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公开(公告)号：CN114137389B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111416559.9
申请日：2021-11-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种微波探针S参数相位的确定方法、装置、终端及存储介质。该方法包括：采用校准后的矢量网络分析仪，在微波探针的探针尖端分别测量在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的S参数，得到在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的反射值；根据在片校准件的模型和定义值，得到在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的实际反射值；根据反射值和实际反射值，得到微波探针S参数；根据微波探针S参数计算得到微波探针S参数的相位。本发明能够准确得到四个S参数的相位，可以完整表征微波探针的微波特性，评定其S参数的不确定度，有助于评价微波探针的性能。
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公开(公告)号：CN114137389A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111416559.9
申请日：2021-11-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种微波探针S参数相位的确定方法、装置、终端及存储介质。该方法包括：采用校准后的矢量网络分析仪，在微波探针的探针尖端分别测量在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的S参数，得到在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的反射值；根据在片校准件的模型和定义值，得到在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的实际反射值；根据反射值和实际反射值，得到微波探针S参数；根据微波探针S参数计算得到微波探针S参数的相位。本发明能够准确得到四个S参数的相位，可以完整表征微波探针的微波特性，评定其S参数的不确定度，有助于评价微波探针的性能。
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公开(公告)号：CN112098793A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010820386.6
申请日：2020-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种单端口在片校准件模型确定的方法及终端设备，该方法包括：通过确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型；测量得到不同校准件的S参数；根据不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN112098791A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010819042.3
申请日：2020-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法，该在片校准模型包括：表征在片校准件串扰的电阻和表征在片校准件串扰的电容；所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路串联，所述表征在片校准件串扰的电容的一端连接在所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路的一端之间，所述表征在片校准件串扰的电容的另一端连接在原校准件模型中的元件构成的电路的另一端。本实施例提供的在片校准模型，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度。
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公开(公告)号：CN114509607B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210005803.0
申请日：2022-01-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种功率源反射系数的测量方法及系统。该方法包括：对矢量网络分析仪的两端口进行校准，采用校准后的矢量网络分析仪测量处于不同阻抗状态的阻抗调配器的S参数；采用校准后的矢量网络分析仪测量功率探头的反射系数；基于功率源的不同输出功率和处于不同阻抗状态的阻抗调配器，从功率计上分别读取与输出功率对应的功率值；根据S参数、反射系数以及功率值求解超定方程，得到功率源的反射系数。本发明能够准确测量功率源的反射系数。
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公开(公告)号：CN112098792B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010819047.6
申请日：2020-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种两端口在片校准件模型和参数确定的方法，该方法包括：通过测量第一频段对应的单端口在片校准件模型，得到第一S参数；根据第一S参数计算得到单端口在片校准件模型对应的两端口在片校准件模型的本征电容值；测量太赫兹频段对应的两端口在片校准件模型，得到第二S参数；根据第二S参数和本征电容值，计算得到两端口在片校准件模型的寄生电容值和寄生电阻值。本发明提供的不同的两端口在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同两端口在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN115542012A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211096585.2
申请日：2022-09-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R27/26
摘要： 本申请提供一种在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在短路校准件的测量值；基于预先确定的第一关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值和在片短路校准件的测量值，计算在片负载校准件的当前负载电感；根据在片负载校准件的当前负载电感对被测件进行校准。本申请能够提高在片S参数测量系统的测量可靠性。
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公开(公告)号：CN114509607A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210005803.0
申请日：2022-01-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种功率源反射系数的测量方法及系统。该方法包括：对矢量网络分析仪的两端口进行校准，采用校准后的矢量网络分析仪测量处于不同阻抗状态的阻抗调配器的S参数；采用校准后的矢量网络分析仪测量功率探头的反射系数；基于功率源的不同输出功率和处于不同阻抗状态的阻抗调配器，从功率计上分别读取与输出功率对应的功率值；根据S参数、反射系数以及功率值求解超定方程，得到功率源的反射系数。本发明能够准确测量功率源的反射系数。
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公开(公告)号：CN113849958A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110938374.8
申请日：2021-08-16
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明提供一种在片S参数测量系统串扰误差修正方法及电子设备。该方法包括：对串扰校准件仿真，得到串扰S参数；采用在片S参数测量系统测量串扰校准件，得到并联S参数；并联S参数包括串扰误差；根据串扰S参数、并联S参数以及Y参数与S参数的转换关系，确定在片S参数测量系统的串扰误差，并根据串扰误差对在片S参数系统进行修正。本发明能够提高在片S参数测量系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN110174633B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910439434.4
申请日：2019-05-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供了器件参数的测量方法、系统及终端设备，方法包括：获取待测器件的测量数据和负载牵引测量系统的误差参数，所述测量数据为所述负载牵引测量系统中矢量网络分析仪的内部接收机基于所述待测器件测量的电压波；利用所述测量数据和所述负载牵引测量系统的误差参数，计算所述待测器件的参数。通过获取矢量网络分析仪测量待测器件的实时测量数据，可以实时计算待测器件的参数，不受阻抗调配器机械重复性的影响，提高了待测器件的参数的测量准确度。
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