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公开(公告)号：CN120006394A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510261167.1
申请日：2025-03-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种利用液态磷与铟合成磷化铟的方法以及装置，涉及磷化铟制备技术领域。该利用液态磷与铟合成磷化铟的方法，S1.将红磷放置在石英坩埚内，在红磷上放置多孔石英板，在多孔石英板上方放置氧化硼和铟；S2.给炉体抽真空至10‑5～10Pa，冲入惰性气体压力至100MPa以上；S3.给石英坩埚加热到500℃以后，以1‑2℃/min的速率加热至700℃，实现液态磷和铟的混合融合为磷‑铟熔体，静置5‑20min后，熔体散热至700℃后，形成磷化铟多晶，S4.给石英坩埚继续加热至1150℃，提起并移动多孔石英板远离石英坩埚上方，然后下降籽晶，接触磷‑铟熔体后提拉出晶体，S5.给炉体泄压，取出晶体。本发明中，该方法简化了整体工艺流程，降低了技术门槛，使得磷化铟的生产更具可操作性。
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公开(公告)号：CN116791188A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310773170.2
申请日：2023-06-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提出一种感应区熔法生长氧化镓晶体的装置，涉及半导体晶体材料的制备，所述装置包括供晶体生长的密封炉体、炉体外的氧化镓添加装置，炉体和氧化镓添加装置连通；使用装置时，首先在籽晶中加入铱棒，然后利用感应加热铱棒，使得籽晶中心区域形成初始熔池，然后下降多晶棒材直至其接触头与初始熔池接触，待熔化界面稳定以后，上移感应线圈，实现氧化镓单晶生长。同时，像生长坩埚中注入富镓熔体，坩埚内的氧化镓单晶与富镓熔体处于热力学平衡，实现对生长单晶的退火。本发明不使用铱坩埚，仅使用一根铱棒作为在生长初期感应源，实现区熔法单晶生长，生长成本低，熔体污染少。
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公开(公告)号：CN114824716A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210423545.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明提供一种三等分功率分配器及微波发射系统，其中，三等分功率分配器包括：一个第一一分二功分器和两个第二一分二功分器；第一一分二功分器的分配比为1:1，第二一分二功分器的分配比为1:2，第一一分二功分器的输入端作为信号输入端，第一一分二功分器的两支路的末端分别通过特性阻抗微带线连接一个第二一分二功分器，两个第二一分二功分器的小功率支路汇合成第二信号输出端，两个第二一分二功分器的大功率支路的末端分别连接特性阻抗微带线作为第一信号输出端和第三信号输出端。本发提供的三等分功率分配器结构简单、性能较高。
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公开(公告)号：CN105510648A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610024246.1
申请日：2016-01-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: G01R1/0425 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。本发明包括测试盒体、PCB板、压块、直流偏置引出端、射频输入输出引出端，PCB板置于测试盒体内，PCB板包括馈电匹配电路和射频输入输出微带；馈电匹配电路分为栅极馈电匹配电路和漏极馈电匹配电路两部分，栅极馈电匹配电路包括双扇形线、两个RC滤波网络、栅极偏置电阻、栅极滤波电容，漏极馈电匹配电路包括双扇形线、两个RC滤波网络、漏极滤波电容；直流偏置引出端由两个穿心电容从馈电匹配电路上引出；射频输入输出引出端为同轴传输转微带传输接头。本发明解决了微波器件超大功率测试过程中存在漏极泄露射频信号隔离度不够的问题，能够避免直流偏置模块烧毁，保证测试结果真实有效。
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公开(公告)号：CN119218945A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411392678.9
申请日：2024-10-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种利用半导体磷化铟回收磷和铟的装置和方法，属于半导体材料技术领域，装置包括密封的炉体、炉体内的坩埚、炉体上部的冷却筒及冷却装置、设置在冷却筒中央的装料桶及加热装置，装料桶和冷却筒配套有测温装置，装料桶上设置排气孔和排流孔。通过加热装料桶将其中的磷化铟分解为磷和铟，磷气体通过排气孔排出，沉积在冷却筒内壁上，液态铟通过排铟孔滴至坩埚中，再用石英仔晶将坩埚中的铟生长、拉出。使用本发明的装置和方法，磷化铟回收操作简单，效率高，在回收过程中对环境造成污染的材料，对环境友好；回收过程不破坏装置，装置可以重复使用；在回收的同时，对铟进行初步提纯，避免了在回收过程中对铟的污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118278181A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410357686.3
申请日：2024-03-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本申请适用于微波技术领域，提供了振荡器和天线的联合设计方法和测试方法，该设计方法包括：建立目标振荡器的振荡器模型，并计算目标振荡器的最优负载阻抗；建立目标天线的天线模型，并计算目标天线的最优负载阻抗；将目标振荡器的最优负载阻抗的共轭阻抗匹配到目标天线的最优负载阻抗的共轭阻抗；级联完成匹配后的目标振荡器和目标天线，得到完成联合设计的振荡器和天线。本申请能够提高整机的有效输出功率和效率。
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公开(公告)号：CN115242190A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210994196.5
申请日：2022-08-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B5/12
Abstract: 本申请适用于电子电路装置技术领域，提供了一种功率振荡器及其设计方法。该功率振荡器包括：GaN管芯，栅极与反馈环路的第一端相连接，漏极分别与反馈环路的第二端、负载匹配电路的第一端连接，源极接地；反馈环路的第三端分别与栅极偏置电路的第一端、调谐电路的第一端相连；调谐电路的第二端用于接入调谐电源信号；负载匹配电路的第二端与漏极偏置电路的第一端连接；栅极偏置电路的第二端用于接入栅极电源信号，漏极偏置电路的第二端用于接入漏极电源信号；负载匹配电路的第三端用于输出射频信号。本申请能够节省元器件，缩短射频源的级联链路，大幅度降低体积和成本，可提升功率附加效率7％～12％。
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公开(公告)号：CN114944828A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210451581.5
申请日：2022-04-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于射频电路技术领域，提供了一种均衡网络及微波组件。该均衡网络包括：第一射频输入端口、第一射频输出端口、第一电容、第二电容、第一T型节、第二T型节、第一微带线与第二微带线；其中第一电容的一端与第一射频输入端口连接，另一端与第一T型节的第一端连接；第二电容的一端与第一T型节的第二端连接，另一端与第二T型节的第一端连接；第一T型节的第三端与第一微带线的第一端连接；第二T型节的第二端与第一射频输出端口连接，第三端与第二微带线的第一端连接；第一微带线的第二端接地；第二微带线的第二端接地。本申请提供的均衡网络，能够有效抑制微波脉冲调制中由PIN开关引起的射频泄漏信号，避免损坏敏感器件。
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公开(公告)号：CN114824717A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210423845.6
申请日：2022-04-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明提供一种带隔离的三等分功率分配器及微波发射系统，其中，带隔离的三等分功率分配器，包括：一个分配比为1:2的第一混合环和一个分配比为1:1的第二混合环；第一混合环的第一端口为信号输入端，第一混合环的第二端口连接第二混合环的第一端口，第二混合环的第二端口和第三端口以及第一混合环的第三端口分别为三等分功率分配器的三个信号输出端；其中，第一混合环的第二端口为功率大的端口。本发提供的带隔离的三等分功率分配器结构简单、性能较高、且具有良好的隔离度。
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公开(公告)号：CN118390151A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410264199.2
申请日：2024-03-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种熔体迁移法生长化合物半导体单晶的方法，属于化合物单晶的制备领域，本发明设计两个迁移熔池，在温度梯度下小尺寸籽晶通过纵向熔池横向迁移长大，然后通过横向熔池纵向迁移来获得大尺寸长化合物半导体单晶。通过控制横向和纵向温度梯度来实现上述过程，同时设计了导通探测器，探测迁移熔池的生长进程，进而精确控制温度梯度转化和生长工艺。由于采用小尺寸单晶籽晶，节省了单晶籽晶的制备成本和难度，降低了位错密度。该方法可用于氧化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等III‑V族化合物半导体的制备，同样适用于II‑VI族化合物半导体的制备。
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