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公开(公告)号：CN111224688B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201911397251.7
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请公开了一种射频前端芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述射频前端芯片结构包括：功放开关芯片、位于功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电性连接；限幅低噪声放大器芯片的下表面与屏蔽芯片的上表面电性连接；功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片通过屏蔽芯片进行电性连接。本申请中射频前端芯片为垂直堆叠结构，且功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片之间通过屏蔽芯片进行信号屏蔽和隔离，有利于缩小射频前端结构的尺寸。
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公开(公告)号：CN117856810A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410036026.5
申请日：2024-01-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 肖宁 , 宋学峰 , 王磊 , 周彪 , 戈江娜 , 徐达 , 郭丰强 , 赵晨安 , 李贺斌 , 胡欣媛 , 郭君 , 刘爱平 , 方利 , 王坤 , 刘文豹 , 郭立涛 , 陈南庭 , 崔亮 , 刘晓莉 , 李亚丽 , 刘方罡 , 杨琦
Abstract: 本发明提供一种有源相控阵T/R组件、组装方法及无线收发系统。该组件包括射频模块、电源模块和集合口模块；射频模块分别与电源模块和集合口模块连接；射频模块设置有射频天线接口，集合口模块设置有射频集合接口，电源模块设置有电源控制接口；射频天线接口、射频集合接口和电源控制接口均为可插拔式接口；射频天线接口、射频集合接口和电源控制接口均指向同一方向。本申请中的射频天线接口、射频集合接口和电源控制接口均为可插拔式接口，方便装配和拆卸，同时这三个接口均指向同一方向，可以将该T/R组件直接与有源相控阵整机结构进行可插拔式装配和拆卸，可以简化有源相控阵T/R组件和有源相控阵整机结构的装配与拆卸过程。
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公开(公告)号：CN116996031A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310894960.6
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 崔亮 , 王磊 , 曾雁声 , 杨琦 , 戴剑 , 陈南庭 , 宋学峰 , 郝俊祥 , 王海龙 , 兰斌 , 杨楠 , 任健 , 冯晗琛 , 成立鑫 , 张忠山 , 杨旭达 , 吴浩洋
IPC: H03F1/32 , H03F1/42 , H03K19/0175 , H03H11/16 , H03H11/24
Abstract: 本发明提供一种宽带模拟预失真线性化器。该宽带模拟预失真线性化器包括：输入90°耦合器、线性支路、非线性支路、输出90°耦合器以及支路控制模块；输入90°耦合器的第一端作为宽带模拟预失真线性化器的信号输入端，直通端连接线性支路的输入端，耦合端连接非线性支路的输入端；线性支路的输出端连接输出90°耦合器的直通端；非线性支路的输出端连接输出90°耦合器的耦合端；输出90°耦合器的第一端作为宽带模拟预失真线性化器的信号输出端；支路控制模块分别连接线性支路的控制电压端以及非线性支路的控制电压端。本发明能够调节宽带模拟预失真线性化器的工作状态，以适应不同型号的功率放大器。
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公开(公告)号：CN116404988A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310224502.1
申请日：2023-03-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种电流复用低噪声放大器及集成电路。该电流复用低噪声放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一偏置电路、第二偏置电路、电流复用电路、输入匹配电路、第一级间匹配电路、第二级间匹配电路和输出匹配电路；第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管三级级联；第一偏置电路、第二偏置电路和电流复用电路共同用于使第一晶体管和第二晶体管复用第三晶体管的电流。输入匹配电路、第一偏置电路、第二偏置电路、第一级间匹配电路和第二级间匹配电路共同实现噪声匹配和阻抗匹配。本申请提供的电流复用低噪声放大器具有高输出功率、高线性度、低噪声和高增益，具备高通用性，可以应用于更多系统中。
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公开(公告)号：CN111048492B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201911401636.6
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/07 , H01L23/60 , H01L23/498
Abstract: 本申请公开了一种限幅低噪声放大器芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述限幅低噪声放大器芯片结构包括：限幅器芯片、位于限幅器芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与限幅器芯片的上表面电性连接；低噪声放大器芯片的下表面与屏蔽芯片的上表面电性连接；低噪声放大器芯片与限幅器芯片电性连接。本申请中限幅低噪声放大器芯片为垂直堆叠结构，且限幅器芯片与低噪声放大器芯片之间通过屏蔽芯片进行信号屏蔽和隔离，有利于缩小限幅低噪声放大器的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111224688A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911397251.7
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请公开了一种射频前端芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述射频前端芯片结构包括：功放开关芯片、位于功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电性连接；限幅低噪声放大器芯片的下表面与屏蔽芯片的上表面电性连接；功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片通过屏蔽芯片进行电性连接。本申请中射频前端芯片为垂直堆叠结构，且功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片之间通过屏蔽芯片进行信号屏蔽和隔离，有利于缩小射频前端结构的尺寸。
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公开(公告)号：CN116566331A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310349515.1
申请日：2023-04-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 刘飞飞 , 任健 , 郝俊祥 , 戴剑 , 崔亮 , 王磊 , 宋学峰 , 杨琦 , 陈南庭 , 王海龙 , 杨楠 , 曾雁声 , 冯晗琛 , 成立鑫 , 张忠山 , 杨旭达 , 吴浩洋
Abstract: 本发明提供一种双频低噪声放大电路。该双频低噪声放大电路包括：第一放大支路以及第二放大支路；第一放大支路与第二放大支路并联连接；第一放大支路的输入端与第二放大支路的输入端作为双频低噪声放大电路的输入端；第一放大支路的输出端与第二放大支路的输出端作为双频低噪声放大电路的输出端；第一放大支路，用于对输入信号进行滤波，得到第一工作频段的信号，并对第一工作频段的信号进行放大处理；第二放大支路，用于对输入信号进行滤波，得到第二工作频段的信号，并对第二工作频段的信号进行放大处理；第一工作频段和第二工作频段互不重叠。本发明能够降低噪声系数并减小芯片面积。
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公开(公告)号：CN116232350A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310175294.0
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法。该电路包括：收发端口、发射支路和接收支路。第一GaN功率开关管的源极连接在发射支路的输出端与GaN功率放大器的输出端之间，漏极接地。在GaN功率放大器的输出端设有串联电感。串联电感和第一GaN功率开关管的等效电容用于实现GaN功率放大器的输出端的阻抗匹配，其中，等效电容是第一GaN功率开关管在截止状态时的等效电容。本发明能够将串联电感、GaN功率开关管的等效电容构成LC阻抗匹配电路，实现GaN功率放大器的输出端的阻抗匹配。既避免了GaN功率开关管对GaN功率放大器的输出阻抗匹配的影响，又减少了器件数量、减小了GaN射频前端电路的体积。
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公开(公告)号：CN117013964A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310953995.2
申请日：2023-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 任健 , 崔亮 , 王磊 , 杨琦 , 戴剑 , 陈南庭 , 宋学峰 , 郝俊祥 , 王海龙 , 刘飞飞 , 杨楠 , 冯晗琛 , 成立鑫 , 张忠山 , 杨旭达 , 曾雁声 , 吴浩洋 , 王学孟 , 赵广营
Abstract: 本发明提供一种自偏置结构、可变电流放大器及电子装置，其中，自偏置结构包括旁路电容、插入源电阻、多个焊盘和多个片外电阻器；旁路电容的一端与接地孔连接，另一端用于与晶体管的源极连接；插入源电阻的一端与接地孔连接；多个焊盘至少包括5个焊盘，分别为第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘和第五焊盘，第一焊盘的一端用于与晶体管的源极连接，第二焊盘的一端与插入源电阻的另一端连接；第一片外电阻器的两端分别设有第三焊盘和第四焊盘；第二片外电阻器的一端设有第五焊盘，其另一端与接地孔连接；通过改变多个焊盘的连接方式和/或改变多个片外电阻器的阻值，以改变接入到晶体管源极的电阻值。本发明可以改变放大器的工作电流。
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公开(公告)号：CN111048492A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911401636.6
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/07 , H01L23/60 , H01L23/498
Abstract: 本申请公开了一种限幅低噪声放大器芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述限幅低噪声放大器芯片结构包括：限幅器芯片、位于限幅器芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与限幅器芯片的上表面电性连接；低噪声放大器芯片的下表面与屏蔽芯片的上表面电性连接；低噪声放大器芯片与限幅器芯片电性连接。本申请中限幅低噪声放大器芯片为垂直堆叠结构，且限幅器芯片与低噪声放大器芯片之间通过屏蔽芯片进行信号屏蔽和隔离，有利于缩小限幅低噪声放大器的尺寸。
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