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公开(公告)号：CN117373727A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311309089.5
申请日：2023-10-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 李仕俊 , 孔令甲 , 杨阳阳 , 袁彪 , 王建 , 唐晓赫 , 徐达 , 常青松 , 史光华 , 王真 , 王胜奎 , 戈江娜 , 王二超 , 许向前 , 王旭东 , 张磊 , 马成龙 , 吴浩宇
摘要： 本发明提供一种超宽带高频互联结构及制备方法，包括从下到上依次层叠设置的底层导电层、形变金属层和键合互联金属层，且底层导电层的两端分别和键合互联金属层的两端连接；形变金属层包括层叠设置的至少一个第一子金属层和至少一个第二子金属层，且第一子金属层和第二子金属层的热应力不同；键合互联金属层的两端、形变金属层的两端以及底层导电层的两端均向靠近键合互联金属层上表面的中间位置弯曲，且该弯曲是基于第一子金属层和第二子金属层的热应力不同形成的自然变形。本发明提供的互联结构强度高一致性好。
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公开(公告)号：CN117954816A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410219940.3
申请日：2024-02-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P1/39
摘要： 本申请适用于无线通信领域中的射频和微波技术领域，提供了E面双匹配的Y形结波导环行器，该波导环行器包括：腔体、匹配块、铁氧体和磁钢；腔体的中央设有空腔，空腔的上下两面均设有一个Y形匹配块；两个匹配块相对的一端中央分别具有凸起，各凸起上分别设有一块铁氧体；腔体的外部的上下两面的中央均设有一块磁钢；腔体的外部具有相对的上表面和下表面，上表面具有衔接设置的第一台面和第二台面，第一台面相对于第二台面邻近上表面的中心，第一台面高于第二台面设置；腔体的外部具有垂直连接于上表面和下表面的侧表面；在靠近上表面的中心方向上，第一台面的宽度具有增大趋势。本申请提供的波导环形器可拓宽带宽、提高功率容量以及散热性能。
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公开(公告)号：CN117374002A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311297414.0
申请日：2023-10-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/768 , C25D5/02 , C25D5/12
摘要： 本发明实施例提供一种金铝互联传输线及其制备方法，涉及半导体封装技术领域。本发明通过在临时基板上电镀制备长度大于等于金铝焊盘间距的金传输带，在金传输带上制备镍阻挡层、铝焊盘，去除临时基板后得到带状金铝互联传输线。带状金铝互联传输线用于柔性连接独立芯片的铝焊盘与电路板的金焊盘，一端的铝焊盘连接独立芯片的铝焊盘，另一端的金传输带连接电路板的金焊盘。如此可实现单个独立芯片的铝焊盘与电路板的金焊盘之间互联。进一步的，通过在金层和铝层之间设置镍阻挡层，隔绝金铝界面，减少了金铝扩散，在实现独立芯片与电路板的异种金属互联的同时，减小了金铝界面失效风险，增加了金铝互联可靠性。
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公开(公告)号：CN118016629A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410148673.5
申请日：2024-02-02
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/552 , H01L23/04 , H01L25/16 , H01L21/52
摘要： 本申请适用于微电子封装技术领域，提供了一种一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法，该封装结构包括：基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板。微同轴结构、第一隔离墙和第二隔离墙从基板生长而成；第一隔离墙生长在基板的上表面的外侧，微同轴结构和第二隔离墙生长在基板的上表面的内侧；芯片和无源器件均设置在基板的上表面上；第二隔离墙设置在开放式的无源器件和芯片的周围，隔离电磁干扰；盖板与基板、第一隔离墙形成密封空间，将微同轴结构、芯片、无源器件和第二隔离墙密封在密封空间。本申请的方法能够在实现气密封装微同轴器件的同时，解决装配精度较低，I/O互连引脚的节距大及数量少，需要在微同轴器件或基板界面设计阻焊结构的问题。
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