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公开(公告)号：CN117279490A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311129459.7
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 杨志 , 董春晖 , 崔玉兴 , 王敬轩 , 韩孟序 , 王川宝 , 王帅 , 王敏 , 康建波 , 解涛 , 杨双龙 , 王利芹 , 商庆杰 , 李亮 , 张丹青 , 丁现朋 , 李庆伟 , 张发智 , 刘青林 , 刘冠廷 , 冯立东 , 于峰涛 , 宋红伟 , 任永晓 , 王国清 , 杜少博
IPC: H10N97/00
Abstract: 本发明提供一种硅基三维电容及其制作方法，其中制作方法包括在一硅衬底的表面制备一层介质掩膜层，并在介质掩膜层上刻蚀多个间隔排列的刻蚀微孔直至露出硅衬底；采用深硅刻蚀工艺，对多个间隔排列的刻蚀微孔进行刻蚀，以形成多个间隔排列的第一深孔；去除剩余的介质掩膜层，在形成有多个间隔排列的第一深孔的硅衬底上制备第一多晶硅层；采用深硅刻蚀工艺，对第一深孔内的第一多晶硅层进行刻蚀，以在第一深孔内的第一多晶硅层内形成第二深孔，且第二深孔的底面和侧面均设有第一多晶硅层；在第一硅衬底表面的第一多晶硅层上以及所有间隔排列的第二深孔内依次生长绝缘介质层、第二多晶硅层和电极层。本发明制备的硅基三维电容可以提高电容的密度。
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公开(公告)号：CN110868190B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910964439.9
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构及其制备方法。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；材料层区域；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，并与所述声学谐振器电连接，从而形成一种新型的声学谐振器封装结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN107188110B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710374845.0
申请日：2017-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种圆片级真空封装结构及其制作方法，涉及微电子机械系统与圆片级封装技术领域；包括第一圆片和第二圆片，第一圆片上设有空腔，第一圆片下部设有键合区，第一圆片与第二圆片通过键合区进行圆片键合；第二圆片上设有待封装的器件；第一圆片上设有排气通孔，排气通孔与空腔相靠近；方法简单，通过在空腔邻近区域制备排气通孔，可以在很短的时间内，使空腔内的真空达到或接近键合设备腔室的真空。
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公开(公告)号：CN107244647A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710374164.4
申请日：2017-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: B81B7/0035 , B81C1/00277 , B81C2203/0118
Abstract: 本发明公开了一种圆片级封装结构以及制造方法，涉及微电子机械系统与圆片级封装技术领域；包括第一圆片和第二圆片，第一圆片和第二圆片通过键合区键合，第一圆片上设有空腔；第一圆片上设有与每个空腔都相连通的若干个排气通孔，排气通孔端部设有自封闭结构，自封闭结构不堵塞排气通孔；方法简单，空腔上设置排气通孔，利用排气通孔将空腔内的气体分子迅速排出，使空腔内的真空达到或接近键合设备腔室的真空，键合完毕后能将排气通孔封闭形成真空的空腔。
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公开(公告)号：CN117348337A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311128551.1
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G03F1/70 , G03F7/20 , G06F30/392
Abstract: 本申请提供了光刻掩膜版图层排布方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取多个待排布的图层、每个待排布图层的尺寸和光刻掩膜版的尺寸；对多个待排布的图层进行排序，得到排序结果；基于每个待排布图层的尺寸、光刻掩膜版的尺寸和排序结果，得到每个光刻掩膜版上的图层；基于光刻掩膜版的尺寸、每个光刻掩膜版上的图层和每个待排布图层的尺寸，得到版图利用率；若版图利用率大于等于预设阈值，则将每个光刻掩膜版上的图层作输出；若小于预设阈值，更新排序结果，并跳转至基于每个待排布图层的尺寸、光刻掩膜版的尺寸和排序结果，得到每个光刻掩膜版上的图层的步骤继续执行。本申请可以快速准确的得到最优图层排布方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110868192A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910963667.4
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有封装结构的薄膜体声波谐振器和滤波器。该薄膜体声波谐振器包括衬底、多层结构、腔体和封装结构，多层结构包括第一电极层、压电层和第二电极层，腔体位于多层结构和衬底之间，封装结构包括基板、电路和电气连接。本发明通过设置腔体而形成一种新型的谐振器结构，具有较好的性能；其封装结构不仅能够节省有用的基板空间，同时，基板材料、谐振器制造程序和电路制造程序均会有更多选择。
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公开(公告)号：CN110868190A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910964439.9
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构及其制备方法。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；材料层区域；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，并与所述声学谐振器电连接，从而形成一种新型的声学谐振器封装结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN107188110A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710374845.0
申请日：2017-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: B81B7/0041 , B81C1/00293 , B81C3/001
Abstract: 本发明公开了一种圆片级真空封装结构及其制作方法，涉及微电子机械系统与圆片级封装技术领域；包括第一圆片和第二圆片，第一圆片上设有空腔，第一圆片下部设有键合区，第一圆片与第二圆片通过键合区进行圆片键合；第二圆片上设有待封装的器件；第一圆片上设有排气通孔，排气通孔与空腔相靠近；方法简单，通过在空腔邻近区域制备排气通孔，可以在很短的时间内，使空腔内的真空达到或接近键合设备腔室的真空。
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公开(公告)号：CN110868178B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910963677.8
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器封装系统。该谐振器封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构；所述谐振器包括：衬底和多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；所述封装结构包括：第一衬底、第二衬底、支撑壁、连接柱和包封结构；所述第一衬底与所述谐振器之间设有空腔；所述支撑壁和连接柱设置在第一衬底与第二衬底之间，为所述第一衬底及所述第二衬底上的触点提供电接触；所述包封结构设置在所述第一衬底下方并包围所述支撑壁外侧面延伸至第二衬底下表面。本发明提供一种新型的谐振器封装系统，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868180A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910967972.0
申请日：2019-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体封装件的制作方法及半导体封装件。该半导体封装件的制作方法包括。在第一晶片上形成分离层；在所述分离层上形成帽；使用衬垫键合所述帽和第二晶片；将所述第一晶片和所述帽分离，形成包括所述帽、所述衬垫和所述第二晶片的半导体封装件；其中，所述第二晶片上具有谐振器，所述谐振器包括衬底和多层结构，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体，使用帽结构对第二晶片上具有特殊腔体结构的谐振器等器件或结构进行隔离和保护，从而制造出结构性能更稳定、更优越的半导体封装件。
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