阶梯型结构压电滤波器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113612464B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202110752137.2

    申请日:2021-06-30

    Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域,提供一种阶梯型结构压电滤波器。该阶梯型结构压电滤波器包括输入端子、输出端子、接地端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器;第七薄膜体声波谐振器和第八薄膜体声波谐振器的一端依次连接在第一薄膜体声波谐振器至第三薄膜体声波谐振器之间的节点上;第九薄膜体声波谐振器和第十薄膜体声波谐振器的一端依次连接在第四薄膜体声波谐振器至第六薄膜体声波谐振器之间的节点上;且第八薄膜体声波谐振器的另一端与第九薄膜体声波谐振器的另一端连接后与接地端子连接。本发明提供的滤波器可允许特定频率的信号通过。

    硅基微同轴结构
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111900521B

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN202010519141.X

    申请日:2020-06-09

    Abstract: 本发明适用于射频微波技术领域,提供了一种硅基微同轴结构,包括:上层硅片、中层硅片和下层硅片;所述上层硅片上设置有第一凹槽,在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止;所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔;所述中层硅片包括U型硅片、芯子硅片、多个左支撑梁硅片和多个右支撑梁硅片,并设置有贯穿上下表面的多个第二通孔;所述下层硅片设置有转接凹槽、第三凹槽、焊盘、转接支撑结构、第三通孔、第四通孔和多个第五通孔;上层硅片、中层硅片和下层硅片通过预设区域的金属层键合,使第一凹槽、U型硅片和第三凹槽形成包围芯子硅片且填充空气的空腔,与芯子硅片构成同轴结构,传输性能好且易于集成。

    硅基微同轴结构
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111900521A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010519141.X

    申请日:2020-06-09

    Abstract: 本发明适用于射频微波技术领域,提供了一种硅基微同轴结构,包括:上层硅片、中层硅片和下层硅片;所述上层硅片上设置有第一凹槽,在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止;所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔;所述中层硅片包括U型硅片、芯子硅片、多个左支撑梁硅片和多个右支撑梁硅片,并设置有贯穿上下表面的多个第二通孔;所述下层硅片设置有转接凹槽、第三凹槽、焊盘、转接支撑结构、第三通孔、第四通孔和多个第五通孔;上层硅片、中层硅片和下层硅片通过预设区域的金属层键合,使第一凹槽、U型硅片和第三凹槽形成包围芯子硅片且填充空气的空腔,与芯子硅片构成同轴结构,传输性能好且易于集成。

    3D集成LC滤波器和电子系统

    公开(公告)号:CN108649915A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810639230.0

    申请日:2018-06-20

    Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域,公开了一种3D集成LC滤波器和电子系统,该3D集成LC滤波器包括:基板;集成设置在所述基板中的多个电感,各个电感之间存在电磁互感且物理上相互隔离;设置在所述基板上侧面的具有预设图案的焊盘层,所述焊盘层一侧与各个电感分别连接,所述焊盘层的另一侧用于设置多个阻容元件;分别设置在所述基板上的输入端口和输出端口;其中,所述输入端口、所述输出端口和各个电感通过设置在所述焊盘层上的各个阻容元件形成通路。上述3D集成LC滤波器Q值适中、体积较小、一致性好且可靠性较高。

    凋零模式结构微机械滤波器

    公开(公告)号:CN114094979A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202111306761.6

    申请日:2021-11-05

    Abstract: 本发明提供了一种凋零模式结构微机械滤波器,属于半导体封装技术领域,包括上介质层以及下介质层,上介质层设有上层接地金属化通孔、信号馈入部分和信号馈出部分;下介质层键合于上介质层的下面,下介质层设有下层接地金属化通孔和下层电磁屏蔽金属化通孔,下层电磁屏蔽金属化通孔作为凋零模式谐振柱;信号馈入部分和信号馈出部分与凋零模式谐振柱之间不通过物理连通;上介质层和下介质层通过上层接地金属化通孔和下层接地金属化通孔实现共地。本发明将凋零模式结构与微机械滤波器相结合,将MEMS工艺应用到凋零模式结构中,并将谐振耦合结构进行变形和重构,具备窄带宽和超宽带全面覆盖、体积小、相位一致性高、谐波抑制远、Q值高的特点。

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