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公开(公告)号：CN113655610A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110795894.8
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种用于光热反射显微热成像的自动对焦方法及控制装置。该方法包括：获取照明光强在预设最大离焦范围内单调变化的光热反射显微热成像装置采集的被测件位于待对焦位置时的采集图像，及被测件位于对焦位置时的参考图像；根据采集图像计算得到第一总强度值，并根据参考图像计算得到第二总强度值；比较第一总强度值和第二总强度值的大小，基于比较结果和照明光强在预设最大离焦范围内单调变化的趋势，确定被测件的离焦方向；获取被测件的离焦深度；离焦方向和离焦深度用于对被测件进行对焦。本发明能够在提高对焦效率的同时，避免人工对焦一致性不够的问题，保证多帧采集图像的对焦稳定性，提高基于光热反射进行测温时测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN110298834B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910584994.9
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像；当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向移动，直到所述不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数相同，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
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公开(公告)号：CN110207842B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910584992.X
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种亚像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像，当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向以预设距离移动，直到不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数误差值小于或等于预设误差阈值时，确定完成亚像素级边缘效应的修正，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的亚像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
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公开(公告)号：CN106098582A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610628267.4
申请日：2016-08-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H01L22/14 , B81C1/00015 , G01R31/2607 , H01L22/34
Abstract: 本发明公开了一种校准用在片电容标准件及其制备方法，涉及测试用计量装置技术领域。所述标准件包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器。本发明所述在片电容标准件，可以实现对整体校准MEMS晶圆片测量系统在片电容参数的整体计量校准，实现量值溯源，确保MEMS生产过程中的晶圆片级测量结果准确、一致。该标准件能够提供具有溯源性的电容值（1pF～100pF，测试频率1kHz～100kHz），可以根据需要在上述量值范围内进行设计。
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公开(公告)号：CN105785304A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610307574.2
申请日：2016-05-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
CPC classification number: G01R35/007
Abstract: 本发明公开了一种用于校准在片高值电阻测量系统的标准件及其制备方法，涉及计量技术领域。本发明的标准件包括衬底，在衬底上注入硼离子，在注入硼离子的衬底上设有若干对金属电极，每一对金属电极构成一个独立单元，在同一个衬底上的所有的金属电极的高度和长度相同，不同独立单元中的金属电极两个电极之间的间距均相等，金属电极的宽度是自同一衬底的行和列的一端开始呈递增或递减排列；衬底的外形尺寸及金属电极的外形尺寸和个数根据需要校准的目标阻值而定。本发明提出的标准件具有良好的重复性和长期稳定性，可以满足高值电阻测量系统计量校准的需要，确保量值准确一致。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103049639B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210423663.5
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 北京经纬恒润科技有限公司
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种基于蒙特卡洛法的噪声参数测量不确定度评定方法，属于测试计量领域。本发明以等效噪声参数方程作为噪声参数测量不确定度评定的测量模型，并利用从测量平台测得的物理量求解函数方程，得到反映等效噪声参数分布情况的数据，并从等效噪声参数导出噪声参数及其分布，最后得到噪声参数测量的不确定度。该方法有效的结合了数学随机仿真、物理测量边界判据和最小二乘法优化判据，使得噪声参数不确定度评定更加有效、真实、可靠；该方法符合国际标准，仿真方式灵活，可应用的测量系统种类多，普适性高。
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公开(公告)号：CN103675019A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310669324.X
申请日：2013-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种红外热像仪快速测量材料表面发射率的方法，涉及红外热成像温度测量技术领域，包括红外热像仪、黑盒及加热平台，其测试步骤如下：1）获取红外热像仪对环境温度下黑盒的响应；在保持环境温度不变的情况下，该过程只进行一次就足够，其数据将存入计算机以备调用。2）将被测物加热到一个比较高的温度一般大于等于70℃，获取红外热像仪对于被测物的响应；3）依据公式进行运算既可以得到准确的发射率测量结果。该测量方法对于红外热像仪，仅需对红外热像仪增加一个辅助装置，能够快速测量复杂材料表面的发射率，提高红外热像仪发射率检测速度及检测效率，同时保证检测结果的准确可靠，扩大红外热像仪的使用范围。
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公开(公告)号：CN113655610B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110795894.8
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种用于光热反射显微热成像的自动对焦方法及控制装置。该方法包括：获取照明光强在预设最大离焦范围内单调变化的光热反射显微热成像装置采集的被测件位于待对焦位置时的采集图像，及被测件位于对焦位置时的参考图像；根据采集图像计算得到第一总强度值，并根据参考图像计算得到第二总强度值；比较第一总强度值和第二总强度值的大小，基于比较结果和照明光强在预设最大离焦范围内单调变化的趋势，确定被测件的离焦方向；获取被测件的离焦深度；离焦方向和离焦深度用于对被测件进行对焦。本发明能够在提高对焦效率的同时，避免人工对焦一致性不够的问题，保证多帧采集图像的对焦稳定性，提高基于光热反射进行测温时测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN115574956A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211067141.6
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于显微热成像技术领域，提供了热反射温度计算方法、系统、装置及终端设备，该方法包括：获取被测器件在未加电的情况下的参考温度、彩色相机参考图像和在待测温度下的彩色相机测量图像，以及第一预设温度下彩色相机第一图像和第二预设温度下彩色相机第二图像；对彩色相机参考图像、彩色相机测量图像、彩色相机第一图像和彩色相机第二图像进行向量化处理，得到参考向量、测量向量、第一向量和第二向量；基于第一预设温度、第二预设温度、参考温度、第一向量、第二向量、参考向量和测量向量，得到待测温度。本申请可以对不同材料同时进行测温。
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公开(公告)号：CN112097952B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202010872416.8
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种光热反射显微热成像装置、漂移修正方法及漂移修正装置，该装置包括：在原光热反射显微热成像装置上增加调制片和调光装置；所述调制片设置在所述原光热反射显微热成像装置中的准直透镜和分束器之间，且位于所述准直透镜的焦面上；所述调光装置设置在所述原光热反射显微热成像装置的光路上，用于使经所述调制片调制后的照明光不经被测样品表面直接在像面成像。由于采用的光热反射显微热成像装置中增加的调制片和调光装置，可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对参考图像和待修正图像的采集，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
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