公开(公告)号：CN116232350A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310175294.0

申请日：2023-02-28

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 陈然 ,  刘帅 ,  赵瑞华 ,  戴剑 ,  崔亮 ,  梁廷敬 ,  宋学峰 ,  王凯 ,  陈南庭 ,  王海龙 ,  杨琦 ,  成立鑫 ,  王晟 ,  王飞

IPC: H04B1/04 ,  H04B1/40

Abstract: 本发明提供一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法。该电路包括：收发端口、发射支路和接收支路。第一GaN功率开关管的源极连接在发射支路的输出端与GaN功率放大器的输出端之间，漏极接地。在GaN功率放大器的输出端设有串联电感。串联电感和第一GaN功率开关管的等效电容用于实现GaN功率放大器的输出端的阻抗匹配，其中，等效电容是第一GaN功率开关管在截止状态时的等效电容。本发明能够将串联电感、GaN功率开关管的等效电容构成LC阻抗匹配电路，实现GaN功率放大器的输出端的阻抗匹配。既避免了GaN功率开关管对GaN功率放大器的输出阻抗匹配的影响，又减少了器件数量、减小了GaN射频前端电路的体积。

公开(公告)号：CN117166040A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310829777.8

申请日：2023-07-07

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 王书杰 ,  孙聂枫 ,  史艳磊 ,  王阳 ,  顾占彪 ,  梁廷敬 ,  高颖 ,  姜剑 ,  张晓丹

IPC: C30B15/14 ,  C30B29/38

Abstract: 一种高压气氛无坩埚直拉生长氧化镓单晶的装置及方法，涉及半导体晶体材料的制备，所述装置包括炉体，设置在炉体底部的支撑盘、支撑盘上方的连接铱杆的铱盘、铱盘周边的感应线圈、感应线圈周边设置的冷却风扇和设置在炉体上部的退火装置。感应加热配合铱盘进行加热，实现多晶的初步熔化，利用高压气氛下的强对流效应带走氧化镓多晶表面的热量，使得熔池仅仅产生在氧化镓多晶的中心区域，利用直拉法生长晶体。本发明实现无坩埚生长氧化镓，熔体污染少，且生长界面的温度梯度高，可以实现高成品率且低应力的氧化镓单晶生长。