公开(公告)号：CN117279490A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311129459.7

申请日：2023-09-04

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 杨志 ,  董春晖 ,  崔玉兴 ,  王敬轩 ,  韩孟序 ,  王川宝 ,  王帅 ,  王敏 ,  康建波 ,  解涛 ,  杨双龙 ,  王利芹 ,  商庆杰 ,  李亮 ,  张丹青 ,  丁现朋 ,  李庆伟 ,  张发智 ,  刘青林 ,  刘冠廷 ,  冯立东 ,  于峰涛 ,  宋红伟 ,  任永晓 ,  王国清 ,  杜少博

IPC: H10N97/00

Abstract: 本发明提供一种硅基三维电容及其制作方法，其中制作方法包括在一硅衬底的表面制备一层介质掩膜层，并在介质掩膜层上刻蚀多个间隔排列的刻蚀微孔直至露出硅衬底；采用深硅刻蚀工艺，对多个间隔排列的刻蚀微孔进行刻蚀，以形成多个间隔排列的第一深孔；去除剩余的介质掩膜层，在形成有多个间隔排列的第一深孔的硅衬底上制备第一多晶硅层；采用深硅刻蚀工艺，对第一深孔内的第一多晶硅层进行刻蚀，以在第一深孔内的第一多晶硅层内形成第二深孔，且第二深孔的底面和侧面均设有第一多晶硅层；在第一硅衬底表面的第一多晶硅层上以及所有间隔排列的第二深孔内依次生长绝缘介质层、第二多晶硅层和电极层。本发明制备的硅基三维电容可以提高电容的密度。