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公开(公告)号：CN115078021A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210495016.9
申请日：2022-05-07
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种高深宽比沟槽标准样板的定值方法。该方法包括：将已完成高深宽比沟槽制备的晶圆划分为多个标准网格；将各标准网格划分为n×n个标准样板；对各标准网格的中心样板进行切割，并垂直于沟槽方向进行横向切片，测量各切片的沟槽尺寸；若中心样板各切片的沟槽尺寸均匀性低于预设值，则认定该中心样板所在标准网格所划分的各标准样板合格，对该标准网格的非中心样板进行沟槽尺寸测量，并根据测量结果获得该标准网格的各标准样板的定值。本发明能够通过测量各标准网格中心样板的均匀性，只对晶圆中均匀性好的部分进行切片定值，提高了标准样板定值的可靠性，避免对均匀性差的部分进行切片测量，提高了标准样板定值的工作效率。
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公开(公告)号：CN113935974A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111216710.4
申请日：2021-10-19
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种线宽参数测量方法、装置及图像处理设备。该方法包括：接收待测线宽样板的像素图像；获取标准线宽样板的标准线宽参数；根据像素图像确定待测线宽样板的像素线宽参数；根据标准线宽参数、像素线宽参数和转换关系确定待测线宽样板的真实线宽参数；其中，转换关系用于表征像素线宽参数和真实线宽参数之间的关系；或者，利用最小二乘法，对像素线宽参数进行亚像素边缘识别，并根据亚像素边缘识别的结果确定待测线宽样板的真实线宽参数。本发明能够提高测量线宽参数的准确性。
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公开(公告)号：CN111024016B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201911226289.8
申请日：2019-12-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于仪器校准技术领域，提供了一种膜厚样片及膜厚样片的制备方法，所述膜厚样片包括：样片载体和至少两个样片本体，其中，各样片本体的薄膜厚度和/或薄膜类型不同，所述各样片本体衬底朝下粘贴在所述样片载体上，所述样片载体上设有用于指示各样片本体的薄膜厚度和薄膜类型的样片标识。本发明能够在对椭偏仪进行校准时，可以直接移动样片载体实现不同样片本体的替换，而无需取出样片、更换样片，从而增加了校准时的便捷程度，提高了对椭偏仪校准的效率。
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公开(公告)号：CN109346421B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811150014.6
申请日：2018-09-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种线距标准样片的定值方法，该方法包括：获取电子束斑漂移不确定度；获取标定不确定度；确定所述线距标准样片的均匀性不确定度；确定所述线距标准样片的稳定性不确定度；确定所述线距标准样片的重复性不确定度；根据所述电子束斑漂移不确定度、所述标定不确定度、所述均匀性不确定度、所述稳定性不确定度和所述重复性测量不确定度确定所述线距标准样片的扩展不确定度。本发明能够实现对微纳米线宽尺寸测量类仪器的校准。
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公开(公告)号：CN110112079A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910353879.0
申请日：2019-04-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法，属于半导体器件测试技术领域，包括计算台阶样块的高度d；计算台阶样块的外尺寸a和内尺寸b；计算台阶样块的侧面倾斜角θ；设定参数ε评价刻蚀工艺水平，利用参数与台阶侧面倾斜角的关系式计算参数ε。本发明提供的台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法，能够准确测量台阶样块的高度及内外尺寸，进而确定台阶样块侧面倾斜角，对台阶样块的刻蚀工艺水平进行准确评价。
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公开(公告)号：CN105737879A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610115896.7
申请日：2016-03-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01D18/00
CPC分类号： G01D18/00
摘要： 本发明公开了一种带有台阶高度的微米级光栅校准样片，涉及微纳米测量类仪器的校准领域。包括基底、以及在基底上设置的至少一组同一周期尺寸的光栅结构和覆盖在光栅结构表面的金属层；所述一组同一周期尺寸的光栅结构包括同一周期尺寸的一维X方向栅条结构、同一周期尺寸的一维Y方向栅条结构和同一周期尺寸的二维栅格结构，所述一维X方向栅条结构和一维Y方向栅条结构中的若干个栅条分别沿X方向和Y方向均等排列，所述二维栅格结构中的若干个栅格沿X方向和Y方向均等排列，所述栅条和栅格均为凸起的台阶高度结构。该样片具有多种量值、多种结构，避免了校准过程中频繁更换样片，提高了校准效率。
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公开(公告)号：CN111573616B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010334963.0
申请日：2020-04-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供了一种复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法，属于微纳米计量技术领域，包括具有深度和宽度尺寸的沟槽结构、正交扫描定位结构、切片定位结构、定位角结构以及沟槽定位结构；正交扫描定位结构、切片定位结构以及沟槽定位结构均分设于沟槽结构的长度方向的两侧，定位角结构设于标准样板的四角；沟槽的深宽比大于等于10:1。本发明提供的复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法，能够准确测量沟槽或台阶标准样板的宽度和深度，同时复现测量过程中两个参数结果之间存在的影响，提高测试数据的准确性，降低标准样板的成本。
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公开(公告)号：CN111192242B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201911342867.4
申请日：2019-12-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于半导体测试技术领域，提供了一种微米级格栅特征的一致性检测方法、装置及终端设备，该方法包括：采集微米级格栅图像，并对微米级格栅图像进行特征提取，获得微米级格栅图像中每个格栅的宽度特征和长度特征；根据每个格栅的宽度特征和每个格栅的长度特征，确定微米级格栅图像的格栅宽度方向一致性检测参数和微米级格栅图像的格栅长度方向一致性检测参数；根据格栅宽度方向一致性检测参数和格栅长度方向一致性检测参数，获得微米级格栅图像的格栅特征一致性检测结果。本发明的微米级格栅特征的一致性检测方法，检测结果客观准确，可以简单直观表示微米级格栅图像的格栅一致性。
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公开(公告)号：CN111578848B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010333627.4
申请日：2020-04-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明适用于微纳米测量仪器计量技术领域，提供了一种线宽标准样片的线宽量值确定的方法及系统，该方法包括：对椭偏仪进行校准；建立基于多层膜沉积工艺的多层膜厚样片测量模型，并在所述多层膜厚样片测量模型建立过程中对初次校准后的椭偏仪进行再次校准；基于多层膜沉积工艺沉积多层膜厚样片；采用再次校准后的椭偏仪，对所述多层膜厚样片的薄膜厚度进行测量，得到测量结果，并将所述测量结果作为线宽标准样片的线宽量值，从而可以确定纳米级线宽标准样片的量值，提高纳米级线宽标准样片定值的准确度。
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公开(公告)号：CN110310313A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910616003.0
申请日：2019-07-09
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G06T7/33
摘要： 本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样上的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各候选图像与指定基准图像的互相关度，将与基准图像的互相关度最大的候选图像确定为选中图像，若选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，将选中图像确定为目标图像的配准图像；否则，根据选中图像对应的平移点与本次平移图像中平移点的对应关系，对本次平移图样进行相应的操作更新，获得下一次平移图样，并基于下一次平移图样进行平移配准，直到选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，本发明能够提高显微热成像测量温度的准确性。
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