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公开(公告)号：CN113962877B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110832668.2
申请日：2019-07-17
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G06T5/80
摘要： 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素值的基准像素值，基于所述基准像素值对所述指定像素位置对应的像素点的像素值进行畸变校正。本发明能够提高测量的被测目标的多帧图像在指定像素位置对应的像素点的像素值的准确性。
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公开(公告)号：CN111573616B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010334963.0
申请日：2020-04-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供了一种复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法，属于微纳米计量技术领域，包括具有深度和宽度尺寸的沟槽结构、正交扫描定位结构、切片定位结构、定位角结构以及沟槽定位结构；正交扫描定位结构、切片定位结构以及沟槽定位结构均分设于沟槽结构的长度方向的两侧，定位角结构设于标准样板的四角；沟槽的深宽比大于等于10:1。本发明提供的复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法，能够准确测量沟槽或台阶标准样板的宽度和深度，同时复现测量过程中两个参数结果之间存在的影响，提高测试数据的准确性，降低标准样板的成本。
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公开(公告)号：CN116276630A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310080721.7
申请日：2023-02-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种吸擦一体式擦头装置，包括吸盘主体和吸盘芯，吸盘主体上表面设有用于容纳研磨液的第一环形凹槽，第一环形凹槽的底部设有第一研磨液排出孔，安装圆台的中心设有第一通气孔；吸盘芯安装在吸盘主体的下表面；吸盘芯具有与第一通气孔同轴连通的第二通气孔；吸盘芯的下端设有分气盘，沿分气盘周向均匀设有多个第一径向排气孔，第一径向排气孔与第二通气孔连通；还包括通气管路、研磨液管路、吹扫气管路、冲洗液管路。本发明可实现对陶瓷圆片的无接触装载和卸载，可以完成对陶瓷圆片的研磨、冲洗和吹扫，大大避免了陶瓷圆片划伤、损坏、报废、二次污染的问题，提高了工作效率，保证了陶瓷圆片的研磨效果和洁净度。
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公开(公告)号：CN116165589A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211096612.6
申请日：2022-09-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本申请提供一种在片S参数测量系统校准方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在片开路校准件的测量值，并基于预先确定的第一关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值和在片开路校准件的测量值，计算在片负载校准件的当前负载电感，以对在片负载校准件进行修正；随后，根据端口互换计算八项误差，从而对未校准的在片S参数测量系统进行校准。本申请能够提高在片S参数测量系统的测量可靠性。
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公开(公告)号：CN116125353A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211097162.2
申请日：2022-09-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本申请提供一种在片S参数测量系统误差修正方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在短路校准件的测量值，并基于预先确定的第一关系式，对在片负载校准件进行修；然后，根据修正后的在片负载校准件对在片S参数系统进行校准。最后，对在片S参数测量系统的串扰误差进行修正。本申请能够提高在片S参数测量系统的测量可靠性。
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公开(公告)号：CN116087620A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310123457.0
申请日：2023-02-16
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种片内热阻测试方法、装置、终端及存储介质，本发明方法首先根据多个电流以及与所述多个电流相对应的多个电极温升，构建电极的温升曲线；然后，根据热波的穿透特性以及所述温升曲线，确定目标电流，其中，所述目标电流产生的热波穿透所述功能层以及所述衬底层并抵达所述衬底层与所述粘结层的边界；最后，根据目标温升确定所述芯片的片内热阻，其中，所述目标温升根据所述目标电流以及所述温升曲线确定。本发明方法能够实现芯片本身热阻测准确测试，从而评估芯片散热性能，指导芯片热设计工作开展。
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公开(公告)号：CN113858797B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111102035.2
申请日：2021-09-18
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种故障点确定方法、装置、终端及存储介质。该方法包括：获取目标物体上第一实际图形与对应的理想图形在第一方向的第一偏移量和在与第一方向垂直的第二方向的第二偏移量；第一实际图形为目标物体上关于目标物体的中心对称的至少两组实际图形；根据各个第一偏移量和第二偏移量，确定目标物体在第一方向的第一实际偏移量和第二方向的第二实际偏移量；根据第一实际偏移量和第二实际偏移量，确定目标物体的偏移角度。本发明能够根据目标物体上的少量实际图形和理想图形，确定目标物体的第一实际偏移量、第二实际偏移量和偏移角度，进而解决目标物体的偏移量和偏移角度难以确定的问题，从而方便目标物体对应的目标设备的故障点确定。
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公开(公告)号：CN112098794B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010820390.2
申请日：2020-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型中参数确定的方法及终端设备，该方法包括：通过确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型；测量得到不同校准件的S参数；根据不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN112098793B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010820386.6
申请日：2020-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种单端口在片校准件模型确定的方法及终端设备，该方法包括：通过确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型；测量得到不同校准件的S参数；根据不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN115542013A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211096674.7
申请日：2022-09-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R27/26
摘要： 本申请提供一种在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在片开路校准件的测量值；基于预先确定的第一关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值和在片开路校准件的测量值，计算在片负载校准件的当前负载电感；根据在片负载校准件的当前负载电感对被测件进行校准。本申请能够提高在片S参数测量系统的测量可靠性。
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