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公开(公告)号：CN111924798A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010711573.0
申请日：2020-07-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明适用于微纳米测量仪器计量技术领域，提供了一种基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片及其制备方法，该寻迹式线宽标准样片包括：依次设置的第一衬底样片、多层介质层和第二衬底样片；第一衬底样片的第一面上设置多个第一凹槽，每个第一凹槽内均具有与第一衬底样片的第一面齐平的第一填充介质；第一凹槽内未设置第一填充介质的部分为第一寻迹凹槽；第二衬底样片的第一面上设置多个第二凹槽，每个第二凹槽内均具有与第二衬底样片的第一面齐平的第二填充介质；第二凹槽内未设置第二填充介质的部分为第二寻迹凹槽。本发明通过多个第一寻迹凹槽和多个第二寻迹凹槽，便于寻找多层介质层中作为标准线条的一层，实现大倍率测量的关键设备的快速校准。
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公开(公告)号：CN111599676A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010449781.8
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供了一种基于多层膜沉积工艺的亚纳米级线宽标准样片的制备方法，属于微纳米测量仪器计量技术领域，包括：在第一硅晶圆片上自下至上依次沉积刻蚀膜层、线宽介质膜层和刻蚀膜层，制备多层膜沉积样片，其中，线宽介质膜层的厚度小于50nm；刻蚀膜层和线宽介质膜层为具有高刻蚀选择比的配对材料；在多层膜沉积样片上结合第二硅晶圆片；按矩形阵列划分为若干划片单元；将划片单元旋转90°，采用研磨工艺，对划片单元的上下两个截面研磨和抛光；采用刻蚀工艺，对两层刻蚀膜层进行刻蚀，保留线宽介质膜层，制得亚纳米级线宽标准样片。本发明提供的基于多层膜沉积工艺的亚纳米级线宽标准样片的制备方法，能够提高线宽的制作精度。
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公开(公告)号：CN111578848A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010333627.4
申请日：2020-04-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明适用于微纳米测量仪器计量技术领域，提供了一种线宽标准样片的线宽量值确定的方法及系统，该方法包括：对椭偏仪进行校准；建立基于多层膜沉积工艺的多层膜厚样片测量模型，并在所述多层膜厚样片测量模型建立过程中对初次校准后的椭偏仪进行再次校准；基于多层膜沉积工艺沉积多层膜厚样片；采用再次校准后的椭偏仪，对所述多层膜厚样片的薄膜厚度进行测量，得到测量结果，并将所述测量结果作为线宽标准样片的线宽量值，从而可以确定纳米级线宽标准样片的量值，提高纳米级线宽标准样片定值的准确度。
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公开(公告)号：CN111192242A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911342867.4
申请日：2019-12-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于半导体测试技术领域，提供了一种微米级格栅特征的一致性检测方法、装置及终端设备，该方法包括：采集微米级格栅图像，并对微米级格栅图像进行特征提取，获得微米级格栅图像中每个格栅的宽度特征和长度特征；根据每个格栅的宽度特征和每个格栅的长度特征，确定微米级格栅图像的格栅宽度方向一致性检测参数和微米级格栅图像的格栅长度方向一致性检测参数；根据格栅宽度方向一致性检测参数和格栅长度方向一致性检测参数，获得微米级格栅图像的格栅特征一致性检测结果。本发明的微米级格栅特征的一致性检测方法，检测结果客观准确，可以简单直观表示微米级格栅图像的格栅一致性。
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公开(公告)号：CN111128964A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911226284.5
申请日：2019-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/544 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种线距标准样片，包括基板和设置于所述基板上的光栅图形区，还包括位于所述光栅图形区外的三级光栅循迹标志，通过三级循迹标志可以快速准确找到光栅有效区域，解决现有标准样片无法快速找到有效区域的问题。本发明线距标准样片的制备方法采用电子束光刻和投影光刻两种工艺，将光栅和循迹标志精确刻画在样片上，保障校准测量仪器的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115078021A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210495016.9
申请日：2022-05-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种高深宽比沟槽标准样板的定值方法。该方法包括：将已完成高深宽比沟槽制备的晶圆划分为多个标准网格；将各标准网格划分为n×n个标准样板；对各标准网格的中心样板进行切割，并垂直于沟槽方向进行横向切片，测量各切片的沟槽尺寸；若中心样板各切片的沟槽尺寸均匀性低于预设值，则认定该中心样板所在标准网格所划分的各标准样板合格，对该标准网格的非中心样板进行沟槽尺寸测量，并根据测量结果获得该标准网格的各标准样板的定值。本发明能够通过测量各标准网格中心样板的均匀性，只对晶圆中均匀性好的部分进行切片定值，提高了标准样板定值的可靠性，避免对均匀性差的部分进行切片测量，提高了标准样板定值的工作效率。
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公开(公告)号：CN111024016B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201911226289.8
申请日：2019-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于仪器校准技术领域，提供了一种膜厚样片及膜厚样片的制备方法，所述膜厚样片包括：样片载体和至少两个样片本体，其中，各样片本体的薄膜厚度和/或薄膜类型不同，所述各样片本体衬底朝下粘贴在所述样片载体上，所述样片载体上设有用于指示各样片本体的薄膜厚度和薄膜类型的样片标识。本发明能够在对椭偏仪进行校准时，可以直接移动样片载体实现不同样片本体的替换，而无需取出样片、更换样片，从而增加了校准时的便捷程度，提高了对椭偏仪校准的效率。
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公开(公告)号：CN109346421B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811150014.6
申请日：2018-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种线距标准样片的定值方法，该方法包括：获取电子束斑漂移不确定度；获取标定不确定度；确定所述线距标准样片的均匀性不确定度；确定所述线距标准样片的稳定性不确定度；确定所述线距标准样片的重复性不确定度；根据所述电子束斑漂移不确定度、所述标定不确定度、所述均匀性不确定度、所述稳定性不确定度和所述重复性测量不确定度确定所述线距标准样片的扩展不确定度。本发明能够实现对微纳米线宽尺寸测量类仪器的校准。
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公开(公告)号：CN110112079A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910353879.0
申请日：2019-04-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法，属于半导体器件测试技术领域，包括计算台阶样块的高度d；计算台阶样块的外尺寸a和内尺寸b；计算台阶样块的侧面倾斜角θ；设定参数ε评价刻蚀工艺水平，利用参数与台阶侧面倾斜角的关系式计算参数ε。本发明提供的台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法，能够准确测量台阶样块的高度及内外尺寸，进而确定台阶样块侧面倾斜角，对台阶样块的刻蚀工艺水平进行准确评价。
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公开(公告)号：CN108364883A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810168891.X
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种验证热反射测温设备准确性的装置、制备方法及验证方法，该装置包括：衬底；所述衬底的上表面覆盖绝缘层；所述绝缘层的上表面设有图形结构，所述图形结构包括金属电阻和两个金属焊盘，其中一个所述金属焊盘与所述金属电阻的一端相连，另一个所述金属焊盘与所述金属电阻的另一端相连。本发明通过成熟的半导体工艺制备验证热反射测温设备准确性的装置，并基于该装置配合使用温控平台实现验证热反射测温设备的准确性。该装置制备方法简单，验证结果准确，并且能够准确的反应热反射测温设备高空间分辨力下的准确性。
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