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公开(公告)号：CN103205809B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310126380.9
申请日：2013-04-12
申请人： 西北工业大学
摘要： 一种制备Si基TaSi2纳米尖锥阵列的方法，通过激光悬浮区熔定向凝固方法进行定向凝固，得到TaSi2在Si基体上均匀分布的试样棒。采用HNO3/HF腐蚀液，通过刻蚀的方法在试样的表面制备出TaSi2尖锥阵列。得到的TaSi2纳米尖锥阵列的高度为2.5-7.5μm,曲率半径为54-140nm，阵列的长/径比达到了35：1。本发明制备的Si基体上TaSi2的均匀性比较好，面密度达到了1.4×107rod/cm2，直径达到了纳米级别。与现有技术中长/径比为2：1的阵列相比，其场发射性能有了很大的提高，可应用于场发射显示器件，以及场效应二极管，平板显示器，传感器等器件。
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公开(公告)号：CN103205809A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310126380.9
申请日：2013-04-12
申请人： 西北工业大学
摘要： 一种制备Si基TaSi2纳米尖锥阵列的方法，通过激光悬浮区熔定向凝固方法进行定向凝固，得到TaSi2在Si基体上均匀分布的试样棒。采用HNO3/HF腐蚀液，通过刻蚀的方法在试样的表面制备出TaSi2尖锥阵列。得到的TaSi2纳米尖锥阵列的高度为2.5-7.5μm,曲率半径为54-140nm，阵列的长/径比达到了35：1。本发明制备的Si基体上TaSi2的均匀性比较好，面密度达到了1.4×107rod/cm2，直径达到了纳米级别。与现有技术中长/径比为2∶1的阵列相比，其场发射性能有了很大的提高，可应用于场发射显示器件，以及场效应二极管，平板显示器，传感器等器件。
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公开(公告)号：CN100374626C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200510002279.8
申请日：2005-01-20
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明属晶体生长领域。方法为激光辐照掺杂Al2O3陶瓷棒的下端使其熔融，其下端放籽晶，晶体由下至上快速生长。装置包括真空炉，内壁由侧保温屏(2)、上保温屏(7)、下保温屏(8)围成，炉内包括位于炉体中轴线上的结晶杆(5)、升降杆(1)，特征为顶部连接籽晶槽(4)的结晶杆(5)穿过下保温屏(8)，连接料夹(10)的升降杆(1)穿过上保温屏(7)，炉体一侧开激光入射窗(3)，另一侧开与激光入射窗(3)不在同一水平线上的观察窗(9)；炉体之外另附真空系统，2套伺服电机及控制系统作为结晶杆(5)及升降杆(1)的升降旋转系统；观察窗(9)外侧测温仪用于温度测量与反馈。本发明可快速生长直径大约为15毫米的蓝宝石晶体。
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公开(公告)号：CN115558984A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211148102.9
申请日：2022-09-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种无坩埚制备大尺寸半导体晶体的方法，属于半导体材料的制备领域，所述方法包括以下步骤：步骤1、将籽晶和多晶分离设置；步骤2、加热籽晶和多晶远端的端面，端面温度小于半导体的熔点；步骤3、加热籽晶端面是籽晶部分融化，在籽晶端面中心形成初始熔区；步骤4、在垂直于晶籽的方向施加交变磁场；步骤5、在初始熔区区域施加约束磁场；步骤6、多晶与籽晶接触；步骤7、控制远端面温度，多晶持续融化，熔池向多晶方向移动，单晶向多晶方向生长，实现半导体单晶的制备。本发明提出的方法，无需坩埚、生长界面稳定且不受半导体晶体的尺寸的影响，本发明还适用于氧化镓等熔点高且易于与坩埚反应的晶体制备。
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公开(公告)号：CN104379820A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380032042.7
申请日：2013-03-14
申请人： 纽约市哥伦比亚大学理事会
发明人： 詹姆斯·S·尹
IPC分类号： C30B13/24
CPC分类号： C30B13/24 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/02691
摘要： 本公开涉及能以显著增加的有效结晶速率使Si膜结晶用于大型显示器的新一代激光-结晶方法。本公开的此方面示出的特定方案被称为高级准分子激光退火(AELA)方法，并且使用各种可用的并成熟的技术性元件容易地将其用于生产大型OLED TV。如在ELA中，主要是基于部分-/几乎完全-熔融-状态的结晶方法，然而，其在有效结晶速率上最终可获得比利用相同激光源的常规ELA技术高出一个数量级的增加。
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公开(公告)号：CN101680107B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200880013183.3
申请日：2008-04-24
申请人： LIMO专利管理有限及两合公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B1/02 , C30B13/24 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02691
摘要： 一种改变半导体层的结构的方法，尤其是用于非晶形硅层(2)的结晶或再结晶的方法，在该方法中在将半导体层设置到基片(1)上之后，用半导体激光器(14)的激光暂时照射半导体层，该激光在半导体层的范围内具有线形的强度分布(3)，其中线形的强度分布(3)在垂直于穿过半导体层的线的延伸的方向(x)上在半导体层上移动，并且其中强度分布(3)在垂直于线的延伸的方向(x)上具有带有至少一个强度峰值(7)的强度分布图(5，11，12)和至少一个扩展范围(6，8)，该扩展范围比强度峰值(7)在垂直于线的延伸的方向(x)上更加扩展，其中其强度(I6，I8)小于强度峰值(7)的强度(I7)并大于零。
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公开(公告)号：CN100370065C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200480005007.7
申请日：2004-02-16
申请人： 学校法人早稻田大学
发明人： 一之濑升 , 岛村清史 , 青木和夫 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
摘要： 公开了生长几乎不开裂、具有弱化的孪晶倾向和改进的结晶性的β-Ga2O3单晶的方法，生长具有高品质薄膜单晶的方法，能够在紫外区发光的Ga2O3发光器件及其制造方法。在红外加热的单晶制造系统中，种晶和多晶材料以相对方向旋转并加热，β-Ga2O3单晶沿选自a轴 方向、b轴 方向和c轴 方向的一个方向生长。β-Ga2O3单晶薄膜由PLD形成。将激光束施加于目标物上以激发构成目标物的原子。Ga原子通过热和光化学作用从目标物释放。游离的Ga原子与室中气体中的自由基结合。因此，β-Ga2O3单晶薄膜生长在β-Ga2O3单晶衬底上。所述的发光器件包括以n型掺杂物掺杂β-Ga2O3单晶产生的n型衬底和以p型掺杂物掺杂β-Ga2O3单晶产生并连接到n型衬底的p型衬底。所述发光器件从结合部分发光。
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公开(公告)号：CN115125608B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210252469.9
申请日：2022-03-15
申请人： TDK株式会社
摘要： 本发明提供一种结晶制造方法，其中，首先，将具备前端变细的前端部(1A)的原料(1)配置于结晶生长区域(2U)的上方；接着，将前端部(1A)的侧面在维持前端部(1A)的形状的同时利用向斜上方行进的辐射热选择性地加热使其熔融，从该侧面熔融的材料将前端部(1A)的侧面和结晶生长区域(2U)的上表面物理连接。在结晶制造装置中，原料熔融用辐射热是从电阻加热器(R)放射的。
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公开(公告)号：CN103354204A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310260287.7
申请日：2008-11-21
申请人： 纽约市哥伦比亚大学理事会
发明人： J·S·伊姆
CPC分类号： H01L21/3221 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/02686 , H01L31/0236 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本公开涉及用于制备外延纹理厚膜的系统和方法。所公开的主题涉及薄膜的激光结晶的使用，以产生外延纹理结晶厚膜。在一个或多个实施方式中，用于制备厚结晶膜的方法包括：提供用于在衬底上结晶的膜，其中衬底的至少一部分对于激光照射实质上是透明的，所述膜包括具有主表面结晶取向的籽晶层以及在籽晶层之上布置的顶层；使用脉冲激光器从衬底的背面照射该膜，以在与籽晶层的界面处熔化顶层的第一部分同时籽晶层的第二部分保持固态；以及重新凝固顶层的第一部分，以形成以籽晶层外延的结晶激光，从而释放热来熔化顶层的相邻部分。
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