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公开(公告)号:CN115621688A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202211248575.6
申请日:2022-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种硅基MEMS滤波器,包括:在第一硅基板上表面的第一区域内设有一N阶滤波器、第一U型耦合线、第二U型耦合线、输入馈线和输出馈线;N阶滤波器的一端与第一U型耦合线的一侧连接,第一U型耦合线的另一侧与输入馈线连接;N阶滤波器的另一端与第二U型耦合线的一侧连接,第二U型耦合线的另一侧与输出馈线连接;在第二硅基板的上表面的第二区域内设有第一抑制谐振杆和第二抑制谐振杆,且第一抑制谐振杆垂直位于第一U型耦合线的正上方,第二抑制谐振杆垂直位于第二U型耦合线的正上方,第一U型耦合线和第二U型耦合线的开口方向分别为第一抑制谐振杆和第二抑制谐振杆的长度方向。本发明提供的硅基MEMS滤波器具有较高的矩形系数。
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公开(公告)号:CN114094979B
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202111306761.6
申请日:2021-11-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H9/46
Abstract: 本发明提供了一种凋零模式结构微机械滤波器,属于半导体封装技术领域,包括上介质层以及下介质层,上介质层设有上层接地金属化通孔、信号馈入部分和信号馈出部分;下介质层键合于上介质层的下面,下介质层设有下层接地金属化通孔和下层电磁屏蔽金属化通孔,下层电磁屏蔽金属化通孔作为凋零模式谐振柱;信号馈入部分和信号馈出部分与凋零模式谐振柱之间不通过物理连通;上介质层和下介质层通过上层接地金属化通孔和下层接地金属化通孔实现共地。本发明将凋零模式结构与微机械滤波器相结合,将MEMS工艺应用到凋零模式结构中,并将谐振耦合结构进行变形和重构,具备窄带宽和超宽带全面覆盖、体积小、相位一致性高、谐波抑制远、Q值高的特点。
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公开(公告)号:CN117849411A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202410032153.8
申请日:2024-01-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种滤波器调试用辅助装置,包括底座、导向组件、固定组件、锁定组件和升降组件;导向组件设于所述底座;固定组件设于所述底座上,所述固定组件包括两组固定机构,至少其中一组所述固定机构沿第一路径滑动连接于所述导向组件,两组所述固定机构间隔设置形成容纳滤波器的调试空间,两组所述固定机构分别设有接头连接件;所述锁定组件用于固定两组所述锁定组件;升降组件设于所述底座。本发明提供的滤波器调试用辅助装置,旨在解决现有技术中对滤波器进行调试时需要施加外力固定SMA接头和测试设备连接,施力大小不易控制,容易造成SMA接头损坏,且对于不同型号的滤波器无法统一调试工装,导致调试成本较高的问题。
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公开(公告)号:CN111146094B
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN201911226811.2
申请日:2019-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓功率模块封装方法及加压装置,属于功率模块封装技术领域,氮化镓功率模块封装方法包括:将密封胶印刷至成型模具的型腔内,将印刷了密封胶的成型模具保持水平状态放入60~90℃的真空烘箱内烘焙15~20min,获得预固化成型胶环;将预固化成型胶环贴装在放置了氮化镓功率模块的封装管壳上,将封装管帽与贴装了预固化成型胶环的封装管壳对齐贴装;将贴装了封装管帽的封装管壳放置于加压装置中,在封装管帽顶面施加向下的压力并保压;将对封装管帽施加了预设压力的加压装置放入120~170℃真空烘箱内烘焙3~5h,使预固化成型胶环进行再固化,获得封装完成的氮化镓功率模块。
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公开(公告)号:CN111175579A
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN201911388522.2
申请日:2019-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于电感一致性检测技术领域,提供了一种3D集成LC滤波器多层基板制造一致性检测装置及系统,包括:电路板上具有预设图案,预设图案的第一区域中包括的电感图案与3D集成LC滤波器中的电感的位置对应;电容C1设置在预设图案的第二区域内,且电容C1的一端与电感图案位置处通过导线连接,电容C1与电感L1连通,电容C1的另一端接地。电感L1和电容C1形成的LC串联谐振陷波电路,通过测量LC串联谐振陷波电路的陷波频率,可以对3D集成LC滤波器多层基板的一致性进行分档,以解决现有技术中实际生成的集成在多层基板中的立体电感加工一致性不能满足3D集成LC滤波器电特性指标一致性的要求的问题。
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公开(公告)号:CN111146094A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201911226811.2
申请日:2019-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓功率模块封装方法、加压装置及预固化成型胶环,属于功率模块封装技术领域,氮化镓功率模块封装方法包括:将密封胶印刷至成型模具的型腔内,将印刷了密封胶的成型模具保持水平状态放入60~90℃的真空烘箱内烘焙15~20min,获得预固化成型胶环;将预固化成型胶环贴装在放置了氮化镓功率模块的封装管壳上,将封装管帽与贴装了预固化成型胶环的封装管壳对齐贴装;将贴装了封装管帽的封装管壳放置于加压装置中,在封装管帽顶面施加向下的压力并保压;将对封装管帽施加了预设压力的加压装置放入120~170℃真空烘箱内烘焙3~5h,使预固化成型胶环进行再固化,获得封装完成的氮化镓功率模块。
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公开(公告)号:CN111014863A
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201911204535.X
申请日:2019-11-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种射频封装外壳的多连接器焊接方法、工装及预成型焊料环,属于射频封装技术领域,包括以下步骤:在射频封装外壳的各个安装孔内嵌装预成型焊料环,将多个连接器依次插装于各个安装孔内;将插装有多个连接器的射频封装外壳放置在焊接工装上,依次调整并夹紧各个连接器至连接器的端面与射频封装外壳的外壁平齐;将夹紧了多个连接器的焊接工装放入回流焊炉,对多个连接器同时进行焊接;将焊接了多个连接器的射频封装外壳由焊接工装上取下并进行质检。本发明提供的射频封装外壳的多连接器焊接方法,通过焊接工装能够使多个连接器与射频封装外壳能够同时进行对齐焊接,焊接外观质量好且焊接效率高,采用预成型焊料环,焊接牢固可靠。
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公开(公告)号:CN119881405A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202510043481.2
申请日:2025-01-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及微波电路测试设备技术领域,尤其涉及一种低不连续性空气共面射频微波探针及制备方法,本发明实施方式公开了一种低不连续性空气共面射频微波探针,其为了降低介质支撑柱对探针不连续性的影响,采用打孔的形式来降低支撑介质的有效介电常数,使其更接近空气,降低不连续性。本发明实施方式对于内部多级宽带匹配所引入的不连续性电容,通过仿真优化引入高阻传输线对不连续性电容进行了补偿。本发明实施方式对于内部唯一的互联焊点,对探针本体针尖尾部进行仿真优化来减小焊点带来的阻抗阶跃,降低不连续性。本发明实施方式探针本体针尖采用玻璃带线共晶焊定位夹持,有效保证传输针和地针之间的间距,保证测试针尖强度。
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公开(公告)号:CN111175579B
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:CN201911388522.2
申请日:2019-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于电感一致性检测技术领域,提供了一种3D集成LC滤波器多层基板制造一致性检测装置及系统,包括:电路板上具有预设图案,预设图案的第一区域中包括的电感图案与3D集成LC滤波器中的电感的位置对应;电容C1设置在预设图案的第二区域内,且电容C1的一端与电感图案位置处通过导线连接,电容C1与电感L1连通,电容C1的另一端接地。电感L1和电容C1形成的LC串联谐振陷波电路,通过测量LC串联谐振陷波电路的陷波频率,可以对3D集成LC滤波器多层基板的一致性进行分档,以解决现有技术中实际生成的集成在多层基板中的立体电感加工一致性不能满足3D集成LC滤波器电特性指标一致性的要求的问题。
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公开(公告)号:CN114094979A
公开(公告)日:2022-02-25
申请号:CN202111306761.6
申请日:2021-11-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H9/46
Abstract: 本发明提供了一种凋零模式结构微机械滤波器,属于半导体封装技术领域,包括上介质层以及下介质层,上介质层设有上层接地金属化通孔、信号馈入部分和信号馈出部分;下介质层键合于上介质层的下面,下介质层设有下层接地金属化通孔和下层电磁屏蔽金属化通孔,下层电磁屏蔽金属化通孔作为凋零模式谐振柱;信号馈入部分和信号馈出部分与凋零模式谐振柱之间不通过物理连通;上介质层和下介质层通过上层接地金属化通孔和下层接地金属化通孔实现共地。本发明将凋零模式结构与微机械滤波器相结合,将MEMS工艺应用到凋零模式结构中,并将谐振耦合结构进行变形和重构,具备窄带宽和超宽带全面覆盖、体积小、相位一致性高、谐波抑制远、Q值高的特点。
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