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公开(公告)号：CN116699651A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310636764.9
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于救生设备技术领域，提供了救生终端及其控制方法。该救生终端包括按键开关、触水开关、开关管、电池单元、定位单元、指示灯、控制单元和信号发射单元，按键开关或触水开关被触发后，开关管导通，使得电池单元为所述控制单元供电，控制单元控制电池单元为定位单元和指示灯供电，使得定位单元和指示灯开启工作；定位单元获取当前位置信息发送给控制单元，控制单元控制电池单元为信号发射单元供电，使得信号发射单元开启工作，控制单元将当前位置信息通过信号发射单元发射出去。本申请能够大大增加救生终端的工作时间和待机时间。
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公开(公告)号：CN111262529B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010123495.2
申请日：2020-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。
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公开(公告)号：CN116230701A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310225802.1
申请日：2023-03-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种系统级数模混合芯片封装结构及方法，该结构包括均设置焊盘阵列的数字电路基板、第一垂直互联电路板、模拟电路基板、第二垂直互联电路板和载板；数字电路基板同轴垂直设置在模拟电路基板的上方，数字电路基板通过第一垂直互联电路板与模拟电路基板连接；载板同轴垂直设置在模拟电路基板的下方，载板通过第二垂直互联电路板与模拟电路基板连接；第一垂直互联电路板和第二垂直互联电路板均为垂直互联结构。数字电路基板的上表面和下表面均设置数字电路芯片封装区域，模拟电路基板的上表面和下表面均设置模拟电路芯片封装区域。本发明能够在集成多种类型的多种元件的基础上，为数字电路和模拟电路提供隔离保护空间，提高系统级封装件的集成密度，减小封装件的封装体积与封装高度。
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公开(公告)号：CN114244298A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111584254.9
申请日：2021-12-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G11/00
Abstract: 本发明适用于微波通信技术领域，提供了一种基于反馈的微波限幅器及收发装置，上述限幅器包括：包括：双向耦合器、第一正向检波模块、第二正向检波模块、第一扼流电感、第二扼流电感、PIN二极管、第一电容、天线端及功率发射端；双向耦合器，第一主支路端与天线端连接，第二主支路端分别与第一扼流电感的第一端、PIN二极管的正极及功率发射端连接，第一耦合端与第一正向检波模块的输入端连接，第二耦合端与第二正向检波模块的输入端连接；第一正向检波模块的输出端与第一扼流电感的第二端连接；本发明基于双向耦合器的特性，当有大功率信号注入时，两个检波模块叠加作用到PIN二极管的两端，单向限幅，实现了对大功率信号的单向防护。
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公开(公告)号：CN111370832B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202010206509.7
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种脊波导与玻珠包带的连接结构及微波器件，属于微波封装技术领域，包括脊波导本体、金带环和玻珠，脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体，至少所述脊体的上表面设有第一镀层；金带环连接于所述第一镀层上；玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体连接的探针，所述探针的外表面包覆第二镀层，所述探针伸入所述金带环内且与所述金带环的内壁接触。本发明提供的脊波导与玻珠包带的连接结构，由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接，避免了焊接过程中的应力形变，探针直接插入金带环中，利用金带环的弹性，实现一定的弹性接触，在工作时，具有一定的调节性，避免产生应力损伤，使得连接可靠，保证器件的平稳运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111370832A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010206509.7
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种脊波导与玻珠包带的连接结构及微波器件，属于微波封装技术领域，包括脊波导本体、金带环和玻珠，脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体，至少所述脊体的上表面设有第一镀层；金带环连接于所述第一镀层上；玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体连接的探针，所述探针的外表面包覆第二镀层，所述探针伸入所述金带环内且与所述金带环的内壁接触。本发明提供的脊波导与玻珠包带的连接结构，由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接，避免了焊接过程中的应力形变，探针直接插入金带环中，利用金带环的弹性，实现一定的弹性接触，在工作时，具有一定的调节性，避免产生应力损伤，使得连接可靠，保证器件的平稳运行。
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公开(公告)号：CN110868793A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911154977.8
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于微波电路设计技术领域，提供了一种屏蔽结构和三维集成微波电路，包括：下基板、下基板接地焊盘、上基板和上基板接地焊盘。屏蔽接地焊球设置在下基板接地焊盘与上基板接地焊盘之间；屏蔽接地焊球排列形成至少一个封闭图形，封闭图形构成屏蔽腔。本申请实施例提供的屏蔽结构及三维集成微波电路，利用屏蔽接地焊球排列形成封闭的屏蔽腔。通过控制构成每个屏蔽腔的相邻屏蔽接地焊球的距离，能够达到良好的电磁波屏蔽和隔离效果。经试验，本申请实施例提供的屏蔽结构在毫米波频段隔离度可以达到40dBc以上，有效解决了小型化三维电路中电磁兼容和电磁干扰的问题。
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公开(公告)号：CN117747545A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311735431.8
申请日：2023-12-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/768 , H01L25/065 , H01L25/00
Abstract: 本申请适用于限幅器技术领域，提供了限幅器MMIC芯片及其制备方法。该限幅器MMIC芯片的制备方法包括：在硅基晶圆的上表面制备PIN二极管；在已制备PIN二极管的硅基晶圆的上表面制备绝缘介质层；将绝缘介质层与PIN二极管的P极区域和接地焊盘区域对应的部分刻蚀掉，并对硅基晶圆与接地焊盘区域对应的部分继续刻蚀至硅基晶圆的N+层；通过电镀金属在PIN二极管的P极区域和接地焊盘区域制备PIN二极管的上电极与接地焊盘；在硅基晶圆的上表面制备外围电路；在硅基晶圆的下表面制备PIN二极管的下电极；在外围电路上的植球焊盘上制备金球凸点；将GaN肖特基二级管芯片倒装焊接在植球焊盘上。本申请制备的芯片集成度高、体积小。
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公开(公告)号：CN111029296B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201911155696.4
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , H05K1/14
Abstract: 本发明提供了一种堆叠间距可控的多层基板堆叠结构的制备方法，属于微波电路领域，包括步骤：获取上基板和下基板之间的目标堆叠间距和初选工艺参数，目标堆叠间距为上基板下表面和下基板上表面之间的预设间距，初选工艺参数为堆叠过程中预先设定的至少一个工艺参数；根据目标堆叠间距以及初选工艺参数确定调节工艺参数，调节工艺参数用于影响焊球的高度；基于初选工艺参数和所述调节工艺参数，在上基板下表面的第一焊盘上植入焊球；将第一焊盘上的焊球通过再流焊焊接在下基板上表面的第二焊盘上。本发明提供的制备方法只需提前获取各个参数，在操作的时候对应进行调整，就能够方便的调节目标堆叠间距，实现调整虚拟金属腔体的谐振频率。
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公开(公告)号：CN118316406A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410325465.8
申请日：2024-03-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 高长征 , 孙一航 , 邓世雄 , 罗建 , 陈书宾 , 刘飞飞 , 孙计永 , 王生明 , 王磊 , 宋学峰 , 周彪 , 王乔楠 , 马维龙 , 陈帅 , 李丰 , 郭丰强 , 肖宁 , 吴波
Abstract: 本发明提供一种碳化硅基半有源耦合检波限幅器及其组件，该限幅器包括上层芯片和下层芯片。上层芯片包括硅基PIN二极管。下层芯片包括碳化硅衬底、碳化硅肖特基二极管和辅助电路。碳化硅肖特基二极管和辅助电路通过芯片制造工艺制备在碳化硅衬底上，其中，辅助电路包括耦合器、匹配电路和键合焊盘。硅基PIN二极管通过键合焊盘键合在碳化硅衬底上。本发明实施例将功率容量大的硅基PIN二极管与热导率高的碳化硅基肖特基二极管相结合，在确保限幅器高耐受功率的同时，大幅度缩小电路尺寸，提升了集成度。
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