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公开(公告)号：CN114509607B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210005803.0
申请日：2022-01-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种功率源反射系数的测量方法及系统。该方法包括：对矢量网络分析仪的两端口进行校准，采用校准后的矢量网络分析仪测量处于不同阻抗状态的阻抗调配器的S参数；采用校准后的矢量网络分析仪测量功率探头的反射系数；基于功率源的不同输出功率和处于不同阻抗状态的阻抗调配器，从功率计上分别读取与输出功率对应的功率值；根据S参数、反射系数以及功率值求解超定方程，得到功率源的反射系数。本发明能够准确测量功率源的反射系数。
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公开(公告)号：CN112098792B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010819047.6
申请日：2020-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种两端口在片校准件模型和参数确定的方法，该方法包括：通过测量第一频段对应的单端口在片校准件模型，得到第一S参数；根据第一S参数计算得到单端口在片校准件模型对应的两端口在片校准件模型的本征电容值；测量太赫兹频段对应的两端口在片校准件模型，得到第二S参数；根据第二S参数和本征电容值，计算得到两端口在片校准件模型的寄生电容值和寄生电阻值。本发明提供的不同的两端口在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同两端口在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN115542012A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211096585.2
申请日：2022-09-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R27/26
摘要： 本申请提供一种在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在短路校准件的测量值；基于预先确定的第一关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值和在片短路校准件的测量值，计算在片负载校准件的当前负载电感；根据在片负载校准件的当前负载电感对被测件进行校准。本申请能够提高在片S参数测量系统的测量可靠性。
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公开(公告)号：CN115542011A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211096583.3
申请日：2022-09-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R27/26
摘要： 本申请提供一种在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在片开路校准件的测量值和在片短路校准件的测量值；基于预先确定的关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值、在片开路校准件的测量值和在片短路校准件的测量值，计算在片负载校准件的当前负载电感；根据在片负载校准件的当前负载电感对被测件进行校准。本申请能够提高在片S参数测量系统的测量可靠性。
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公开(公告)号：CN115290997A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210743223.1
申请日：2022-06-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提供一种基于重心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的重心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据负载校准件修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN114719710A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210228086.8
申请日：2022-03-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01B5/02
摘要： 本发明提供一种位移偏差测量方法。应用于探针台的圆形载片台，载片台的直径为第一长度，该方法包括：将标准测量尺沿预设方向平行固定在载片台上；其中，标准测量尺的初始刻度处于载片台区域中；控制载片台沿预设方向移动预设距离，并通过标准测量尺获取载片台移动的实际距离；根据实际距离和预设距离确定载片台的位移偏差，并根据位移偏差对载片台进行修正。本发明能够提高探针台测量的可靠性。
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公开(公告)号：CN111025214B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201911185123.6
申请日：2019-11-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于非实时在片负载牵引测量技术领域，提供了一种获取功率校准模型的方法及终端设备，该方法包括：获取在片负载牵引系统中的各个组件的S参数和反射系数；基于在片负载牵引系统中的信号源的不同源功率，对接入在片负载牵引系统中的直通件的输出功率进行校准，并根据S参数和反射系数得到直通件的各个功率测量端面的输出功率以及直通件的输入功率；根据直通件的各个功率测量端面的输出功率以及直通件的输入功率构建功率校准模型，以采用功率校准模型进行功率测量，从而可以在非线性状态下进行输出功率测量之前，进行输出功率的校准，从而可以提高测量功率器件时系统测量指标及性能，并且降低测量过程复杂度。
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公开(公告)号：CN114509607A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210005803.0
申请日：2022-01-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种功率源反射系数的测量方法及系统。该方法包括：对矢量网络分析仪的两端口进行校准，采用校准后的矢量网络分析仪测量处于不同阻抗状态的阻抗调配器的S参数；采用校准后的矢量网络分析仪测量功率探头的反射系数；基于功率源的不同输出功率和处于不同阻抗状态的阻抗调配器，从功率计上分别读取与输出功率对应的功率值；根据S参数、反射系数以及功率值求解超定方程，得到功率源的反射系数。本发明能够准确测量功率源的反射系数。
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公开(公告)号：CN113849958A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110938374.8
申请日：2021-08-16
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明提供一种在片S参数测量系统串扰误差修正方法及电子设备。该方法包括：对串扰校准件仿真，得到串扰S参数；采用在片S参数测量系统测量串扰校准件，得到并联S参数；并联S参数包括串扰误差；根据串扰S参数、并联S参数以及Y参数与S参数的转换关系，确定在片S参数测量系统的串扰误差，并根据串扰误差对在片S参数系统进行修正。本发明能够提高在片S参数测量系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN110174633B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910439434.4
申请日：2019-05-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供了器件参数的测量方法、系统及终端设备，方法包括：获取待测器件的测量数据和负载牵引测量系统的误差参数，所述测量数据为所述负载牵引测量系统中矢量网络分析仪的内部接收机基于所述待测器件测量的电压波；利用所述测量数据和所述负载牵引测量系统的误差参数，计算所述待测器件的参数。通过获取矢量网络分析仪测量待测器件的实时测量数据，可以实时计算待测器件的参数，不受阻抗调配器机械重复性的影响，提高了待测器件的参数的测量准确度。
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