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公开(公告)号：CN117279490A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311129459.7
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 杨志 , 董春晖 , 崔玉兴 , 王敬轩 , 韩孟序 , 王川宝 , 王帅 , 王敏 , 康建波 , 解涛 , 杨双龙 , 王利芹 , 商庆杰 , 李亮 , 张丹青 , 丁现朋 , 李庆伟 , 张发智 , 刘青林 , 刘冠廷 , 冯立东 , 于峰涛 , 宋红伟 , 任永晓 , 王国清 , 杜少博
IPC: H10N97/00
Abstract: 本发明提供一种硅基三维电容及其制作方法，其中制作方法包括在一硅衬底的表面制备一层介质掩膜层，并在介质掩膜层上刻蚀多个间隔排列的刻蚀微孔直至露出硅衬底；采用深硅刻蚀工艺，对多个间隔排列的刻蚀微孔进行刻蚀，以形成多个间隔排列的第一深孔；去除剩余的介质掩膜层，在形成有多个间隔排列的第一深孔的硅衬底上制备第一多晶硅层；采用深硅刻蚀工艺，对第一深孔内的第一多晶硅层进行刻蚀，以在第一深孔内的第一多晶硅层内形成第二深孔，且第二深孔的底面和侧面均设有第一多晶硅层；在第一硅衬底表面的第一多晶硅层上以及所有间隔排列的第二深孔内依次生长绝缘介质层、第二多晶硅层和电极层。本发明制备的硅基三维电容可以提高电容的密度。
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公开(公告)号：CN117241663A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311130964.3
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 董春晖 , 杨志 , 张力江 , 王敬轩 , 韩孟序 , 王川宝 , 王帅 , 王敏 , 康建波 , 解涛 , 杨双龙 , 王利芹 , 商庆杰 , 李亮 , 胥超 , 徐爱东 , 付越东 , 王敬松 , 赵永林 , 张奇 , 刘浩 , 郝腾 , 彭海涛 , 张铮辉 , 蒋红旺
Abstract: 本发明提供一种硅基多层电容及其制备方法。该制备方法通过在交替生长的牺牲层、导电多晶硅层中制备导电多晶硅柱，作为结构支撑。通过第二通孔，释放牺牲层后，将导电多晶硅层、导电多晶硅柱构成的第一多层横向极板的表面作为原位替换基础热氧化生长介质层。在介质层上填充生长导电材料后，得到横向结构的硅基多层电容。第一多层横向极板通过导电多晶硅柱连接导电硅片作为硅基多层电容的下电极。第二多层横向极板作为上电极。第一多层横向极板与第二多层横向极板之间通过氧化硅介质层电绝缘。横向结构的硅基多层电容的上下电极相对面积与层数呈正比，可通过增加层数增加硅基多层电容的电容容量。
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公开(公告)号：CN117348337A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311128551.1
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G03F1/70 , G03F7/20 , G06F30/392
Abstract: 本申请提供了光刻掩膜版图层排布方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取多个待排布的图层、每个待排布图层的尺寸和光刻掩膜版的尺寸；对多个待排布的图层进行排序，得到排序结果；基于每个待排布图层的尺寸、光刻掩膜版的尺寸和排序结果，得到每个光刻掩膜版上的图层；基于光刻掩膜版的尺寸、每个光刻掩膜版上的图层和每个待排布图层的尺寸，得到版图利用率；若版图利用率大于等于预设阈值，则将每个光刻掩膜版上的图层作输出；若小于预设阈值，更新排序结果，并跳转至基于每个待排布图层的尺寸、光刻掩膜版的尺寸和排序结果，得到每个光刻掩膜版上的图层的步骤继续执行。本申请可以快速准确的得到最优图层排布方案。
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