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公开(公告)号：CN114252701B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111493657.2
申请日：2021-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R27/06
摘要： 本发明适用于通信设备技术领域，提供了一种微波器件驻波比测量方法及测量终端，上述方法包括：应用于驻波比检测设备；上述设备包括：信号源、定向耦合器及信号检测仪；定向耦合器的输入端与信号源连接，定向耦合器的输出端用于与待测件、全匹配标准件或全反射标准件连接，定向耦合器的耦合端与信号检测仪连接；上述方法包括：分别获取定向耦合器的输出端连接全匹配标准件、全反射标准件及待测件时的电压幅值，根据上述三个电压幅值确定待测件的驻波比。本发明采用全匹配标准件和全反射标准件对检测设备进行校准，进而计算得到待测件的驻波比，无需使用网络分析仪或测量线，大大降低了测量成本。
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公开(公告)号：CN113962876B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110832665.9
申请日：2019-07-17
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G06T5/80
摘要： 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素值的基准像素值，基于所述基准像素值对所述指定像素位置对应的像素点的像素值进行畸变校正。本发明能够提高测量的被测目标的多帧图像在指定像素位置对应的像素点的像素值的准确性。
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公开(公告)号：CN113777547B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202110864583.2
申请日：2021-07-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供一种在片S参数测量系统校准判断方法、装置及终端。该方法包括：基于参考在片校准方法和在片S参数测量系统，获取无源器件的参考S参数；基于目标在片校准方法和在片S参数测量系统，获取无源器件的目标S参数；基于参考S参数、目标S参数和T参数与S参数之间的转换关系，确定目标S参数相对于参考S参数的最大偏差，并根据最大偏差判断目标在片校准方法对在片S参数测量系统的校准是否有效。本发明能够提高在片S参数测量系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN114719710B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210228086.8
申请日：2022-03-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01B5/02
摘要： 本发明提供一种位移偏差测量方法。应用于探针台的圆形载片台，载片台的直径为第一长度，该方法包括：将标准测量尺沿预设方向平行固定在载片台上；其中，标准测量尺的初始刻度处于载片台区域中；控制载片台沿预设方向移动预设距离，并通过标准测量尺获取载片台移动的实际距离；根据实际距离和预设距离确定载片台的位移偏差，并根据位移偏差对载片台进行修正。本发明能够提高探针台测量的可靠性。
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公开(公告)号：CN114137389B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111416559.9
申请日：2021-11-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种微波探针S参数相位的确定方法、装置、终端及存储介质。该方法包括：采用校准后的矢量网络分析仪，在微波探针的探针尖端分别测量在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的S参数，得到在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的反射值；根据在片校准件的模型和定义值，得到在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的实际反射值；根据反射值和实际反射值，得到微波探针S参数；根据微波探针S参数计算得到微波探针S参数的相位。本发明能够准确得到四个S参数的相位，可以完整表征微波探针的微波特性，评定其S参数的不确定度，有助于评价微波探针的性能。
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公开(公告)号：CN111983313B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010717571.2
申请日：2020-07-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R23/20
摘要： 本发明适用于微波/毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数测量方法，包括：建立噪声接收机的超定方程，并根据噪声接收机的超定方程得到噪声接收机的噪声相关矩阵；建立被测件级联噪声接收机的超定方程，并根据被测件级联噪声接收机的超定方程得到被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵；根据噪声接收机的噪声相关矩阵和被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵得到被测件的噪声相关矩阵，并根据被测件的噪声相关矩阵得到被测件的噪声参数。本发明能够实现对被测件的噪声参数的准确测量，提高噪声测量的精度。
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公开(公告)号：CN111983311B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010717515.9
申请日：2020-07-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R23/20
摘要： 本发明适用于微波/毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数测量方法，包括：建立噪声接收机的超定方程，并根据噪声接收机的超定方程得到噪声接收机的噪声相关矩阵；建立被测件级联噪声接收机的超定方程，并根据被测件级联噪声接收机的超定方程得到被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵；根据噪声接收机的噪声相关矩阵和被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵得到被测件的噪声相关矩阵，并根据被测件的噪声相关矩阵得到被测件的噪声参数。本发明能够实现对被测件的噪声参数的准确测量，提高噪声测量的精度。
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公开(公告)号：CN111983539B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202010707691.4
申请日：2020-07-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供了一种在片S参数测量系统校准方法，该方法包括：采用未校准的在片S参数测量系统测量LRRM校准标准的直通标准、匹配负载、两个反射标准，得到直通原始转移参数矩阵、匹配负载的阻抗测量值、两个反射标准的阻抗测量值；根据直通原始转移参数矩阵、匹配负载的阻抗测量值、两个反射标准的阻抗测量值、以及预设的参量转换关系式确定八项误差模型和误差网络的比例关系；基于比例关系对直通原始转移参数矩阵进行修正，得到修正后的转移参数矩阵，并根据开关项修正方法以及修正后的转移参数矩阵对在片S参数测量系统进行校准。本发明提供的在片S参数测量系统校准方法能够实现在片S参数的准确测量。
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公开(公告)号：CN111781479B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010091791.9
申请日：2020-02-13
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于半导体微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型建立方法，包括：建立在片校准件等效电路，所述在片校准件等效电路包括偏置传输线、第一电容、第二电容、第一电感和第一电阻；通过设置所述在片校准件等效电路中的第一电容的电容值、第二电容的电容值、第一电感的电感值和第一电阻的电阻值，将所述在片校准件等效电路转换为开路标准件校准模型、短路标准件校准模型和负载标准件校准模型。本发明提供的在片校准件模型建立方法将各个类型的标准件校准模型进行了整合，方便对在片校准件模型进行统一的分析，简化了在片校准件模型的分析过程，提高了在片校准件模型的分析准确度。
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公开(公告)号：CN112097951B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010872383.7
申请日：2020-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种光热反射显微热成像装置及漂移修正方法，该装置包括：在原光热反射显微热成像装置上增加调制片和调光装置；调制片设置在所述原光热反射显微热成像装置中的散射片和准直透镜之间，且位于准直透镜的焦面上；调光装置设置在所述原光热反射显微热成像装置的光路上，用于使经调制片调制后的照明光不经被测样品表面直接在像面成像。由于采用的光热反射显微热成像装置中增加的调制片和调光装置，使得可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对采集图像的误差的影响，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
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