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公开(公告)号：CN115290997B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202210743223.1
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于重心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的重心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据负载校准件修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN115219816B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202210743221.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于外接圆心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的外接圆圆心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN115290997A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210743223.1
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于重心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的重心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据负载校准件修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114859294A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210269290.4
申请日：2022-03-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种T/R组件微穿墙过渡结构及T/R组件，属于微波毫米波及太赫兹技术领域，包括基板，基板的正面设有镀金焊盘，基板的背面设有BGA植球焊盘；基板上设有连接镀金焊盘与BGA植球焊盘的金属化孔。T/R组件包括具有正面腔体和背面腔体的盒体、盒体隔墙、微波板、控制板和T/R组件微穿墙过渡结构。本发明提供的T/R组件微穿墙过渡结构，利用便于自动化生产的微穿墙过渡结构，相比传统的绝缘子过渡针体积大大缩小，成本更低，可操作性更强；同时因弥补了射频板和电源板过渡的高度差，相比传统的键合丝穿墙过渡，可靠性更高，更便于自动化生产。
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公开(公告)号：CN115219815B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210743203.4
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于内切圆心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的内切圆圆心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN115219816A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210743221.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于外接圆心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的外接圆圆心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN115219815A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210743203.4
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于内切圆心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的内切圆圆心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN203445115U
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201320486563.7
申请日：2013-08-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/64
Abstract: 本实用新型公开了一种硅基射频滤波电容排，属于半导体器件领域。本实用新型自下而上包括下电极、低阻硅衬底、薄膜介质和上电极；所述上电极由一系列独立的电极条组成，所述电极条呈条状并列纵贯于薄膜介质上，下电极可通过金锡烧结或导电胶粘接实现接地，上电极的各个线条的两端可以通过键合工艺连接到外围其他电路，实现对地并联的高频滤波功能。本实用新型在硅基上集成电极条，电极条的端口与常用的微波控制电路芯片端子相对应，可作为微波电路与控制电路芯片的过渡元件，特别适合为多芯片微波组件中的幅相控制电路做滤波，并很好实现滤波性能；本实用新型还可以明显降低射频信号引入的干扰，在多通道组件中能够提高通道的隔离度。
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