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公开(公告)号：CN115198347B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210829211.0
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 王书杰 , 孙聂枫 , 徐森锋 , 邵会民 , 刘峥 , 史艳磊 , 姜剑 , 李晓岚 , 王阳 , 怀俊彦 , 孙作宝 , 张晓丹 , 康永 , 王维 , 刘惠生 , 李亚旗 , 赵红飞
Abstract: 一种离心合成与生长化合物晶体的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，装置包括炉体和炉体内的坩埚，坩埚顶部设置密封槽，与密封槽配套有密封盖，坩埚通过坩埚杆连接炉体外部的离心电机。方法包括放置原料、组装装置、密封坩埚、离心合成、晶体生长步骤。使用本发明提出的装置和方法，没有易挥发元素的注入装置，具有简单、经济、节能、高效的特点；金属材料在加热前，在离心力的作用下贴在坩埚侧壁，距主加热器更近，对金属的加热效率更高；合成期间，易挥发元素不会发生逃逸，全部参与合成，杜绝浪费；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。
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公开(公告)号：CN116180208A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202210938176.6
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种超重力下通过熔体迁移制备化合物晶体的方法，涉及半导体制备领域，所述方法包括：将分子式为AxBy的化合物半导体多晶、A元素的单质、籽晶依次紧密接触放置于坩埚中，并将坩埚水平放置在离心旋转设备上，加热坩埚至T0，800℃
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公开(公告)号：CN115198347A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210829211.0
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 王书杰 , 孙聂枫 , 徐森锋 , 邵会民 , 刘峥 , 史艳磊 , 姜剑 , 李晓岚 , 王阳 , 怀俊彦 , 孙作宝 , 张晓丹 , 康永 , 王维 , 刘惠生 , 李亚旗 , 赵红飞
Abstract: 一种离心合成与生长化合物晶体的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，装置包括炉体和炉体内的坩埚，坩埚顶部设置密封槽，与密封槽配套有密封盖，坩埚通过坩埚杆连接炉体外部的离心电机。方法包括放置原料、组装装置、密封坩埚、离心合成、晶体生长步骤。使用本发明提出的装置和方法，没有易挥发元素的注入装置，具有简单、经济、节能、高效的特点；金属材料在加热前，在离心力的作用下贴在坩埚侧壁，距主加热器更近，对金属的加热效率更高；合成期间，易挥发元素不会发生逃逸，全部参与合成，杜绝浪费；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。
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公开(公告)号：CN218404489U
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202222056074.X
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，涉及半导体制备领域，包括离心旋转电机、连接离心旋转电机的离心主轴、连接离心主轴水平设置的连接杆以及连接在连接杆上的晶体生长设备。所述晶体生长设备水平方向放置，包括炉侧盘、与炉侧盘连接的炉筒，组合坩埚及组合坩埚周边的加热丝，在组合坩埚两端分别有外顶块和内垫块。采用本实用新型提出的设备，可以在低于化合物半导体熔点快速生长单晶，提高生长界面临界剪切应力，降低位错密度。同时，降低熔点的同时也能降低熔体的饱和蒸气压，降低压力设备的要求和生长条件，并使得原本不能够利用熔体法制备的晶体实现熔体法的高效生长。
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