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公开(公告)号：CN115200720B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202210633543.1
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种基于双区域检测的热反射热成像自动重聚焦方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的第一区域和第二区域，计算两个区域的清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算两个区域的清晰度；当前测量图像仍包含上述两个区域；若被测件的温度、三轴纳米位移台的位移、第二区域清晰度满足预设温度阈值条件、第二预设位移阈值条件和第二预设清晰度条件，并满足第一预设位移阈值条件和第一预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的光热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号：CN113624358B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202110803448.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种用于光热反射显微热成像的三维位移补偿方法及控制装置。该方法包括：获取被测件位于待补偿位置时的采集图像，及被测件位于参考位置时的参考图像；根据参考图像计算得到第一傅里叶变换，根据采集图像计算得到第二傅里叶变换；根据第一傅里叶变换和第二傅里叶变换，确定光热反射显微热成像装置中光学子系统的点扩散函数的峰值点坐标和拟合直径；根据峰值点坐标、拟合直径和光热反射显微热成像装置中光学子系统的成像参数，计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，以对被测件进行三维位移补偿。本发明能够同时计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，进而提高位移补偿的工作效率。
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公开(公告)号：CN112526425B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011133324.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种基于热阻标准件的热阻测量仪器校准方法及装置，该方法包括：控制热阻标准件处于预设温度下，向热阻标准件输入预设测试电流，并测量热阻标准件的第一结电压，根据预设温度和第一结电压确定热阻标准件的校温曲线；向热阻标准件输入预设工作电流，待热阻标准件的结温稳定后，测量热阻标准件的第二结电压；基于校温曲线以及第二结电压，确定热阻标准件在预设工作电流下的结温，并根据结温确定热阻标准件的标准热阻值；根据标准热阻值对热阻测量仪器进行校准。本发明利用已标定准确热阻值的热阻标准件对热阻测量仪器进行校准，能够解决现有技术中的热阻测量仪器测量结果准确度低、一致性差的问题。
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公开(公告)号：CN112525385B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011134908.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种热阻测量仪器校准系统，包括：校温装置、测温装置、上位机和热阻标准件；校温装置用于控制热阻标准件处于预设温度下，向热阻标准件输入预设测试电流，并测量热阻标准件的第一结电压；测温装置用于向热阻标准件输入预设工作电流，待热阻标准件的结温稳定后，测量热阻标准件的第二结电压；上位机用于根据预设温度、第一结电压、第二结电压确定热阻标准件的标准热阻值，标准热阻值用于对热阻测量仪器进行校准。本发明利用已标定准确热阻值的热阻标准件对热阻测量仪器进行校准，能够解决现有技术中的热阻测量仪器测量结果准确度低、一致性差的问题。
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公开(公告)号：CN112097949B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010797316.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种光热反射测温方法及装置，所述方法包括：控制被测件处于预设初始温度，采集被测件此时的反射率，得到第一反射率；控制被测件的温度升高ΔT0，在被测件温度改变的同时向被测件通入电流，温度稳定后采集通电被测件的反射率，得到第二反射率；控制通电被测件的温度降低ΔT0，温度稳定后采集通电被测件的反射率，得到第三反射率；基于第一反射率、第二反射率和第三反射率确定被测件的温度变化量。本发明能够一次性测量被测件的温度变化量，节省电流周期性变化时等待被测件温度稳定所需的时间，提高测量效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109470365B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201811313600.8
申请日：2018-11-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明提供了一种校准显微红外热像仪的器件，包括：衬底、用于测量所述衬底上表面温度的温度传感器和用于所述显微红外热像仪测量温度的目标区域；所述衬底上设有所述温度传感器和所述目标区域，所述温度传感器与温度测量装置相连，所述温度传感器和所述温度测量装置共同完成对衬底温度的测量。通过温度传感器和温度测量装置获得衬底的温度，得到标准温度，利用显微红外热像仪测得的目标区域的温度，得到测量温度，通过比较标准温度和测量温度，以校准显微红外热像仪。
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公开(公告)号：CN112097949A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010797316.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种光热反射测温方法及装置，所述方法包括：控制被测件处于预设初始温度，采集被测件此时的反射率，得到第一反射率；控制被测件的温度升高ΔT0，在被测件温度改变的同时向被测件通入电流，温度稳定后采集通电被测件的反射率，得到第二反射率；控制通电被测件的温度降低ΔT0，温度稳定后采集通电被测件的反射率，得到第三反射率；基于第一反射率、第二反射率和第三反射率确定被测件的温度变化量。本发明能够一次性测量被测件的温度变化量，节省电流周期性变化时等待被测件温度稳定所需的时间，提高测量效率。
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公开(公告)号：CN110298870A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910589893.0
申请日：2019-07-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于显微热成像技术领域，提供了一种图像的处理方法、处理装置、终端及计算机可读存储介质。其中，所述处理方法包括：获取被测目标的多帧初始图像；确定所述多帧初始图像的参考图像；基于所述参考图像对所述多帧初始图像进行图像配准，得到多帧配准图像；从所述多帧配准图像中选取相关度符合预设要求的两帧以上的配准图像作为所述被测目标的可用图像。本发明可用于对显微热成像得到的显微热图像进行偏移修正，有利于提高利用显微热成像进行非接触式温度测量的测量准确性。
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公开(公告)号：CN109596963A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811548650.4
申请日：2018-12-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于检测结温的脉冲调制装置，用于检测半导体器件的结温，脉冲调制装置分别与CCD相机和电流发生装置相连，电流发生装置与半导体器件相连，CCD相机与监测控制装置相连；脉冲调制装置发出第一脉冲信号传输至CCD相机，脉冲调制装置发出第二脉冲信号传输至电流发生装置，脉冲调制装置检测半导体的电流，电流发生装置输出电流至半导体器件，光源发射装置发出入射光至半导体器件，CCD相机采集半导体器件的反射光生成对应的电信号，检测控制装置对电信号进行处理并计算得到半导体器件的结温。本发明提高了测结温过程的信噪比，保证了测量结温的准确性，只需要CCD相机采集两次反射光信号即可计算出结温。
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公开(公告)号：CN109470365A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811313600.8
申请日：2018-11-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明提供了一种校准显微红外热像仪的器件，包括：衬底、用于测量所述衬底上表面温度的温度传感器和用于所述显微红外热像仪测量温度的目标区域；所述衬底上设有所述温度传感器和所述目标区域，所述温度传感器与温度测量装置相连，所述温度传感器和所述温度测量装置共同完成对衬底温度的测量。通过温度传感器和温度测量装置获得衬底的温度，得到标准温度，利用显微红外热像仪测得的目标区域的温度，得到测量温度，通过比较标准温度和测量温度，以校准显微红外热像仪。
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