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公开(公告)号：CN112526425A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011133324.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种基于热阻标准件的热阻测量仪器校准方法及装置，该方法包括：控制热阻标准件处于预设温度下，向热阻标准件输入预设测试电流，并测量热阻标准件的第一结电压，根据预设温度和第一结电压确定热阻标准件的校温曲线；向热阻标准件输入预设工作电流，待热阻标准件的结温稳定后，测量热阻标准件的第二结电压；基于校温曲线以及第二结电压，确定热阻标准件在预设工作电流下的结温，并根据结温确定热阻标准件的标准热阻值；根据标准热阻值对热阻测量仪器进行校准。本发明利用已标定准确热阻值的热阻标准件对热阻测量仪器进行校准，能够解决现有技术中的热阻测量仪器测量结果准确度低、一致性差的问题。
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公开(公告)号：CN115200720B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202210633543.1
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种基于双区域检测的热反射热成像自动重聚焦方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的第一区域和第二区域，计算两个区域的清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算两个区域的清晰度；当前测量图像仍包含上述两个区域；若被测件的温度、三轴纳米位移台的位移、第二区域清晰度满足预设温度阈值条件、第二预设位移阈值条件和第二预设清晰度条件，并满足第一预设位移阈值条件和第一预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的光热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号：CN112526425B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011133324.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种基于热阻标准件的热阻测量仪器校准方法及装置，该方法包括：控制热阻标准件处于预设温度下，向热阻标准件输入预设测试电流，并测量热阻标准件的第一结电压，根据预设温度和第一结电压确定热阻标准件的校温曲线；向热阻标准件输入预设工作电流，待热阻标准件的结温稳定后，测量热阻标准件的第二结电压；基于校温曲线以及第二结电压，确定热阻标准件在预设工作电流下的结温，并根据结温确定热阻标准件的标准热阻值；根据标准热阻值对热阻测量仪器进行校准。本发明利用已标定准确热阻值的热阻标准件对热阻测量仪器进行校准，能够解决现有技术中的热阻测量仪器测量结果准确度低、一致性差的问题。
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公开(公告)号：CN112820715A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011579083.6
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/522 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种校准用晶圆级在片电阻标准样片及制备方法，属于半导体工艺过程监控设备校准技术领域。所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，包括：晶圆片和制作在所述晶圆片上的多个芯片单元；所述芯片单元的结构中包括：多组不同量级的标称电阻系列和分别与每组所述标称电阻系列一一对应的短路器，所述标称电阻系列包括以标称值为中心、以预设值为步进、阵列设置的多个标称电阻；所述标称电阻系列的阻值范围为：0.1Ω‑10kΩ。本发明所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，用于PCM设备在片电阻参数的整体校准，填补国内PCM设备该参数相应范围内校准领域的空白，确保PCM设备小电阻测量数据的准确、一致，保障半导体器件工艺稳定性与产品质量。
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公开(公告)号：CN112820715B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202011579083.6
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/522 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种校准用晶圆级在片电阻标准样片及制备方法，属于半导体工艺过程监控设备校准技术领域。所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，包括：晶圆片和制作在所述晶圆片上的多个芯片单元；所述芯片单元的结构中包括：多组不同量级的标称电阻系列和分别与每组所述标称电阻系列一一对应的短路器，所述标称电阻系列包括以标称值为中心、以预设值为步进、阵列设置的多个标称电阻；所述标称电阻系列的阻值范围为：0.1Ω‑10kΩ。本发明所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，用于PCM设备在片电阻参数的整体校准，填补国内PCM设备该参数相应范围内校准领域的空白，确保PCM设备小电阻测量数据的准确、一致，保障半导体器件工艺稳定性与产品质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098582B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610628267.4
申请日：2016-08-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种校准用在片电容标准件及其制备方法，涉及测试用计量装置技术领域。所述标准件包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器。本发明所述在片电容标准件，可以实现对整体校准MEMS晶圆片测量系统在片电容参数的整体计量校准，实现量值溯源，确保MEMS生产过程中的晶圆片级测量结果准确、一致。该标准件能够提供具有溯源性的电容值（1pF～100pF，测试频率1kHz～100kHz），可以根据需要在上述量值范围内进行设计。
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公开(公告)号：CN115200721B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210633557.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种热反射显微热成像膨胀补偿方法、装置及电子设备。该方法包括：获取被测器件在当前环境条件下的初始图像。计算初始图像相对于被测器件标准图像的缩放系数，其中标准图像是显微系统在像距为成像透镜焦距、物距为物镜焦距的条件下获取的图像。根据缩放系数确定与当前环境条件相匹配的目标像距与目标物距。设置显微系统的像距为目标像距、物距为目标物距，获得被测器件膨胀补偿后的热反射显微热成像图像。本发明能够根据被测器件热膨胀前后图像的缩放系数，调整显微系统的像距与物距，实现放大倍率等于初始放大倍率除以缩放系数，对应调整被测器件热成像的图像尺寸，实现了热成像膨胀补偿，降低了被测器件热膨胀引起的热成像测温误差。
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公开(公告)号：CN115200720A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210633543.1
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种基于双区域检测的热反射热成像自动重聚焦方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的第一区域和第二区域，计算两个区域的清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算两个区域的清晰度；当前测量图像仍包含上述两个区域；若被测件的温度、三轴纳米位移台的位移、第二区域清晰度满足预设温度阈值条件、第二预设位移阈值条件和第二预设清晰度条件，并满足第一预设位移阈值条件和第一预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的光热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号：CN112097951B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010872383.7
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种光热反射显微热成像装置及漂移修正方法，该装置包括：在原光热反射显微热成像装置上增加调制片和调光装置；调制片设置在所述原光热反射显微热成像装置中的散射片和准直透镜之间，且位于准直透镜的焦面上；调光装置设置在所述原光热反射显微热成像装置的光路上，用于使经调制片调制后的照明光不经被测样品表面直接在像面成像。由于采用的光热反射显微热成像装置中增加的调制片和调光装置，使得可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对采集图像的误差的影响，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
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公开(公告)号：CN112097951A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010872383.7
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种光热反射显微热成像装置及漂移修正方法，该装置包括：在原光热反射显微热成像装置上增加调制片和调光装置；调制片设置在所述原光热反射显微热成像装置中的散射片和准直透镜之间，且位于准直透镜的焦面上；调光装置设置在所述原光热反射显微热成像装置的光路上，用于使经调制片调制后的照明光不经被测样品表面直接在像面成像。由于采用的光热反射显微热成像装置中增加的调制片和调光装置，使得可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对采集图像的误差的影响，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
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