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公开(公告)号：CN115216831B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210829102.9
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 党冀萍 , 孙聂枫 , 史艳磊 , 徐成彦 , 秦敬凯 , 王书杰 , 刘峥 , 付莉杰 , 邵会民 , 刘惠生 , 王阳 , 李晓岚 , 马春雷 , 王维 , 康永 , 李亚旗 , 赵红飞
IPC: C30B11/00
Abstract: 一种可控温度梯度的晶体生长装置及方法，涉及半导体、光学晶体及金属晶体制备领域，晶体生长装置包括坩埚及配套组件、熔体温度梯度控制机构、晶体温度梯度控制机构；熔体温度梯度控制机构设置在坩埚内部，包括升降杆、加热板；晶体温度梯度控制机构包括恒温冷水机、冷水循环管路。生长方法包括在晶体生长期间，逐渐增加恒温冷水机供水流量，直至增加至30L/min；上升熔体温度梯度控制机构，提拉速度为2‑5mm/h。本发明在熔体中设置可移动的加热装置，通过精准控制加热装置的位置和温度来改善熔体中的温度梯度；在坩埚杆内部通入精准流量、温度基本恒定的冷却水来控制籽晶处的温度梯度，实现晶体高质量、高成品率的生长。
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公开(公告)号：CN115198368B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202210829110.3
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 史艳磊 , 孙聂枫 , 王书杰 , 刘峥 , 付莉杰 , 徐成彦 , 秦敬凯 , 邵会民 , 王阳 , 李晓岚 , 刘惠生 , 张晓丹 , 邹学锋 , 王维 , 张鑫 , 李亚旗 , 赵红飞 , 康永
Abstract: 一种半导体化合物注入合成方法，涉及半导体材料的合成，基于合成系统完成，所述合成系统采用开放式气源装置，所述方法包括：放置材料、下探开放式气源装置、融化金属材料、气化气源材料完成合成。有益效果：本发明的合成方法，开放式气源装置挡板下面部分为反应腔，合成时，气源材料与熔体接触面积至少为传统双管接触面积的22倍。本发明在反应腔内，没有覆盖剂的隔离，两种反应元素始终在液面接触。在具体实施案例中，使用本发明方法合成磷化铟材料，相比传统双管注入法合成，本方法效率提高了12倍。
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公开(公告)号：CN115198347B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210829211.0
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 王书杰 , 孙聂枫 , 徐森锋 , 邵会民 , 刘峥 , 史艳磊 , 姜剑 , 李晓岚 , 王阳 , 怀俊彦 , 孙作宝 , 张晓丹 , 康永 , 王维 , 刘惠生 , 李亚旗 , 赵红飞
Abstract: 一种离心合成与生长化合物晶体的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，装置包括炉体和炉体内的坩埚，坩埚顶部设置密封槽，与密封槽配套有密封盖，坩埚通过坩埚杆连接炉体外部的离心电机。方法包括放置原料、组装装置、密封坩埚、离心合成、晶体生长步骤。使用本发明提出的装置和方法，没有易挥发元素的注入装置，具有简单、经济、节能、高效的特点；金属材料在加热前，在离心力的作用下贴在坩埚侧壁，距主加热器更近，对金属的加热效率更高；合成期间，易挥发元素不会发生逃逸，全部参与合成，杜绝浪费；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。
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公开(公告)号：CN115200720A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210633543.1
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种基于双区域检测的热反射热成像自动重聚焦方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的第一区域和第二区域，计算两个区域的清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算两个区域的清晰度；当前测量图像仍包含上述两个区域；若被测件的温度、三轴纳米位移台的位移、第二区域清晰度满足预设温度阈值条件、第二预设位移阈值条件和第二预设清晰度条件，并满足第一预设位移阈值条件和第一预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的光热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号：CN115200698A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210635533.1
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种具有低反射吸收负载安装结构的波导噪声源。该噪声源包括矩形波导、波导法兰、微调法兰、盲板法兰和吸收负载；波导法兰固定连接在矩形波导的输入端；微调法兰通过紧固件连接波导法兰；盲板法兰通过紧固件连接微调法兰；微调法兰上设有矩形通孔；矩形通孔的位置与矩形波导的内腔位置对应；吸收负载的一端固定在矩形通孔内；吸收负载的其余部分置于矩形波导的内部。本发明的微调法兰固定吸收负载的一端，能够通过调整微调法兰与波导法兰的相对位置，使吸收负载与矩形波导内壁紧密接触，提升了吸收负载安装可靠性，可获得稳定输出的低反射系数热噪声。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114241023A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111527188.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于亚像素图像配准技术领域，提供了亚像素图像配准方法、装置及终端设备，该亚像素图像配准方法包括：获取目标物体的参考图像、目标物体的待配准采集图像；对待配准采集图像和参考图像进行傅里叶变换；对经过傅里叶变换后的待配准采集图像进行带限处理，过滤掉待配准采集图像中的无效信息；基于参考图像对经过带限处理的待配准采集图像进行配准。本申请解决了现有相位相关法在高放大倍率下会发生失效的问题。
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公开(公告)号：CN115200720B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202210633543.1
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种基于双区域检测的热反射热成像自动重聚焦方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的第一区域和第二区域，计算两个区域的清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算两个区域的清晰度；当前测量图像仍包含上述两个区域；若被测件的温度、三轴纳米位移台的位移、第二区域清晰度满足预设温度阈值条件、第二预设位移阈值条件和第二预设清晰度条件，并满足第一预设位移阈值条件和第一预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的光热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号：CN113624358B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202110803448.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种用于光热反射显微热成像的三维位移补偿方法及控制装置。该方法包括：获取被测件位于待补偿位置时的采集图像，及被测件位于参考位置时的参考图像；根据参考图像计算得到第一傅里叶变换，根据采集图像计算得到第二傅里叶变换；根据第一傅里叶变换和第二傅里叶变换，确定光热反射显微热成像装置中光学子系统的点扩散函数的峰值点坐标和拟合直径；根据峰值点坐标、拟合直径和光热反射显微热成像装置中光学子系统的成像参数，计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，以对被测件进行三维位移补偿。本发明能够同时计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，进而提高位移补偿的工作效率。
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公开(公告)号：CN115198368A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210829110.3
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 史艳磊 , 孙聂枫 , 王书杰 , 刘峥 , 付莉杰 , 徐成彦 , 秦敬凯 , 邵会民 , 王阳 , 李晓岚 , 刘惠生 , 张晓丹 , 邹学锋 , 王维 , 张鑫 , 李亚旗 , 赵红飞 , 康永
Abstract: 一种半导体化合物注入合成方法，涉及半导体材料的合成，基于合成系统完成，所述合成系统采用开放式气源装置，所述方法包括：放置材料、下探开放式气源装置、融化金属材料、气化气源材料完成合成。有益效果：本发明的合成方法，开放式气源装置挡板下面部分为反应腔，合成时，气源材料与熔体接触面积至少为传统双管接触面积的22倍。本发明在反应腔内，没有覆盖剂的隔离，两种反应元素始终在液面接触。在具体实施案例中，使用本发明方法合成磷化铟材料，相比传统双管注入法合成，本方法效率提高了12倍。
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公开(公告)号：CN115219815B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210743203.4
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于内切圆心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的内切圆圆心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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