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公开(公告)号：CN109373333B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201811521947.1
申请日：2018-12-13
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： F23G5/50
摘要： 本发明提供一种易燃废弃物燃烧处理装置，属于环保设备技术领域，采用的技术方案是一种易燃废弃物燃烧处理装置，包括设有填料口的压力容器及配套的供氧系统，所述压力容器腔内设有燃烧系统、燃烧物吸收池及吸收液补给系统，所述燃烧物吸收池底端设有排放口，压力容器腔体外还设有循环水冷系统。有益效果是本易燃废弃物燃烧处理装置能够高效、快速处理废磷、含磷废弃物等易燃废弃物，实现零废气排放处理、速度可控处理；运行稳定、易于控制，可以在线添加待处理物及碱性溶液，在线排放，实现了连续化作业；设备占地面积小、结构简单、易于操作和控制，进一步改进的方案中实现了自动化控制，成本低，产业化应用价值高。
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公开(公告)号：CN113308740B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110618255.4
申请日：2021-06-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种半绝缘磷化铟的制备方法，属于晶体制备领域，使用半绝缘磷化铟的制备装置完成，所述制备装置包括密闭的炉体及炉体内的坩埚，包括以下步骤：步骤A、加热铟，形成铟熔体；步骤B、炉体内充入0.02‑0.3MPa的氢气，保压1‑5小时；将液态氧化硼覆盖在熔体表面；步骤C、炉体内充入6‑15MPa的惰性气体；步骤D、向铟熔体内注入磷气体；步骤E、晶体生长；步骤F、原位退火，完成半绝缘磷化铟的制备。采用本发明提出的方法，可以完成晶体的生长，并且在合适的空间内实现晶体的原位退火，尤其是需要在磷气氛下退火时，保证磷气体不凝结，维持退火空间内的压力，建立良好的退火环境，保证半绝缘磷化铟晶体质量。
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公开(公告)号：CN113308744B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110618242.7
申请日：2021-06-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种半绝缘磷化铟的制备装置，属于晶体制备领域，包括炉体，炉体内设置坩埚及加热和支持系统、穿过炉体的籽晶杆，在炉体侧面设置氢气管、惰性气体管、排气管；在炉体内设置有注入器，连接注入器的注入升降杆探出炉体外；在炉体内还设置原位退火装置。采用本发明提出的制备装置，可以完成晶体的生长，并且在合适的空间内实现晶体的原位退火，尤其是需要在磷气氛下退火时，保证磷气体不凝结，维持退火空间内的压力，建立良好的退火环境，保证半绝缘磷化铟晶体质量。
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公开(公告)号：CN112746312B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110145424.7
申请日：2021-02-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种低应力晶体的生长方法，涉及晶体制备领域，尤其涉及使用提拉法制备低应力、低缺陷晶体的方法，借助拥有可移动式晶体加热罩的提拉法晶体生长装置实现，晶体生长装置实现包括炉体，炉体底部的坩埚及加热保温系统，晶体提拉机构，石英观察窗，所述装置还有可移动式晶体加热罩，包括加热罩体、设置在加热罩体四周的加热丝、加热罩升降机构。晶体生长过程中，以及晶体提拉出熔体后，用可移动式晶体加热罩进行覆盖。采用本方法，可以降低晶体生长过程中、以及晶体提起后降温过程中晶体内部的温度梯度，从而降低晶体应力，降低缺陷，避免晶体开裂，同时保持熔体内的温度梯度，保证晶体生长过程稳定，从而保证晶体成品率。
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公开(公告)号：CN113308744A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110618242.7
申请日：2021-06-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种半绝缘磷化铟的制备装置，属于晶体制备领域，包括炉体，炉体内设置坩埚及加热和支持系统、穿过炉体的籽晶杆，在炉体侧面设置氢气管、惰性气体管、排气管；在炉体内设置有注入器，连接注入器的注入升降杆探出炉体外；在炉体内还设置原位退火装置。采用本发明提出的制备装置，可以完成晶体的生长，并且在合适的空间内实现晶体的原位退火，尤其是需要在磷气氛下退火时，保证磷气体不凝结，维持退火空间内的压力，建立良好的退火环境，保证半绝缘磷化铟晶体质量。
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公开(公告)号：CN113308739A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110606846.X
申请日：2021-06-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的系统，包括机架、设置在机架上的密封炉室、籽晶杆和合成注入系统，密封炉室包括主炉体、位于主炉体内的合成坩埚、上炉体、位于上炉体内的VGF坩埚以及设置在VGF坩埚底部的吸液管，所述吸液管的下端部位于合成坩埚的底部上方；所述合成注入系统位于所述主炉体内，所述籽晶杆中的籽晶位于所述VGF坩埚内。本发明的有益效果是：上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸的方式进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。
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公开(公告)号：CN112708935A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011543426.3
申请日：2020-12-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种半导体磷化物注入合成系统的控制方法，属于半导体磷化物的制备技术领域，基于半导体磷化物注入合成系统来实现，所述半导体磷化物注入合成系统包括炉体、设置在炉体上方的屏蔽承载箱、设置在屏蔽承载箱内的磷源承载器、设置在磷源承载器下方的注入管以及配套设置在炉体内底部的坩埚，在磷源承载器和屏蔽承载箱内壁之间设置感应线圈，所述坩埚外壁环绕设置主电阻加热器，所述磷源承载器上端面设置测压系统。通过对方法本身进行改进，可提高的稳定性，可使得整个合成系统进行定量合成，降低了磷源承载器爆炸的危险。
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公开(公告)号：CN111733458A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010751355.X
申请日：2020-07-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 中国电子科技南湖研究院
摘要： 一种摇摆式籽晶表面腐蚀、清洗、烘干装置及工艺方法，属于半导体晶体生长技术领域，包括腐蚀槽和配套的腐蚀槽盖、设置在腐蚀槽底部中间位置的籽晶支撑平台以及配套设置在腐蚀槽两侧的高纯热氮气通入短直管、腐蚀液通入短直管、去离子水通入短直管、溢流排液短直管，所述高纯热氮气通入短直管、腐蚀液通入短直管和去离子水通入短直管的自由端均设有开关截止阀，所述装置还包括设置在腐蚀槽底部的摇摆机构；所述籽晶支撑平台包括对称分布在腐蚀槽竖直向中轴线两侧且定位在腐蚀槽底部的支撑架、借助转轴安装在支撑架上端的籽晶支撑轮以及配套的籽晶支撑轮限位机构。可对整个籽晶表面进行充分的腐蚀，并且使后道工序中籽晶的清洗和烘干工艺，有机统一结合，可避免在后道工序操作时对籽晶产生的二次污染。
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公开(公告)号：CN108360061B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711295536.0
申请日：2017-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种水平注入合成后旋转连续VGF晶体生长的方法，属于半导体晶体合成与生长技术领域，采用的技术方案是通过易挥发元素和纯金属元素的直接水平注入合成后，进一步借助旋转奇偶股控制炉体整体缓慢旋转，实现晶体合成后旋转以连续VGF晶体生长，来制备高纯化合物半导体晶体，避免了VGF晶体生长前纯金属将籽晶熔掉，该方法步骤简洁、设备结构简单、易于操作和控制，有利于半导体晶体的产业化生产。
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公开(公告)号：CN108355459A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201711298582.6
申请日：2017-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种气体烟尘颗粒尾气的处理装置，涉及环保设备技术领域，包括沿尾气流动方向依次设置的异味处理装置、超声波雾化装置和喷淋洗涤装置，其特征在于：所述超声波雾化装置包括雾化箱、位于雾化箱外的超声波雾化器、一端与所述超声波雾化器相连另一端穿过所述雾化箱并位于所述雾化箱内的喷雾主管以及设置在所述喷雾主管上的雾化支口。本发明的有益技术效果是：1、能够有效吸附吸消除气体、烟尘尾气，经现场测试，经本装置处理过的含P2O5尾气，其中P2O5颗粒物由200mg/m3降低至10mg/m3以下；2、设备结构简单、运营成本低，处理效果好。
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