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公开(公告)号:CN114993505B
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202210635536.5
申请日:2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/125 , G01J5/07 , G01J5/02 , G01J5/061 , G01J5/48
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域,提供了一种实现热反射成像测温的自动重聚焦的方法和装置,该方法包括:基于参考图像和被测件温度变化,获取参考图像的矩形区域,计算矩形区域清晰度;参考图像为温度不变时聚焦清晰的图像;基于被测件温度变化和矩形区域清晰度,调节三轴纳米位移台;每次调节三轴纳米位移台后,获取当前测量图像,计算矩形区域清晰度;当前测量图像仍包含矩形区域;通过判断当前被测件的温度、三轴纳米位移台的位移和当前矩形区域清晰度是否满足预设温度阈值条件、预设位移阈值条件和预设清晰度条件,确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性,为实现高空间分辨率下的热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号:CN118168663A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202410031218.7
申请日:2024-01-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请提供一种热反射热成像测温方法、装置、终端及存储介质。该方法包括:从被测器件加热周期开始加热时间延迟第一延迟时间得到照明设备在加热周期内的第一采样时间点;从第一采样时间点开始获取第一时间分辨率内探测器得到的被测器件第一温度;从开始加热时间延迟第二延迟时间得到在加热周期内的第二采样时间点;将第一时间分辨率和目标时间分辨率的时间差作为第二时间分辨率,从第二采样时间点开始获取第二时间分辨率内探测器得到的被测器件第二温度;基于第一温度和第二温度,得到被测器件在目标时间分辨率的热反射热成像温度。本申请能够突破照明设备的采样时间限制,不依靠极短的照明设备采样时间而实现高时间分辨率热反射热成像测温。
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公开(公告)号:CN113866511B
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202110989553.4
申请日:2021-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种在片电容测量系统和测量方法。其中。在片电容测量系统包括:电容测试设备;探针测试系统,包括探针座,对称分布在探针座两侧的第一组探针和第二组探针,以及设置在探针座上的第一组连接线和第二组连接线,第一组连接线与第一组探针连接,第二组连接线与第二组探针连接;标准电容、开路器和在片直通线,用于与电容测试设备和探针测试系统连接;通过电容测试设备、探针测试系统、标准电容、开路器和在片直通线测试待测在片电容的电容值。本发明提供的在片电容测量系统,可实现待测在片电容参数到标准电容的溯源,从而保证待测在片电容的测量结果与现有溯源体系下的标准电容结果之间的可比性,从而实现在片电容的准确测量。
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公开(公告)号:CN113790818B
公开(公告)日:2023-09-26
申请号:CN202110913427.0
申请日:2021-08-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子测温技术领域,提供了一种可见光热反射测温方法及测温设备,上述方法包括:控制待测件的温度稳定在第一预设温度,并采集待测件的反射率,作为第一反射率;控制待测件的温度升高并稳定在第二预设温度,并采集待测件的反射率,作为第二反射率;控制待测件的温度降低并稳定在第一预设温度,将待测件通电,待待测件的温度稳定后,采集通电待测件的反射率,作为第三反射率;根据第一反射率对第三反射率进行校正,得到校正后的第三反射率;根据第一反射率、第二反射率及校正后的第三反射率确定待测件的温度变化量。本发明采用不通电时的第一反射率对通电后的第三反射率进行校正,可以有效消除随机干扰,提高了测量精度。
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公开(公告)号:CN113932925A
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:CN202111022849.5
申请日:2021-09-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明提供一种可见光热反射测温时的波长选择方法及终端。该方法包括:在预设波长范围内一波长的光源照射下,向被测件施加预设脉冲调制信号;经过第一预设时间间隔后,分别获得被测件在预设脉冲调制信号的高电平时的第一反射率和低电平时的第二反射率;在预设波长范围内多次改变光源的波长,获得每个波长对应的高电平时的第一反射率和低电平时的第二反射率;根据预设波长范围内各个波长对应的第一反射率和第二反射率,选择被测件测温时的波长。本发明能够降低可见光热反射测温时的波长选择方法的耗时,提高可见光热反射测温时的波长选择方法的效率,同时提高可见光热反射测温时的波长选择的准确性。
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公开(公告)号:CN110310309B
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN201910616002.6
申请日:2019-07-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T7/30
Abstract: 本发明适用于图像处理技术领域,提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端,所述图像配准方法包括:获取平移图样,根据平移图样上的每个平移点对目标图像进行平移配准,得到多个候选图像,计算各个候选图像与指定的基准图像的互相关度,将与基准图像的互相关度最大的候选图像确定为选中图像,若选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件,将选中图像确定为目标图像的配准图像;否则,将选中图像对应的平移点作为新的零平移点,对本次平移配准各非零平移点进行平移和预设角度的旋转更新,获得下一次平移图样,基于下一次平移图样进行平移配准,直到选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件。本发明能够提高显微热成像测量温度的准确性。
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公开(公告)号:CN112526425A
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:CN202011133324.4
申请日:2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域,提供了一种基于热阻标准件的热阻测量仪器校准方法及装置,该方法包括:控制热阻标准件处于预设温度下,向热阻标准件输入预设测试电流,并测量热阻标准件的第一结电压,根据预设温度和第一结电压确定热阻标准件的校温曲线;向热阻标准件输入预设工作电流,待热阻标准件的结温稳定后,测量热阻标准件的第二结电压;基于校温曲线以及第二结电压,确定热阻标准件在预设工作电流下的结温,并根据结温确定热阻标准件的标准热阻值;根据标准热阻值对热阻测量仪器进行校准。本发明利用已标定准确热阻值的热阻标准件对热阻测量仪器进行校准,能够解决现有技术中的热阻测量仪器测量结果准确度低、一致性差的问题。
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公开(公告)号:CN112097952A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202010872416.8
申请日:2020-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域,提供了一种光热反射显微热成像装置、漂移修正方法及漂移修正装置,该装置包括:在原光热反射显微热成像装置上增加调制片和调光装置;所述调制片设置在所述原光热反射显微热成像装置中的准直透镜和分束器之间,且位于所述准直透镜的焦面上;所述调光装置设置在所述原光热反射显微热成像装置的光路上,用于使经所述调制片调制后的照明光不经被测样品表面直接在像面成像。由于采用的光热反射显微热成像装置中增加的调制片和调光装置,可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对参考图像和待修正图像的采集,并且不需要对被测物温度进行调制,即可实现对静态目标的温度测量。
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公开(公告)号:CN110310245A
公开(公告)日:2019-10-08
申请号:CN201910596737.7
申请日:2019-07-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于显微热成像技术领域,提供了一种图像照明分布的修正方法、修正装置、终端及计算机可读存储介质。其中,所述修正方法包括:获取被测目标的待修正图像;获取参考图像,其中,所述参考图像为在与所述待修正图像相同的光照度分布条件下得到的参考目标的图像;基于所述参考图像对所述待修正图像进行照明分布的修正。本发明能够对图像可能存在的照明分布不均匀的问题进行修正,可以用于对显微热成像获得的显微热图像进行修正处理,有利于降低显微热图像由于照明分布不均匀引起的测量误差,提高通过显微热成像进行温度测量的准确性。
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公开(公告)号:CN110298834A
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201910584994.9
申请日:2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域,提供了一种像素级边缘效应的修正方法及终端设备,该方法包括:通过获取不同材料构成的被测件的多张图像;当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时,控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向移动,直到所述不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数相同,从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的像素级位置变化引起的边缘效应得到修正,从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正,可以提高的热反射测温准确度。
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