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公开(公告)号：CN112259632A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011064682.4
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明适用于光电探测技术领域，提供了一种光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括：在衬底上从下至上依次制备的N型欧姆接触层、吸收层以及P型欧姆接触层，在所述N型欧姆接触层和所述吸收层之间制备N型低掺杂的能带渐变层；在所述吸收层和所述P型欧姆接触层之间制备P型渐变掺杂能带渐变层。本发明通过在芯片吸收层上方和下方增加不同掺杂浓度的能带渐变层，从能带和串联电阻角度入手，减小空间电荷屏蔽效应，实现高速、高饱性能。与传统的PIN结构相比，串联电阻减小、电容减小、带宽和饱和度提高，用于5G高速光传输及25G/100G/200G/400G光传送网领域。
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公开(公告)号：CN111524994A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010287158.7
申请日：2020-04-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于混合吸收层背入射高速铟镓砷光电探测器及制备方法，属于光探测器领域，半绝缘衬底的正面上自下至上依次生长N型欧姆接触层、吸收层、P型阻挡层和P型欧姆接触层，半绝缘衬底的背面设有透镜；N型欧姆接触层为台面结构，N型欧姆接触层上形成N电极环，N电极环与半绝缘衬底上的N电极压点相连；P型欧姆接触层上形成P电极环，P电极环与半绝缘衬底上的P电极压点相连，P电极环内定义为光敏区，光敏区设有反射层；吸收层为本征InGaAs层与P型InGaAs层的混合吸收层。本发明引入本征及P型混合吸收层，可以增加对光的吸收；在背面制作透镜，采用背入射进光，可使光纤与透镜的耦合更为容易。
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公开(公告)号：CN117279490A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311129459.7
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 杨志 , 董春晖 , 崔玉兴 , 王敬轩 , 韩孟序 , 王川宝 , 王帅 , 王敏 , 康建波 , 解涛 , 杨双龙 , 王利芹 , 商庆杰 , 李亮 , 张丹青 , 丁现朋 , 李庆伟 , 张发智 , 刘青林 , 刘冠廷 , 冯立东 , 于峰涛 , 宋红伟 , 任永晓 , 王国清 , 杜少博
IPC: H10N97/00
Abstract: 本发明提供一种硅基三维电容及其制作方法，其中制作方法包括在一硅衬底的表面制备一层介质掩膜层，并在介质掩膜层上刻蚀多个间隔排列的刻蚀微孔直至露出硅衬底；采用深硅刻蚀工艺，对多个间隔排列的刻蚀微孔进行刻蚀，以形成多个间隔排列的第一深孔；去除剩余的介质掩膜层，在形成有多个间隔排列的第一深孔的硅衬底上制备第一多晶硅层；采用深硅刻蚀工艺，对第一深孔内的第一多晶硅层进行刻蚀，以在第一深孔内的第一多晶硅层内形成第二深孔，且第二深孔的底面和侧面均设有第一多晶硅层；在第一硅衬底表面的第一多晶硅层上以及所有间隔排列的第二深孔内依次生长绝缘介质层、第二多晶硅层和电极层。本发明制备的硅基三维电容可以提高电容的密度。
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公开(公告)号：CN117348337A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311128551.1
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G03F1/70 , G03F7/20 , G06F30/392
Abstract: 本申请提供了光刻掩膜版图层排布方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取多个待排布的图层、每个待排布图层的尺寸和光刻掩膜版的尺寸；对多个待排布的图层进行排序，得到排序结果；基于每个待排布图层的尺寸、光刻掩膜版的尺寸和排序结果，得到每个光刻掩膜版上的图层；基于光刻掩膜版的尺寸、每个光刻掩膜版上的图层和每个待排布图层的尺寸，得到版图利用率；若版图利用率大于等于预设阈值，则将每个光刻掩膜版上的图层作输出；若小于预设阈值，更新排序结果，并跳转至基于每个待排布图层的尺寸、光刻掩膜版的尺寸和排序结果，得到每个光刻掩膜版上的图层的步骤继续执行。本申请可以快速准确的得到最优图层排布方案。
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公开(公告)号：CN112259632B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202011064682.4
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明适用于光电探测技术领域，提供了一种光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括：在衬底上从下至上依次制备的N型欧姆接触层、吸收层以及P型欧姆接触层，在所述N型欧姆接触层和所述吸收层之间制备N型低掺杂的能带渐变层；在所述吸收层和所述P型欧姆接触层之间制备P型渐变掺杂能带渐变层。本发明通过在芯片吸收层上方和下方增加不同掺杂浓度的能带渐变层，从能带和串联电阻角度入手，减小空间电荷屏蔽效应，实现高速、高饱性能。与传统的PIN结构相比，串联电阻减小、电容减小、带宽和饱和度提高，用于5G高速光传输及25G/100G/200G/400G光传送网领域。
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