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公开(公告)号：CN110868190B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910964439.9
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构及其制备方法。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；材料层区域；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，并与所述声学谐振器电连接，从而形成一种新型的声学谐振器封装结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868192A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910963667.4
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有封装结构的薄膜体声波谐振器和滤波器。该薄膜体声波谐振器包括衬底、多层结构、腔体和封装结构，多层结构包括第一电极层、压电层和第二电极层，腔体位于多层结构和衬底之间，封装结构包括基板、电路和电气连接。本发明通过设置腔体而形成一种新型的谐振器结构，具有较好的性能；其封装结构不仅能够节省有用的基板空间，同时，基板材料、谐振器制造程序和电路制造程序均会有更多选择。
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公开(公告)号：CN110868190A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910964439.9
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构及其制备方法。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；材料层区域；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，并与所述声学谐振器电连接，从而形成一种新型的声学谐振器封装结构，且具有较好的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110868178B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910963677.8
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器封装系统。该谐振器封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构；所述谐振器包括：衬底和多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；所述封装结构包括：第一衬底、第二衬底、支撑壁、连接柱和包封结构；所述第一衬底与所述谐振器之间设有空腔；所述支撑壁和连接柱设置在第一衬底与第二衬底之间，为所述第一衬底及所述第二衬底上的触点提供电接触；所述包封结构设置在所述第一衬底下方并包围所述支撑壁外侧面延伸至第二衬底下表面。本发明提供一种新型的谐振器封装系统，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868180A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910967972.0
申请日：2019-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体封装件的制作方法及半导体封装件。该半导体封装件的制作方法包括。在第一晶片上形成分离层；在所述分离层上形成帽；使用衬垫键合所述帽和第二晶片；将所述第一晶片和所述帽分离，形成包括所述帽、所述衬垫和所述第二晶片的半导体封装件；其中，所述第二晶片上具有谐振器，所述谐振器包括衬底和多层结构，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体，使用帽结构对第二晶片上具有特殊腔体结构的谐振器等器件或结构进行隔离和保护，从而制造出结构性能更稳定、更优越的半导体封装件。
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公开(公告)号：CN110868179A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910964440.1
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种谐振器封装系统。所述封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构，所述谐振器包括衬底和多层结构，其中在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述封装结构包括第一衬底、第二衬底、若干柱、聚合物层以及包封层。本发明提供的谐振器封装系统，封装严密，适用于多种谐振器。
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公开(公告)号：CN110868178A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910963677.8
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器封装系统。该谐振器封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构；所述谐振器包括：衬底和多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；所述封装结构包括：第一衬底、第二衬底、支撑壁、连接柱和包封结构；所述第一衬底与所述谐振器之间设有空腔；所述支撑壁和连接柱设置在第一衬底与第二衬底之间，为所述第一衬底及所述第二衬底上的触点提供电接触；所述包封结构设置在所述第一衬底下方并包围所述支撑壁外侧面延伸至第二衬底下表面。本发明提供一种新型的谐振器封装系统，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110867509A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910963640.5
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
IPC: H01L41/053 , H01L41/09 , H03H3/02
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；材料层区域；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，从而形成一种新型的声学谐振器封装结构，且具有较好的性能。
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