腔体，使谐振器形成一种新型的谐振器结构，具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868174B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201910328566.X
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 钱丽勋 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 李宏军 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；以及桥部，其与所述多层结构的末端相邻，且与所述上电极层的一部分重叠，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN112688660B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011359353.2
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于滤波器技术领域，提供了一种FBAR滤波器电路设计，包括：在所述滤波模块的输入端连接所述第一谐振模块的一端，在所述滤波模块的输出端连接所述第二谐振模块的一端，所述第一谐振模块的另一端接地，所述第二谐振模块的另一端接地；所述滤波模块的输入端为FBAR滤波器电路的输入端，所述滤波模块的输出端为所述FBAR滤波器电路的输出端；所述第一谐振模块和所述第二谐振模块用于在所述FBAR滤波器电路的阻带形成一个或两个传输零点，从而可以提高带外抑制，且谐振模块中的元器件不会造成滤波模块的芯片体积大幅增加，不会引入更多的损耗以及恶化带内插损。
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公开(公告)号：CN112615599B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202011364397.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李丽 , 钱丽勋 , 李宏军 , 王胜福 , 李亮 , 郭松林 , 张韶华 , 张仕强 , 徐佳 , 马文涛 , 王磊 , 世娟 , 杨亮 , 王小维 , 厉建国 , 汪晓龙 , 杨庆团 , 时飞超
Abstract: 本发明适用于谐振器技术领域，提供了一种薄膜腔声谐振器的Mason电路模型，包括：在建立的薄膜腔声谐振器的原Mason模型中增加串联电阻Rs和并联电阻Rp，使得可以通过改变并联电阻Rp单独调节薄膜腔声谐振器的Mason电路模型中并联谐振频率处的品质因数Qp，通过改变串联电阻Rs单独调节薄膜腔声谐振器的Mason电路模型中串联谐振频率处的品质因数Qs，从而解决现有技术中无法单独调节Qs和Qp的大小导致谐振器模型与实际测试结果的拟合以及后续薄膜腔声谐振器滤波器的设计造成困难的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113644895A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110743238.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域，提供一种薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件，包括输入端子、输出端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器；多个串联的薄膜体声波谐振器包括第一薄膜体声波谐振器至第四薄膜体声波谐振器，串联连接在输入端子和输出端子间；多个并联的薄膜体声波谐振器包括第五薄膜体声波谐振器、第六薄膜体声波谐振器和第七薄膜体声波谐振器，第五薄膜体声波谐振器、第六薄膜体声波谐振器和第七薄膜体声波谐振器的一端分别连接在多个串联的薄膜体声波谐振器中相邻两个薄膜体声波谐振器之间的节点上，另一端分别连接接地端子。上述滤波器可允许特定频率的信号通过。
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公开(公告)号：CN111446528B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010274784.2
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于滤波器制作技术领域，提供了一种基于立体电感的双层硅基滤波器，包括：通过具有多个孔的上硅片和具有多个孔的下硅片；所述上硅片的上表面设置多个不同的第一电感结构，所述上硅片的下表面对应设置多个不同的第二电感结构，且各个所述第一电感结构与对应的第二电感结构通过孔连接构成立体电感结构；所述下硅片的上表面设置多个不同的第三电感结构，且所述第三电感结构与所述第二电感结构相同，所述第三电感结构与所述第二电感结构键合绑定，从而可以制备出体型小的具有立体电感的滤波器。
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公开(公告)号：CN111446527B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010273934.8
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于滤波器制作技术领域，提供了一种基于立体电感的双层硅基滤波器的制作方法，该方法包括：通过在上硅片上制备立体电感对应的电路结构，在下硅片上分别多个电容、在传输线交叉位置制备空气桥结构以及在所述立体电感对应的金属层上制备立体电感对应的电路结构，将上硅片和下硅片中立体电感对应的电路结构进行对位键合，获得双层硅基滤波器，从而可以获得体积较小的基于立体电感的双层硅基滤波器，并且在制备基于立体电感的双层硅基滤波器的过程中不需要人工干预，因此可以实现批量生成，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN110635201B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910791162.4
申请日：2019-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01P1/205
Abstract: 本发明公开了一种梳状滤波器，包括：第一屏蔽层，上设有第一通孔；中间支撑层，为框架结构，设置于所述第一屏蔽层上，中间支撑层的左端设有信号输入端口，中间支撑层的右端设有信号输出端口；第二屏蔽层，上设有第二通孔，设置于中间支撑层上，与第一屏蔽层和中间支撑层共同构成电磁屏蔽腔；至少两个馈电结构，设置在中间支撑层内，馈电结构从左向右依次排列形成梳状结构，馈电结构的第一端均与中间支撑层的前端相连，馈电结构的第二端均悬空；第一个馈电结构上设有信号输入凸台，信号输入凸台在信号输入端口中，最后一个馈电结构上设有信号输出凸台，信号输出凸台在信号输出端口中。本发明结构的滤波器能适用于太赫兹频段的使用。
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公开(公告)号：CN112671362A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011364409.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李丽 , 张仕强 , 李宏军 , 李亮 , 王胜福 , 钱丽勋 , 张韶华 , 郭松林 , 孙从科 , 徐佳 , 马文涛 , 王磊 , 世娟 , 杨亮 , 王小维 , 厉建国 , 汪晓龙 , 封利彦 , 宋冰冰 , 李永城 , 王茜龙
Abstract: 本发明适用于滤波器技术领域，提供了一种FBAR滤波器，该FBAR滤波器包括：将抵消电路的输入端连接FBAR滤波器电路的输入端，抵消电路的输出端连接FBAR滤波器电路的输出端，抵消电路用于形成第二通路，当工作频率处于FBAR滤波器的阻带时，信号从抵消电路通过，当工作频率处于FBAR滤波器的通带时，信号从FBAR滤波器电路通过。本申请通过增加抵消电路可在阻带低频端实现高抑制，且抵消电路中的元器件不会造成FBAR滤波器的芯片体积大幅增加，不会引入更多的损耗以及恶化带内插损。
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