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公开(公告)号：CN111573616B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010334963.0
申请日：2020-04-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供了一种复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法，属于微纳米计量技术领域，包括具有深度和宽度尺寸的沟槽结构、正交扫描定位结构、切片定位结构、定位角结构以及沟槽定位结构；正交扫描定位结构、切片定位结构以及沟槽定位结构均分设于沟槽结构的长度方向的两侧，定位角结构设于标准样板的四角；沟槽的深宽比大于等于10:1。本发明提供的复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法，能够准确测量沟槽或台阶标准样板的宽度和深度，同时复现测量过程中两个参数结果之间存在的影响，提高测试数据的准确性，降低标准样板的成本。
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公开(公告)号：CN111192242B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201911342867.4
申请日：2019-12-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于半导体测试技术领域，提供了一种微米级格栅特征的一致性检测方法、装置及终端设备，该方法包括：采集微米级格栅图像，并对微米级格栅图像进行特征提取，获得微米级格栅图像中每个格栅的宽度特征和长度特征；根据每个格栅的宽度特征和每个格栅的长度特征，确定微米级格栅图像的格栅宽度方向一致性检测参数和微米级格栅图像的格栅长度方向一致性检测参数；根据格栅宽度方向一致性检测参数和格栅长度方向一致性检测参数，获得微米级格栅图像的格栅特征一致性检测结果。本发明的微米级格栅特征的一致性检测方法，检测结果客观准确，可以简单直观表示微米级格栅图像的格栅一致性。
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公开(公告)号：CN111578848B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010333627.4
申请日：2020-04-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明适用于微纳米测量仪器计量技术领域，提供了一种线宽标准样片的线宽量值确定的方法及系统，该方法包括：对椭偏仪进行校准；建立基于多层膜沉积工艺的多层膜厚样片测量模型，并在所述多层膜厚样片测量模型建立过程中对初次校准后的椭偏仪进行再次校准；基于多层膜沉积工艺沉积多层膜厚样片；采用再次校准后的椭偏仪，对所述多层膜厚样片的薄膜厚度进行测量，得到测量结果，并将所述测量结果作为线宽标准样片的线宽量值，从而可以确定纳米级线宽标准样片的量值，提高纳米级线宽标准样片定值的准确度。
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公开(公告)号：CN110310312B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910615299.4
申请日：2019-07-09
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G06T7/33
摘要： 本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样上的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各个候选图像与指定基准图像的互相关度，基于互相关度，得到选中图像，若选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，将选中图像确定为目标图像的配准图像；否则，将选中图像对应的平移量和零平移点的平移量的差值与预设平移量进行比较，对本次平移图样进行不同的操作更新，获得下一次平移图样，并基于下一次平移图样进行平移配准，直到选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，本发明能够提高显微热成像测量温度的准确性。
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公开(公告)号：CN106091952B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610375187.2
申请日：2016-05-31
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明公开了一种光谱型椭偏仪椭偏角的校准方法，包括如下步骤：第一步，确定膜厚标准样片的材料；第二步，确定膜厚标准样片的薄膜厚度，使得在所述薄膜厚度下得到的椭偏角能够覆盖所需校准的光谱型椭偏仪椭偏角的范围；第三步，制作膜厚标准样片；第四步，使用多台标准光谱型椭偏仪进行比对测量，确定膜厚标准样片的椭偏角的标准值，即为定标；第五步，使用膜厚标准样片对所需校准的光谱型椭偏仪的椭偏角进行校准，椭偏角的测量误差由所需校准的光谱型椭偏仪的椭偏角测量值与椭偏角的标准值相比较确定。本发明能根据需要全面覆盖光谱型椭偏仪椭偏角的测量范围，校准准确可靠。
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公开(公告)号：CN109444473A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811582064.1
申请日：2018-12-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01Q30/20
摘要： 本发明适用于显微镜校准技术领域，提供了一种线宽标准样片及线宽标准样片中标准线条的循迹方法，所述方法包括：在所述线宽标准样片中查找循迹箭头；根据所述循迹箭头指示的预设方向，查找定位标记，所述预设方向为所述循迹箭头指示的标准线条所在区域的方向；根据所述定位标记，延着所述预设方向移动直至观察到指示标尺；根据所述指示标尺和预设标尺-线条对应关系，查找待寻标准线条。本发明通过循迹箭头、定位标记和指示标尺一步步对标准线条进行定位指示，能够在线宽标准样片中快速的找到纳米级别的标准线条，实现扫描电子显微镜的快速校准。
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公开(公告)号：CN108180879A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711243418.5
申请日：2017-11-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01B21/08
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种超薄二氧化硅薄膜样片的定值方法及制备方法。该定值方法包括：将衬底在清洗液中清洗；在清洗后的所述衬底的上表面生长厚度小于10纳米的二氧化硅薄膜；选取定值区域，在所述定值区域选取n个测量点；确定所述样片的厚度均匀性；确定所述样片的厚度稳定性；确定厚度测量装置引入的不确定度分量；根据所述不确定度分量、所述厚度均匀性和所述厚度稳定性确定所述样片的合成不确定度和扩展不确定度。本发明提供的样片可用于校准椭偏仪测量范围在10nm以下的测量能力。通过评价样片的厚度均匀性、厚度稳定性和不确定度，能够得知样片校准结果的可信度。
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公开(公告)号：CN106017385A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610578470.5
申请日：2016-07-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种标称高度10μm‑100μm台阶高度标准样块的制备方法，属于台阶仪校准技术领域。本发明包括如下步骤：采用双面抛光的硅晶圆片作为衬底材料；在硅晶圆片表面生长氧化层；在氧化层表面涂光刻胶；曝光，其中掩膜版为负版，图形区域为透光区；去除透光区的光刻胶；使用反应离子刻蚀机进行刻蚀，将没有光刻胶掩蔽的台阶区域的氧化层刻蚀掉；使用深反应离子刻蚀机刻蚀硅晶圆片，对没有光刻胶掩蔽的台阶区域的硅晶圆片进行刻蚀，刻蚀深度小于要制备的标准样块的标称高度；去除光刻胶；湿法刻蚀，刻蚀深度达到标称高度要求；在硅晶圆片表面溅射金属保护层，制得所要的标准样块。本发明能准确控制台阶高度，满足作为标准样块的要求，且成本低。
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公开(公告)号：CN106017383A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610455721.0
申请日：2016-06-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC分类号： G01B21/042
摘要： 本发明公开了一种接触式台阶仪探针检测图形样块，涉及台阶仪测量技术领域，包括探针性能检查图形和扫描位置检查图形，探针性能检查图形设计成W型和M型分布在样块左右两个扫描区域，M型和W型台阶结构线条分别与水平方向呈30°、60°、90°、120°、150°五个角度，能对探针针尖十个位置进行性能检查，判断探针针尖是否有磨损或沾污；扫描位置检查图形设计为两个等腰直角三角形，斜边平行对向设置，并且每个等腰直角三角形的一个直角边与水平方向平行，在扫描位置检查图形两侧分别有T字线，用来指示探针针尖扫描位置和方向，可以判断样块放置是否水平以及探针扫描位置是否准确；可以及时校准探针，从而提高台阶仪的测量精度。
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公开(公告)号：CN104076312A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410293662.2
申请日：2014-06-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明公开了一种半导体特性分析仪高值电压的精确校准方法，涉及专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备技术领域。包括以下步骤：将高压分压器送往上级计量技术机构，获取其1000V～3000V的分压比，并计算其电压系数，确定其是否满足预期校准要求；如果不满足要求，则复现上级计量技术机构的温湿度环境，在1000V下利用高精度多功能校准器，标定上述高压分压器的1000V标准分压比的量值；利用标定好的高压分压器对被校半导体特性分析仪进行1000V～3000V范围内任意电压值的校准。所述方法提高了半导体特性分析仪测量高值电压的准确性。
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