-
公开(公告)号：CN118326518A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410495288.8
申请日：2024-04-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种助溶剂化合物半导体晶体的注入反应生长方法及装置，涉及半导体晶体制备技术领域。该助溶剂化合物半导体晶体的注入反应生长装置，包括炉体，所述炉体内部设置有坩埚支撑，以及位于所述坩埚支撑下端的坩埚杆，所述坩埚杆下端贯穿炉体底部并连接有下传动系统，位于所述炉体顶部设置的注入旋转杆，以及位于所述注入旋转杆下端设置的多管注入系统。本发明中，该方法通过多管注入系统向表面覆盖氧化硼的镓‑钠熔体中注入氮气，来增加氮气的溶解速率，氧化硼可以抑制钠的挥发，实现高温下氮化镓等化合物晶体的生长，通过多管注入系统的转动和坩埚的转动来加速气泡的溶解来加快氮原子的传输，进而实现大块氮化镓晶体的快速生长。
-
公开(公告)号：CN116276630A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310080721.7
申请日：2023-02-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种吸擦一体式擦头装置，包括吸盘主体和吸盘芯，吸盘主体上表面设有用于容纳研磨液的第一环形凹槽，第一环形凹槽的底部设有第一研磨液排出孔，安装圆台的中心设有第一通气孔；吸盘芯安装在吸盘主体的下表面；吸盘芯具有与第一通气孔同轴连通的第二通气孔；吸盘芯的下端设有分气盘，沿分气盘周向均匀设有多个第一径向排气孔，第一径向排气孔与第二通气孔连通；还包括通气管路、研磨液管路、吹扫气管路、冲洗液管路。本发明可实现对陶瓷圆片的无接触装载和卸载，可以完成对陶瓷圆片的研磨、冲洗和吹扫，大大避免了陶瓷圆片划伤、损坏、报废、二次污染的问题，提高了工作效率，保证了陶瓷圆片的研磨效果和洁净度。
-
公开(公告)号：CN117071053A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311080553.8
申请日：2023-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提出了一种LEC生长系统中通过VGF制备化合物晶体的方法，属于晶体制备技术领域，本发明通过控制多段加热系统，在液封提拉系统的坩埚的熔体中生长磷化铟晶体，当晶体尺寸大于所需尺寸以后，降低系统的压力使得熔体中的磷气体不断溢出而降低熔体中磷的浓度，同时降低熔体的温度，整个过程熔体中系统压力、磷的浓度及熔体温度与磷化铟晶体保持近似热力学平衡，保证晶体在系统压力降低和温度降低过程中，尺寸不变，直至熔体温度达到770‑1070K，然后将晶体提拉进入热屏缓慢降温。该方法可以实现LEC晶体生长系统中高成品率引晶的优点，同时还可以在低温将晶体提拉出熔体，而不被氧化硼和坩埚涨裂。
-
公开(公告)号：CN115431169B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202211021727.9
申请日：2022-08-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种真空连接转换装置、载片抛光方法及抛光机，属于半导体技术领域，包括：轴套、内套筒、轴承以及分体端盖，轴套具有上连接段和下连接段，上连接段内的上通孔的孔径大于下连接段的下通孔的孔径，上通孔和下通孔的相接处构成支撑平台；内套筒设置于上通孔内；其中，上连接段上设有用于真空管路的安装孔，内套筒上设有抽气孔；轴承设置于支撑平台上，用于连接载片轴；分体端盖封装于上通孔的上端，对内套筒内的真空腔构成密封。本发明提供的真空连接转换装置，利用轴承保证载片轴转动的速度的均匀性，能够提升载片抛光面的均匀性，避免后序制作的产品报废，提高产品的加工质量。
-
公开(公告)号：CN115831858A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310004369.9
申请日：2023-01-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明提供了一种非接触式晶圆翻转装置及翻转方法，属于半导体制作技术领域，包括旋转手指气缸、两组晶圆夹持支撑件以及晶圆夹持机械手，旋转手指气缸具有至少180°旋转的自由度及手指相对移动的自由度；两组晶圆夹持支撑件对称固定于旋转手指气缸的两个手指上；晶圆夹持机械手对称连接于晶圆夹持支撑件上，以夹持待翻面的晶圆；两晶圆夹持机械手相对的内侧分别具有夹持晶圆边缘的弧形槽。本发明晶圆夹持机械手不接触晶圆的表面，仅仅抵靠晶圆的外侧面，不会对晶圆的正面和背面造成污染、划痕等不洁净的问题；晶圆沿斜面滑动落入晶圆夹持机械手的夹持部位，可避免了晶圆倾斜晃动等问题造成的不确定性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118390151A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410264199.2
申请日：2024-03-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种熔体迁移法生长化合物半导体单晶的方法，属于化合物单晶的制备领域，本发明设计两个迁移熔池，在温度梯度下小尺寸籽晶通过纵向熔池横向迁移长大，然后通过横向熔池纵向迁移来获得大尺寸长化合物半导体单晶。通过控制横向和纵向温度梯度来实现上述过程，同时设计了导通探测器，探测迁移熔池的生长进程，进而精确控制温度梯度转化和生长工艺。由于采用小尺寸单晶籽晶，节省了单晶籽晶的制备成本和难度，降低了位错密度。该方法可用于氧化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等III‑V族化合物半导体的制备，同样适用于II‑VI族化合物半导体的制备。
-
公开(公告)号：CN117026379A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311071433.1
申请日：2023-08-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置，涉及半导体晶体制备技术领域。该半导体晶体生长及原位退火的方法，包括以下过程：S1.首先将坩埚盖焊接或烧结至坩埚上，然后向坩埚内部放置固体氧化硼和固体磷化铟，然后将坩埚放置到坩埚支撑上端；S2.封闭主炉体和上炉盖，通过充放气管道给系统抽真空至10‑2Pa‑10Pa，然后充入惰性气体至3‑5MPa。本发明中，该方法可以降低LEC晶体生长中机械震动带来的提拉影响，通过中心液面在离心力下连续下降，同时实现晶体的生长，同时还可以利用高速离心运动下，在生长界面建立起高的温度梯度，提高生长界面的稳定性。
-
公开(公告)号：CN114549599A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210038925.X
申请日：2022-01-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种晶圆快速预对准方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：对目标晶圆的灰度图像进行边缘检测，获得目标晶圆的轮廓二值图像；降低轮廓二值图像的分辨率，获得对应的低分辨率图像；对低分辨率图像中的轮廓进行直线检测，获得低分辨率图像中对应的平边端点粗坐标；基于平边端点粗坐标在轮廓二值图像中对应的预设邻域图像进行直线检测，获得轮廓二值图像中对应的平边端点精坐标；根据平边端点精坐标对目标晶圆的轮廓进行圆拟合，获得轮廓对应的圆心坐标和平边旋转角，以基于圆心坐标和平边旋转角对目标晶圆进行对准。本发明能够有效提高直线检测获得平边端点坐标的速度，进而缩短晶圆预对准时间，提高晶圆预对准的实时性和效率。
-
公开(公告)号：CN116988141A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311003679.5
申请日：2023-08-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种电弧加热无坩埚生长氧化镓晶体的装置，涉及半导体晶体材料的制备，包括炉体、穿过炉体上部的籽晶杆、连通炉体内部与外部的管路系统，所述装置还包括设置在炉体内部的连接上加热环升降杆的上加热环、电弧加热电极、电弧电源、退火层、冷却系统和设置在炉体底部的支撑盘。本发明设置两个加热装置：上加热环和电弧加热电极，首先使用上加热环在多晶氧化镓块顶部熔化出熔池，再通过引弧进行熔炼；冷却系统保证了多晶氧化镓块只在中间形成熔体，周边保持固体状态，容纳熔体。采用本发明提出的装置，可以实现无坩埚生长氧化镓，使用少量的铱电极进行加热，降低成本，且熔体污染少；屏蔽退火层可以去除应力，实现低应力氧化镓单晶生长。
-
公开(公告)号：CN115431169A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211021727.9
申请日：2022-08-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种真空连接转换装置、载片抛光方法及抛光机，属于半导体技术领域，包括：轴套、内套筒、轴承以及分体端盖，轴套具有上连接段和下连接段，上连接段内的上通孔的孔径大于下连接段的下通孔的孔径，上通孔和下通孔的相接处构成支撑平台；内套筒设置于上通孔内；其中，上连接段上设有用于真空管路的安装孔，内套筒上设有抽气孔；轴承设置于支撑平台上，用于连接载片轴；分体端盖封装于上通孔的上端，对内套筒内的真空腔构成密封。本发明提供的真空连接转换装置，利用轴承保证载片轴转动的速度的均匀性，能够提升载片抛光面的均匀性，避免后序制作的产品报废，提高产品的加工质量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.037 seconds)
