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公开(公告)号：CN115558984B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211148102.9
申请日：2022-09-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种无坩埚制备大尺寸半导体晶体的方法，属于半导体材料的制备领域，所述方法包括以下步骤：步骤1、将籽晶和多晶分离设置；步骤2、加热籽晶和多晶远端的端面，端面温度小于半导体的熔点；步骤3、加热籽晶端面是籽晶部分融化，在籽晶端面中心形成初始熔区；步骤4、在垂直于晶籽的方向施加交变磁场；步骤5、在初始熔区区域施加约束磁场；步骤6、多晶与籽晶接触；步骤7、控制远端面温度，多晶持续融化，熔池向多晶方向移动，单晶向多晶方向生长，实现半导体单晶的制备。本发明提出的方法，无需坩埚、生长界面稳定且不受半导体晶体的尺寸的影响，本发明还适用于氧化镓等熔点高且易于与坩埚反应的晶体制备。
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公开(公告)号：CN114824717B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210423845.6
申请日：2022-04-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P5/12
摘要： 本发明提供一种带隔离的三等分功率分配器及微波发射系统，其中，带隔离的三等分功率分配器，包括：一个分配比为1:2的第一混合环和一个分配比为1:1的第二混合环；第一混合环的第一端口为信号输入端，第一混合环的第二端口连接第二混合环的第一端口，第二混合环的第二端口和第三端口以及第一混合环的第三端口分别为三等分功率分配器的三个信号输出端；其中，第一混合环的第二端口为功率大的端口。本发提供的带隔离的三等分功率分配器结构简单、性能较高、且具有良好的隔离度。
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公开(公告)号：CN116657245A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310597129.4
申请日：2023-05-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了超临界流体状态下生长晶体的装置及方法，属于半导体材料的制备领域，所述装置包括炉体、上下设置在炉体内部的高温室、生长室和贯穿高温室、生长室的反应气体通道；在高温室中的坩埚中放置单质熔体，将超临界流体通过反应气体通道注入到熔体中，在高温下，熔体原子混合进入高温超临界流体中，超临界流体然后进入生长室中，遇到温度较低的籽晶，开始生长化合物晶体。采用本发明提出的装置和方法，原料不使用多晶料而使用纯元素A，反应气体即起到携带纯元素A的作用，在生长室还与纯元素A合成晶体，提高效率；反应气体在反应过程中从外部注入，速度和数量可控，加快晶体生长。
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公开(公告)号：CN115290997A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210743223.1
申请日：2022-06-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提供一种基于重心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的重心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据负载校准件修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN113502546B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110760633.2
申请日：2021-07-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种磁场下合成及连续生长磷化物的方法，属于半导体材料制备领域，特别是在静态磁场作用下，采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的方法。方法包括A、加热坩埚，使坩埚内的金属和覆盖物氧化硼融化；B、将红磷浸入坩埚；C、在坩埚外围施加静磁场，调节温度梯度，开始合成；D、合成完毕后，进行晶体生长。采用本发明提供的方法，红磷以固体的形式沉入熔体，气化后从坩埚底部上浮，克服了采用磷泡产生的倒吸等问题；横向静磁场抑制气泡上浮速率，同时抑制温度梯度方向的熔体对流，使合成过程更加平稳、迅速。
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公开(公告)号：CN113308740B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110618255.4
申请日：2021-06-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种半绝缘磷化铟的制备方法，属于晶体制备领域，使用半绝缘磷化铟的制备装置完成，所述制备装置包括密闭的炉体及炉体内的坩埚，包括以下步骤：步骤A、加热铟，形成铟熔体；步骤B、炉体内充入0.02‑0.3MPa的氢气，保压1‑5小时；将液态氧化硼覆盖在熔体表面；步骤C、炉体内充入6‑15MPa的惰性气体；步骤D、向铟熔体内注入磷气体；步骤E、晶体生长；步骤F、原位退火，完成半绝缘磷化铟的制备。采用本发明提出的方法，可以完成晶体的生长，并且在合适的空间内实现晶体的原位退火，尤其是需要在磷气氛下退火时，保证磷气体不凝结，维持退火空间内的压力，建立良好的退火环境，保证半绝缘磷化铟晶体质量。
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公开(公告)号：CN113308744B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110618242.7
申请日：2021-06-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种半绝缘磷化铟的制备装置，属于晶体制备领域，包括炉体，炉体内设置坩埚及加热和支持系统、穿过炉体的籽晶杆，在炉体侧面设置氢气管、惰性气体管、排气管；在炉体内设置有注入器，连接注入器的注入升降杆探出炉体外；在炉体内还设置原位退火装置。采用本发明提出的制备装置，可以完成晶体的生长，并且在合适的空间内实现晶体的原位退火，尤其是需要在磷气氛下退火时，保证磷气体不凝结，维持退火空间内的压力，建立良好的退火环境，保证半绝缘磷化铟晶体质量。
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公开(公告)号：CN112332658B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202011134919.1
申请日：2020-10-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于电力技术领域，提供了一种多电平变换器的控制方法，所述方法包括：采集LC滤波器在一个驱动脉冲周期内的电感电流；基于电感电流的上升时段的斜率确定待调节的第一开关管以及待调节的第一开关管的占空比调节量，基于待调节的第一开关管的占空比调节量对待调节的第一开关管的占空比进行调节；基于电感电流的下降时段的斜率确定待调节的第二开关管以及待调节的第二开关管的占空比调节量，基于待调节的第二开关管的占空比调节量对待调节的第二开关管的占空比进行调节。本发明只需采集LC滤波器的电感电流即可控制多电平变换器的各个飞跨电容电压达到均衡，实现方法简单且不受多电平变换器的电平数量的影响。
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公开(公告)号：CN113849958A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110938374.8
申请日：2021-08-16
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明提供一种在片S参数测量系统串扰误差修正方法及电子设备。该方法包括：对串扰校准件仿真，得到串扰S参数；采用在片S参数测量系统测量串扰校准件，得到并联S参数；并联S参数包括串扰误差；根据串扰S参数、并联S参数以及Y参数与S参数的转换关系，确定在片S参数测量系统的串扰误差，并根据串扰误差对在片S参数系统进行修正。本发明能够提高在片S参数测量系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN111128964B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201911226284.5
申请日：2019-12-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/48
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种纳米尺寸的线距标准样片，包括基板和设置于所述基板上的光栅图形区，还包括位于所述光栅图形区外的三级光栅循迹标志，通过三级循迹标志可以快速准确找到光栅有效区域，解决现有标准样片无法快速找到有效区域的问题。本发明纳米尺寸的线距标准样片的制备方法采用电子束光刻和投影光刻两种工艺，将光栅和循迹标志精确刻画在样片上，保障校准测量仪器的准确性。
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